公开(公告)号：CN100402696C

公开(公告)日：2008-07-16

申请号：CN200480000802.7

申请日：2004-02-04

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 古屋治彦 ,  两角友一朗 ,  池川宽晃 ,  平山诚 ,  伊藤勇一

IPC: C23C16/44

CPC classification number: C23C16/44

Abstract: 一种在半导体处理装置(1)中处理被处理基板(10)的方法，在处理容器(2)内一边将第一基板(10)的温度控制在处理温度上一边将处理气体供给所述处理容器内，对所述第一基板进行半导体处理。在所述半导体处理中，在所述处理容器(2)的内面上形成副产物膜。在所述半导体处理后并且从所述处理容器(2)取出所述第一基板(10)后，将改质气体供给所述处理容器内，对所述副产物膜进行改质处理。所述改质处理是以降低所述副产物膜的热反射性的方式进行设定的。在所述改质处理后，在所述处理容器(2)内一边将第二基板(10)的温度控制在所述处理温度上一边将所述处理气体供给所述处理容器内，对所述第二基板进行所述半导体处理。

公开(公告)号：CN103871866B

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201310697905.4

申请日：2013-12-18

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 山本和弥 ,  伊藤勇一

IPC: H01L21/31 ,  C23C16/455 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/402 ,  C23C16/40 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/45557 ,  C23C16/52

Abstract: 本发明提供薄膜形成方法及薄膜形成装置。该薄膜形成方法用于在收容于反应室内的被处理体上形成薄膜，包括：第1工序，将第1原料气体和第2原料气体供给到上述反应室内；以及第2工序，停止供给上述第1原料气体，将上述第2原料气体供给到上述反应室内，使上述反应室内的压力高于上述第1工序时的压力；将上述第1工序和上述第2工序交替地重复多次。

公开(公告)号：CN103871866A

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：CN201310697905.4

申请日：2013-12-18

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 山本和弥 ,  伊藤勇一

IPC: H01L21/31 ,  C23C16/455 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/402 ,  C23C16/40 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/45557 ,  C23C16/52 ,  H01L21/02271 ,  C23C16/455 ,  H01L21/02164

Abstract: 本发明提供薄膜形成方法及薄膜形成装置。该薄膜形成方法用于在收容于反应室内的被处理体上形成薄膜，包括：第1工序，将第1原料气体和第2原料气体供给到上述反应室内；以及第2工序，停止供给上述第1原料气体，将上述第2原料气体供给到上述反应室内，使上述反应室内的压力高于上述第1工序时的压力；将上述第1工序和上述第2工序交替地重复多次。

公开(公告)号：CN1701133A

公开(公告)日：2005-11-23

申请号：CN200480000802.7

申请日：2004-02-04

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 古屋治彦 ,  两角友一朗 ,  池川宽晃 ,  平山诚 ,  伊藤勇一

IPC: C23C16/44

CPC classification number: C23C16/44

Abstract: 一种在半导体处理装置(1)中处理被处理基板(10)的方法，在处理容器(2)内一边将第一基板(10)的温度控制在处理温度上一边将处理气体供给所述处理容器内，对所述第一基板进行半导体处理。在所述半导体处理中，在所述处理容器(2)的内面上形成副产物膜。在所述半导体处理后并且从所述处理容器(2)取出所述第一基板(10)后，将改质气体供给所述处理容器内，对所述副产物膜进行改质处理。所述改质处理是以降低所述副产物膜的热反射性的方式进行设定的。在所述改质处理后，在所述处理容器(2)内一边将第二基板(10)的温度控制在所述处理温度上一边将所述处理气体供给所述处理容器内，对所述第二基板进行所述半导体处理。