-
公开(公告)号：CN112567501A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN201980053508.9
申请日：2019-08-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304 , F26B3/02 , F26B3/28
Abstract: 课题在于，在基板的干燥处理中切实地防止图案崩塌。解决方案是一种基板处理方法，其将表面形成有凹凸图案的基板上的液体去除而使基板干燥，其具备如下工序：在所述基板的凹部内形成成为下层的固体状态的第一材料、和成为上层的固体状态的第二材料的工序；使第二材料升华、分解、气体反应而去除第二材料的工序；之后，使第一材料分解、气体反应而去除第一材料的工序。
-
公开(公告)号：CN106796876B
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN201580054445.0
申请日：2015-10-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304
Abstract: 一种基板液体处理方法，进行以下工序：液体处理工序，利用处理液对基板进行液体处理；冲洗处理工序，利用冲洗液对进行液体处理后的所述基板进行冲洗处理；以及疏水处理工序，利用疏水化液对进行冲洗处理后的所述基板进行疏水处理，接着，进行以下工序：置换处理工序，利用置换促进液对进行疏水处理后的所述基板进行置换处理；以及清洗处理工序，利用清洗液对进行疏水处理后的所述基板进行清洗处理，之后，进行干燥处理工序，利用挥发性比所述清洗液的挥发性高的干燥液来置换所述清洗液，并且将所述干燥液从所述基板去除。能够防止进行干燥处理时图案损坏，并且能够减少因水印产生的微粒。
-
公开(公告)号：CN117063266A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202280023841.7
申请日：2022-03-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304
Abstract: 本发明的基片处理方法包括以下处理：对具有彼此朝向相反的第一主面和第二主面且在上述第一主面包含凹凸图案的基片，在上述第一主面的整体露出的状态下，由振子施加振动。
-
公开(公告)号：CN109791886A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201780060609.X
申请日：2017-09-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 中森光则
IPC: H01L21/304
Abstract: 实施方式所涉及的基板处理方法包括液处理工序、第一置换工序、防水化工序、第二置换工序以及干燥工序。在液处理工序中，对基板供给含有水分的处理液。在第一置换工序中，对液处理工序后的基板供给第一温度的有机溶剂来置换处理液。在防水化工序中，对第一置换工序后的基板供给防水化液来使基板防水化。在第二置换工序中，对防水化工序后的基板供给比第一温度高的第二温度的有机溶剂来置换防水化液。在干燥工序中，将有机溶剂从第二置换工序后的基板去除。
-
公开(公告)号：CN1438680A
公开(公告)日：2003-08-27
申请号：CN02151819.X
申请日：2002-11-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/302 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/31133 , G03F7/422 , H01L21/02063 , H01L21/31138 , H01L21/67017 , H01L21/67028 , H01L21/76814
Abstract: 按本发明的方法能除去附着在半导体衬底上的光刻胶膜和聚合物层。给衬底加第一处理液，它通常包括氧化剂，如过氧化氢溶液，以改变光刻胶膜和聚合物层的状态。之后，给衬底加第二处理液，它通常包括二甲基亚砜和胺溶剂，因此，从衬底上溶解除去光刻胶膜和聚合物层。也能除去聚合物层中包含的溅射的Cu颗粒。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112567501B
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN201980053508.9
申请日：2019-08-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304 , F26B3/02 , F26B3/28
Abstract: 课题在于，在基板的干燥处理中切实地防止图案崩塌。解决方案是一种基板处理方法，其将表面形成有凹凸图案的基板上的液体去除而使基板干燥，其具备如下工序：在所述基板的凹部内形成成为下层的固体状态的第一材料、和成为上层的固体状态的第二材料的工序；使第二材料升华、分解、气体反应而去除第二材料的工序；之后，使第一材料分解、气体反应而去除第一材料的工序。
-
公开(公告)号：CN116848621A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202280012796.5
申请日：2022-01-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/316
Abstract: 基板处理方法包括下述(A)～(C)。(A)：准备形成有介电常数比SiO2膜的介电常数高的高介电性膜的基板。(B)：对所述基板供给包含第二金属元素的金属溶液，所述第二金属元素是与所述高介电性膜中包含的第一金属元素相比电负性高或者价数低的金属元素。(C)：在所述高介电性膜的表面形成将所述第一金属元素置换为所述第二金属元素而得到的掺杂层。
-
公开(公告)号：CN106796875B
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201580054389.0
申请日：2015-10-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304
Abstract: 一种基板处理方法，进行以下工序：液体处理工序，利用处理液对基板进行液体处理；冲洗处理工序，利用冲洗液对进行液体处理后的所述基板进行冲洗处理；以及疏水处理工序，利用疏水化液对进行冲洗处理后的所述基板进行疏水处理，接着，进行清洗处理工序，利用功能水对进行疏水处理后的所述基板进行清洗处理，之后，进行乙醇处理工序，使乙醇接触进行清洗处理后的所述基板，之后，进行干燥处理工序，使所述基板干燥。通过清洗处理工序来去除残留在进行疏水处理后的基板的表面的杂质。
-
公开(公告)号：CN109791886B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN201780060609.X
申请日：2017-09-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 中森光则
IPC: H01L21/304
Abstract: 实施方式所涉及的基板处理方法包括液处理工序、第一置换工序、防水化工序、第二置换工序以及干燥工序。在液处理工序中，对基板供给含有水分的处理液。在第一置换工序中，对液处理工序后的基板供给第一温度的有机溶剂来置换处理液。在防水化工序中，对第一置换工序后的基板供给防水化液来使基板防水化。在第二置换工序中，对防水化工序后的基板供给比第一温度高的第二温度的有机溶剂来置换防水化液。在干燥工序中，将有机溶剂从第二置换工序后的基板去除。
-
公开(公告)号：CN107706131B
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN201710670286.8
申请日：2017-08-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 提供一种能够去除存在于基板的图案内的纯水来快速置换为溶剂的液处理方法、基板处理装置以及存储介质等。该液处理方法在对被水平保持并在表面形成有图案的基板供给纯水之后，对基板进行干燥，该液处理方法包括：纯水供给工序，向基板的表面供给纯水；加热溶剂供给工序，在所述纯水供给工序之后，以液体的状态向存在纯水的基板的表面供给被加热到水的沸点以上的温度的溶剂；以及去除工序，去除所述基板表面的溶剂来使所述基板干燥。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
29
records
(took 0.024 seconds)
