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公开(公告)号：CN102965643A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201210315948.7
申请日：2012-08-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/46 , H01L21/67 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/67103 , C23C16/401 , C23C16/45551 , C23C16/4585 , C23C16/46 , H01L21/67109 , H01L21/68764 , H01L21/68771
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置和成膜装置。基板处理装置包括：处理容器；旋转台，其设于上述处理容器内，在其一面侧载置基板，并且该旋转台能够旋转，在用于载置上述基板的基板载置区域设有基板载置部，该基板载置部以热容量小于其他区域的热容量的方式构成；加热部，其用于从上述旋转台的另一面侧加热上述基板。
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公开(公告)号：CN106486597B
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201610740527.7
申请日：2016-08-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L43/12
Abstract: 本发明提供一种磁化处理装置和磁化处理方法。本实施方式的磁化处理装置具有：载置台，其用于对收纳有多个基板的收纳容器进行载置；磁化处理室，其能够收容所述收纳容器，用于对所述收纳容器内的所述多个基板施加磁场；输送机构，其能够从所述载置台向所述磁化处理室内输送所述收纳容器。
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公开(公告)号：CN102994981B
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201210337266.6
申请日：2012-09-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , H01L21/67
CPC classification number: H01L21/68764 , C23C16/455 , C23C16/45506 , C23C16/45551 , H01L21/6719 , H01L21/68771
Abstract: 本发明提供基板处理装置和成膜装置。基板处理装置具有：处理容器；用于对基板进行气体处理的多个处理区域；旋转台，其将基板载置在其上表面侧并使基板依次通过多个处理区域；反应气体供给用的气体喷嘴；分离区域；排气口；罩构件，其用于使反应气体滞留在气体喷嘴的周围，其包括侧壁部和上壁部，在上述罩构件上，从旋转方向上游侧的侧壁部的下部起设有引导面，该引导面用于将从旋转方向上游侧流动的分离气体向上述罩构件的上方引导，气体喷嘴与旋转方向上游侧的侧壁部之间的间隔是8mm以上。
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公开(公告)号：CN114676549A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202111543602.8
申请日：2021-12-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G06F30/20
Abstract: 本发明提供一种信息处理装置、信息处理系统以及部件订购方法，使用半导体制造装置的模拟模型来预探测应更换的半导体制造装置的部件，并订购该部件。信息处理装置使用半导体制造装置的模拟模型来执行对半导体制造装置正在执行的工艺状态的模拟，所述信息处理装置具有：物理传感器数据获取部，其获取在正在按照工艺参数执行工艺的半导体制造装置中测定出的物理传感器数据；模拟执行部，其按照工艺参数来执行使用模拟模型进行的模拟，并计算虚拟传感器数据；模拟结果判定部，其基于物理传感器数据与虚拟传感器数据的差异，来进行应更换的半导体制造装置的部件的预探测；以及部件订购部，其基于预探测的结果来订购半导体制造装置的部件。
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公开(公告)号：CN104795344B
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201510024499.4
申请日：2015-01-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/673 , H01L21/68 , H01L21/677 , H01L21/02
Abstract: 本发明提供真空处理装置和真空处理方法。该真空处理装置具备：基板的载置区域，其以随着旋转台的旋转进行公转的方式设置在该旋转台的一个面侧，在其周围形成有用于限制基板的位置的限制部；升降构件，其为了在外部的基板输送机构和所述旋转台之间交接基板而支承该基板并进行升降；以及排气机构，其用于在利用所述升降构件将基板载置在所述载置区域之前选择性地对该载置区域和基板之间的间隙进行排气。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106486597A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201610740527.7
申请日：2016-08-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L43/12
Abstract: 本发明提供一种磁化处理装置和磁化处理方法。本实施方式的磁化处理装置具有：载置台，其用于对收纳有多个基板的收纳容器进行载置；磁化处理室，其能够收容所述收纳容器，用于对所述收纳容器内的所述多个基板施加磁场；输送机构，其能够从所述载置台向所述磁化处理室内输送所述收纳容器。
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公开(公告)号：CN104795344A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201510024499.4
申请日：2015-01-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/673 , H01L21/68 , H01L21/677 , H01L21/02
CPC classification number: H01L21/0228 , C23C16/4412 , C23C16/45551 , C23C16/4584 , H01L21/67748 , H01L21/68742 , H01L21/68764 , H01L21/68771 , H01L21/67011 , H01L21/02 , H01L21/673 , H01L21/677 , H01L21/68
Abstract: 本发明提供真空处理装置和真空处理方法。该真空处理装置具备：基板的载置区域，其以随着旋转台的旋转进行公转的方式设置在该旋转台的一个面侧，在其周围形成有用于限制基板的位置的限制部；升降构件，其为了在外部的基板输送机构和所述旋转台之间交接基板而支承该基板并进行升降；以及排气机构，其用于在利用所述升降构件将基板载置在所述载置区域之前选择性地对该载置区域和基板之间的间隙进行排气。
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公开(公告)号：CN115714095A
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN202210959053.0
申请日：2022-08-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/677 , H04N23/695
Abstract: 本发明提供能够对输送物进行拍摄的基片处理装置和摄像方法。本发明的基片处理装置包括：用于收纳晶舟的室；设置在所述室内的、用于输送基片的移载机构；用于对所述晶舟的支柱和所述基片进行拍摄的第一摄像机；用于支承所述第一摄像机的支承部件，其插通在形成于所述室的壁面上的开口部中；和驱动部，其用于驱动所述支承部件，以使所述第一摄像机在待机位置与测量位置之间移动。
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公开(公告)号：CN115458435A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202210611145.X
申请日：2022-05-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/68 , H01L21/677
Abstract: 一种用于测量装置内的状态的测量夹具以及处理方法。该测量夹具包括:基板；背面摄像机,其设于上述基板的背面侧；以及控制部,其用于控制上述背面摄像机。
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公开(公告)号：CN102965643B
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201210315948.7
申请日：2012-08-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/46 , H01L21/67 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/67103 , C23C16/401 , C23C16/45551 , C23C16/4585 , C23C16/46 , H01L21/67109 , H01L21/68764 , H01L21/68771
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置和成膜装置。基板处理装置包括：处理容器；旋转台，其设于上述处理容器内，在其一面侧载置基板，并且该旋转台能够旋转，在用于载置上述基板的基板载置区域设有基板载置部，该基板载置部以热容量小于其他区域的热容量的方式构成；加热部，其用于从上述旋转台的另一面侧加热上述基板。
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