公开(公告)号：CN112714945A

公开(公告)日：2021-04-27

申请号：CN201980061504.5

申请日：2019-09-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 河野有美子 ,  中村源志 ,  P·戈贝尔 ,  中林肇

IPC: H01L21/316 ,  C23C14/06 ,  C23C16/34 ,  C23C16/40 ,  C23C16/56 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8242 ,  H01L23/532 ,  H01L27/108

Abstract: 本发明的半导体装置的制造方法包括第1层叠工序、第2层叠工序、第3层叠工序、第1退火工序和第4层叠工序。在第1层叠工序中，在基材上层叠第1电极膜。在第2层叠工序中，在第1电极膜上层叠电容绝缘物。在第3层叠工序中，在电容绝缘物上层叠金属氧化物。在第1退火工序中，对层叠于基材上的第1电极膜、电容绝缘物和金属氧化物进行退火。在第4层叠工序中，在进行了退火的金属氧化物上层叠第2电极膜。此外，电容绝缘物是包含锆和铪中的至少任一者的氧化物，金属氧化物是含有钨、钼和钒中的至少任一金属的氧化物。

公开(公告)号：CN116848621A

公开(公告)日：2023-10-03

申请号：CN202280012796.5

申请日：2022-01-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 樋口伦太郎 ,  中森光则 ,  香川兴司 ,  关口贤治 ,  中林肇 ,  米泽周平

IPC: H01L21/316

Abstract: 基板处理方法包括下述(A)～(C)。(A)：准备形成有介电常数比SiO2膜的介电常数高的高介电性膜的基板。(B)：对所述基板供给包含第二金属元素的金属溶液，所述第二金属元素是与所述高介电性膜中包含的第一金属元素相比电负性高或者价数低的金属元素。(C)：在所述高介电性膜的表面形成将所述第一金属元素置换为所述第二金属元素而得到的掺杂层。