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公开(公告)号：CN100565341C
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200480002955.5
申请日：2004-01-27
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: G03F7/038 , G03F7/039 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70616 , G03F7/0382 , G03F7/0397 , G03F7/70341 , Y10S430/106 , Y10S430/111
Abstract: 提供抗蚀剂组合物和使用该抗蚀剂组合物形成抗蚀剂图案的方法，所述抗蚀剂组合物对于在浸渍光刻法中使用的溶剂是稳定的，并表现出优异的灵敏度和抗蚀剂图案轮廓。该抗蚀剂组合物符合预定的参数，或者是正性抗蚀剂组合物，所述正性抗蚀剂组合物包括含有可酸解溶解抑制基团并表现出在酸作用下碱溶解性增加的树脂组分(A)、酸生成剂组分(B)和有机溶剂(C)，其中所述组分(A)包含衍生自含可酸解溶解抑制基团的(甲基)丙烯酸酯的结构单元(a1)，但所述组分(A)不包含结构单元(a0)，而所述结构单元(a0)又包括含二羧酸酐的结构单元(a0-1)和含酚羟基的结构单元(a0-2)。
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公开(公告)号：CN100537623C
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200580026129.9
申请日：2005-07-01
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: C08F220/38 , C08F220/22 , G03F7/039 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/0045 , C08F220/18 , C08F220/28 , C08F220/38 , G03F7/0397 , Y10S430/106 , Y10S430/114
Abstract: 本发明提供一种可以构成能形成LER降低的高清晰度的图案的正型抗蚀剂组合物的高分子化合物、由该高分子化合物构成的酸发生剂、含有该高分子化合物的正型抗蚀剂组合物、和使用了该正型抗蚀剂组合物的抗蚀图案形成方法。所述高分子化合物含有：从具有酸解离性溶解抑制基团的(α-低级烷基)丙烯酸酯衍生的结构单元(a1)、用下述通式(a2-1)表示的结构单元(a2)、从含有含极性基团的脂肪族多环式基团的(α-低级烷基)丙烯酸酯衍生的结构单元(a3)，在式中，R是氢原子或者低级烷基；A是2价的有机基团；B是1价的有机基团；X是硫原子或者碘原子；n是1或者2；Y是至少一个氢原子可以被氟原子取代的直链、支链或者环状的烷基。
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公开(公告)号：CN1832971A
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：CN200480022815.4
申请日：2004-08-10
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: C08F220/18 , G03F7/039 , H01L21/30
CPC classification number: G03F7/0397 , C08F220/18 , C08F220/28
Abstract: 一种具有优异的分辨率和景深的正性抗蚀剂组合物，一种用于在所述正性抗蚀剂组合物中使用的抗蚀剂的树脂，以及一种使用所述正性抗蚀剂组合物形成抗蚀剂图案的方法。所述用于抗蚀剂的树脂包括衍生自(α－低级烷基)丙烯酸酯的结构单元(a)作为主要组分，其中这些结构单元(a)包括衍生自含酸可离解的溶解抑制基团的(α－低级烷基)丙烯酸酯以及包含含内酯的单环基团的(α－低级烷基)丙烯酸酯的结构单元(a1)，并且所述结构单元(a1)包括如上所示通式(a1－1)表示的结构单元[其中，R表示氢原子或低级烷基，而R11表示含单环脂肪族烃基但不含多环脂肪族烃基的酸可离解的溶解抑制基团]。
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公开(公告)号：CN1800847A
公开(公告)日：2006-07-12
申请号：CN200510137593.7
申请日：2004-01-27
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: G01N33/00 , G03F7/038 , G03F7/039 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70616 , G03F7/0382 , G03F7/0397 , G03F7/70341 , Y10S430/106 , Y10S430/111
Abstract: 一种用于包括浸渍曝光步骤的抗蚀剂图案形成方法中的正性抗蚀剂组合物的适用性评价方法，如果当使用波长为193nm的光源通过通常的曝光光刻法形成130nm的1∶1线和间隔抗蚀剂图案时，其灵敏度称为X1，并且当使用波长为193nm的光源通过模拟浸渍光刻法形成相同的130nm的1∶1线和间隔抗蚀剂图案时，其灵敏度称为X2，并且如果[(X2/X1)－1]×100的绝对值不超过8.0，那么该抗蚀剂组合物被断定为是适用的，在所述模拟浸渍光刻法中，在常规曝光光刻法的选择性曝光步骤和曝光后烘焙(PEB)步骤之间插入有使用于所述浸渍光刻的溶剂与所述抗蚀剂膜接触的步骤。还提供了负性抗蚀剂组合物的适用性评价方法。
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公开(公告)号：CN1742234A
公开(公告)日：2006-03-01
申请号：CN200480002955.5
申请日：2004-01-27
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: G03F7/038 , G03F7/039 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70616 , G03F7/0382 , G03F7/0397 , G03F7/70341 , Y10S430/106 , Y10S430/111
