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公开(公告)号：CN1754125A
公开(公告)日：2006-03-29
申请号：CN200480004937.0
申请日：2004-02-25
Applicant: 东京应化工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种光致抗蚀剂组合物，包括树脂成分(A)、产酸剂成分(B)、有机溶剂(C)、和用下述通式(1)表示的含氮有机化合物(D)；[式中，X、Y、Z相互独立，是可以在末端结合芳基的烷基(该X、Y和Z中的两个末端可以结合形成环状结构)，而且X、Y、Z中的至少一个含有极性基团，进而化合物(D)的分子量为200以上]。由此，本发明的光致抗蚀剂组合物可以使用于线缘粗糙度小、抗蚀图案轮廓形状出色的、包括浸润光刻技术的抗蚀图案的形成方法。
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公开(公告)号：CN101176041B
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN200680016732.3
申请日：2006-04-26
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: G03F7/039 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/0392 , G03F7/0045 , G03F7/0397
Abstract: 本发明提供一种含有在酸的作用下碱溶性增大的基材成分(A)和利用曝光产生酸的产酸剂成分(B)的正型抗蚀剂组合物，其中，所述基材成分(A)含有：具有2个以上苯酚性羟基且分子量为300～2500的多元酚化合物(a)中的所述苯酚性羟基被酸解离性溶解抑制基保护的化合物(A1)，而且，所述化合物(A1)的每一分子保护数(个)的标准差(σn)不到1或者每一分子的保护率(摩尔％)的标准差(σp)不到16.7。
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公开(公告)号：CN100533143C
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200510137592.2
申请日：2004-01-27
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: G01N33/00 , G03F7/038 , G03F7/039 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70616 , G03F7/0382 , G03F7/0397 , G03F7/70341 , Y10S430/106 , Y10S430/111
Abstract: 一种在包括浸渍曝光的抗蚀剂图案形成方法中使用的抗蚀剂组合物的评价方法，该方法包括：由抗蚀剂组合物形成抗蚀剂膜，将该膜选择性曝光，其后使在浸渍曝光中使用的浸渍溶剂与膜接触，将如此得到的膜曝光后烘焙，接着将膜显影，以及评价得到的抗蚀剂图案。
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公开(公告)号：CN100565341C
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200480002955.5
申请日：2004-01-27
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: G03F7/038 , G03F7/039 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70616 , G03F7/0382 , G03F7/0397 , G03F7/70341 , Y10S430/106 , Y10S430/111
Abstract: 提供抗蚀剂组合物和使用该抗蚀剂组合物形成抗蚀剂图案的方法，所述抗蚀剂组合物对于在浸渍光刻法中使用的溶剂是稳定的，并表现出优异的灵敏度和抗蚀剂图案轮廓。该抗蚀剂组合物符合预定的参数，或者是正性抗蚀剂组合物，所述正性抗蚀剂组合物包括含有可酸解溶解抑制基团并表现出在酸作用下碱溶解性增加的树脂组分(A)、酸生成剂组分(B)和有机溶剂(C)，其中所述组分(A)包含衍生自含可酸解溶解抑制基团的(甲基)丙烯酸酯的结构单元(a1)，但所述组分(A)不包含结构单元(a0)，而所述结构单元(a0)又包括含二羧酸酐的结构单元(a0-1)和含酚羟基的结构单元(a0-2)。
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公开(公告)号：CN1800847A
公开(公告)日：2006-07-12
申请号：CN200510137593.7
申请日：2004-01-27
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: G01N33/00 , G03F7/038 , G03F7/039 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70616 , G03F7/0382 , G03F7/0397 , G03F7/70341 , Y10S430/106 , Y10S430/111
Abstract: 一种用于包括浸渍曝光步骤的抗蚀剂图案形成方法中的正性抗蚀剂组合物的适用性评价方法，如果当使用波长为193nm的光源通过通常的曝光光刻法形成130nm的1∶1线和间隔抗蚀剂图案时，其灵敏度称为X1，并且当使用波长为193nm的光源通过模拟浸渍光刻法形成相同的130nm的1∶1线和间隔抗蚀剂图案时，其灵敏度称为X2，并且如果[(X2/X1)－1]×100的绝对值不超过8.0，那么该抗蚀剂组合物被断定为是适用的，在所述模拟浸渍光刻法中，在常规曝光光刻法的选择性曝光步骤和曝光后烘焙(PEB)步骤之间插入有使用于所述浸渍光刻的溶剂与所述抗蚀剂膜接触的步骤。还提供了负性抗蚀剂组合物的适用性评价方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1742234A
公开(公告)日：2006-03-01
申请号：CN200480002955.5
申请日：2004-01-27
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: G03F7/038 , G03F7/039 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70616 , G03F7/0382 , G03F7/0397 , G03F7/70341 , Y10S430/106 , Y10S430/111
Abstract: 提供抗蚀剂组合物和使用该抗蚀剂组合物形成抗蚀剂图案的方法，所述抗蚀剂组合物对于在浸渍光刻法中使用的溶剂是稳定的，并表现出优异的灵敏度和抗蚀剂图案轮廓。该抗蚀剂组合物符合预定的参数，或者是正性抗蚀剂组合物，所述正性抗蚀剂组合物包括含有可酸解溶解抑制基团并表现出在酸作用下碱溶解性增加的树脂组分(A)、酸生成剂组分(B)和有机溶剂(C)，其中所述组分(A)包含衍生自含可酸解溶解抑制基团的(甲基)丙烯酸酯的结构单元(a1)，但所述组分(A)不包含结构单元(a0)，而所述结构单元(a0)又包括含二羧酸酐的结构单元(a0－1)和含酚羟基的结构单元(a0－2)。
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公开(公告)号：CN1720485A
公开(公告)日：2006-01-11
申请号：CN200380104698.1
申请日：2003-12-01
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: G03F7/11 , C08G77/14 , H01L21/027
Abstract: 一种用于形成抗反射涂层的组合物，特征在于其包含有机溶剂并,在其中溶解下列物质：(A)由(a1)10－90摩尔％(羟基苯基烷基)倍半硅氧烷单元、(a2)0－50摩尔％(烷氧基苯基烷基)倍半硅氧烷单元和(a3)10－90摩尔％烷基或苯基倍半硅氧烷单元组成的梯形硅酮共聚物，(B)暴露于热或光下可产生酸的产酸剂，和(C)交联剂，而且该组合物能够形成对ArF激光的光学参数(k值)为0.002－0.95的抗反射涂层。该组合物可溶于有机溶剂，能够通过常规的旋涂法容易地进行涂覆，具有良好的储存稳定性，且可以向其中通过引入吸收辐射线的发色团来表现出对反射的调节预防能力。
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公开(公告)号：CN100523804C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200510137593.7
申请日：2004-01-27
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: G01N33/00 , G03F7/038 , G03F7/039 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70616 , G03F7/0382 , G03F7/0397 , G03F7/70341 , Y10S430/106 , Y10S430/111
Abstract: 一种用于包括浸渍曝光步骤的抗蚀剂图案形成方法中的正性抗蚀剂组合物的适用性评价方法，如果当使用波长为193nm的光源通过通常的曝光光刻法形成130nm的1:1线和间隔抗蚀剂图案时，其灵敏度称为X1，并且当使用波长为193nm的光源通过模拟浸渍光刻法形成相同的130nm的1:1线和间隔抗蚀剂图案时，其灵敏度称为X2，并且如果[(X2/X1)-1]×100的绝对值不超过8.0，那么该抗蚀剂组合物被断定为是适用的，在所述模拟浸渍光刻法中，在常规曝光光刻法的选择性曝光步骤和曝光后烘焙(PEB)步骤之间插入有使用于所述浸渍光刻的溶剂与所述抗蚀剂膜接触的步骤。还提供了负性抗蚀剂组合物的适用性评价方法。
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公开(公告)号：CN1782872A
公开(公告)日：2006-06-07
申请号：CN200510120497.1
申请日：2003-12-01
Applicant: 东京应化工业株式会社
Abstract: 一种用于形成抗反射涂层的组合物，特征在于其包含有机溶剂并，在其中溶解下列物质：(A)由(a1)10－90摩尔％(羟基苯基烷基)倍半硅氧烷单元、(a2)0－50摩尔％(烷氧基苯基烷基)倍半硅氧烷单元和(a3)10－90摩尔％烷基或苯基倍半硅氧烷单元组成的梯形硅酮共聚物，(B)暴露于热或光下可产生酸的产酸剂，和(C)交联剂，而且该组合物能够形成对ArF激光的光学参数(k值)为0.002－0.95的抗反射涂层。该组合物可溶于有机溶剂，能够通过常规的旋涂法容易地进行涂覆，具有良好的储存稳定性，且可以向其中通过引入吸收辐射线的发色团来表现出对反射的调节预防能力。
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公开(公告)号：CN100582940C
公开(公告)日：2010-01-20
申请号：CN200380104698.1
申请日：2003-12-01
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: G03F7/11 , C08G77/14 , H01L21/027
Abstract: 一种用于形成抗反射涂层的组合物，特征在于其包含有机溶剂并，在其中溶解下列物质：(A)由(a1)10-90摩尔%(羟基苯基烷基)倍半硅氧烷单元、(a2)0-50摩尔%(烷氧基苯基烷基)倍半硅氧烷单元和(a3)10-90摩尔%烷基或苯基倍半硅氧烷单元组成的梯形硅酮共聚物，(B)暴露于热或光下可产生酸的产酸剂，和(C)交联剂，而且该组合物能够形成对ArF激光的光学参数(k值)为0.002-0.95的抗反射涂层。该组合物可溶于有机溶剂，能够通过常规的旋涂法容易地进行涂覆，具有良好的储存稳定性，且可以向其中通过引入吸收辐射线的发色团来表现出对反射的调节预防能力。
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