Abstract: 提供抗蚀剂组合物和使用该抗蚀剂组合物形成抗蚀剂图案的方法，所述抗蚀剂组合物对于在浸渍光刻法中使用的溶剂是稳定的，并表现出优异的灵敏度和抗蚀剂图案轮廓。该抗蚀剂组合物符合预定的参数，或者是正性抗蚀剂组合物，所述正性抗蚀剂组合物包括含有可酸解溶解抑制基团并表现出在酸作用下碱溶解性增加的树脂组分(A)、酸生成剂组分(B)和有机溶剂(C)，其中所述组分(A)包含衍生自含可酸解溶解抑制基团的(甲基)丙烯酸酯的结构单元(a1)，但所述组分(A)不包含结构单元(a0)，而所述结构单元(a0)又包括含二羧酸酐的结构单元(a0－1)和含酚羟基的结构单元(a0－2)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102866585B
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201210243584.6
申请日：2008-12-18
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: G03F7/004 , G03F7/038 , G03F7/039 , G03F7/00 , C07C309/17 , C07C303/32 , C07C381/12 , C07D493/18 , C07D333/46
Abstract: 本发明涉及含有在酸的作用下对碱显影液的溶解性发生改变的基材成分(A)和通过曝光来产生酸的产酸剂成分(B)的抗蚀剂组合物，其特征在于，所述产酸剂成分(B)含有由下述通式(b1-1)表示的化合物形成的产酸剂(B1)，式中，RX是可以具有取代基(但氮原子除外)的烃基；Q2和Q3分别独立地为单键或2价的连接基团；Y1是碳原子数为1～4的亚烷基或氟代亚烷基；Z+是有机阳离子(但下述通式(w-1)表示的离子除外)。
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公开(公告)号：CN101697064B
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN200910164462.6
申请日：2003-12-18
Applicant: 东京应化工业株式会社
CPC classification number: B01D61/58 , B01D69/02 , B01D71/26 , B01D71/56 , G03F7/0397 , G03F7/16 , G03F7/162
Abstract: 本发明提供了能够获得可以抑制显影后抗蚀图案的疵点的光致抗蚀剂组合物的技术。另外，为了提供能获得杂质时效特性(保存稳定性)优良的光致抗蚀剂组合物的技术，并提供能获得处理前后不易引起感光度和抗蚀图案尺寸变化的光致抗蚀剂组合物的技术，而进行了下述的光致抗蚀剂组合物的制造方法，该方法具有使光致抗蚀剂组合物通过设置有在pH7.0的蒸馏水中具有-20mV以上、15mV以下ζ电位的第1膜的第1过滤器的工序，其中所述光致抗蚀剂组合物含有树脂成分(A)、由曝光产生酸的酸产生剂成分(B)和有机溶剂(C)。
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公开(公告)号：CN1997939B
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN200380104689.2
申请日：2003-12-01
Applicant: 东京应化工业株式会社
CPC classification number: G03F7/40 , G03F7/0392 , G03F7/0397 , Y10S430/106 , Y10S430/111
Abstract: 本发明提供一种形成抗蚀图案的方法，该方法可以使在良好控制图案尺寸下形成抗蚀图案，并且提供在该方法中使用的正型抗蚀剂组合物和使用正型抗蚀剂组合物形成的层状产品。在上面方法中，将包含树脂组分(A)和通过曝光生成酸的酸生成剂组分(B)的正型抗蚀剂组合物涂布在基材上，所述的树脂组分(A)包含衍生自由下面通式(I)表示的(甲基)丙烯酸酯的结构单元(a1)，并且在酸作用下显示提高的碱溶解度，进行预烘焙，选择性地曝光抗蚀剂组合物，进行后曝光烘焙(PEB)，然后使用碱性显影以形成抗蚀图案，然后通过热处理使由此产生的抗蚀图案的图案尺寸变窄。
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公开(公告)号：CN101154037B
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN200710141905.0
申请日：2007-08-16
Applicant: 株式会社日立制作所 , 东京应化工业株式会社
CPC classification number: C07C39/17 , C07C39/15 , G03F7/0382 , Y10S430/106
Abstract: 随着微细化，要求半导体电路图案尺寸的精度接近于抗蚀剂分子尺寸，但抗蚀剂图案的边缘粗糙度导致设备性能劣化或对系统性能造成不良影响。本发明使用一种图案形成用基材，其特征在于，所述图案形成用基材为每1分子具有0个以上6个以下在酸的作用下发生化学转化、对碱性显影液的溶解性降低的官能团的化合物的混合物，在除所述官能团之外的部分，具有2个以上三苯基甲烷结构非共轭地连接的结构，所述官能团与多核酚化合物的酚羟基键合，每1分子具有0个所述官能团的多核酚化合物的重量比为15％以下，且每1分子有3个以上所述官能团的多核酚化合物的重量比为40％以下，并且与所述多核酚化合物键合的所述官能团个数平均每1分子为2.5以下。
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公开(公告)号：CN1726435B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200380106292.7
申请日：2003-12-18
Applicant: 东京应化工业株式会社
CPC classification number: B01D61/58 , B01D69/02 , B01D71/26 , B01D71/56 , G03F7/0397 , G03F7/16 , G03F7/162
Abstract: 本发明提供了能够获得可以抑制显影后抗蚀图案的疵点的光致抗蚀剂组合物的技术。另外，为了提供能获得杂质时效特性(保存稳定性)优良的光致抗蚀剂组合物的技术，并提供能获得处理前后不易引起感光度和抗蚀图案尺寸变化的光致抗蚀剂组合物的技术，而进行了下述的光致抗蚀剂组合物的制造方法，该方法具有使光致抗蚀剂组合物通过设置有在pH7.0的蒸馏水中具有-20mV以上、15mV以下ζ电位的第1膜的第1过滤器的工序，其中所述光致抗蚀剂组合物含有树脂成分(A)、由曝光产生酸的酸产生剂成分(B)和有机溶剂(C)。
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