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公开(公告)号：CN1693994A
公开(公告)日：2005-11-09
申请号：CN200510069037.0
申请日：2005-04-29
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: G03F7/20 , G03F7/00 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/40 , H01L21/0273 , H01L21/0338 , H01L21/31144
Abstract: 本发明公开一种涂膜形成剂、及使用该涂膜形成剂形成微细图案的方法，该涂膜形成剂是一种按以下方式用于形成微缩图案的涂膜形成剂：在具有光致抗蚀剂图案的基板上涂覆该涂膜形成剂，利用该涂膜的热收缩作用缩小光致抗蚀剂图案的间隔，从而形成微细图案，其特征在于，该涂膜形成剂含有至少以甲基丙烯酸和/或甲基丙烯酸甲酯作为结构单体的水溶性聚合物。通过本发明，能够提供一种涂膜形成剂，以及使用该涂膜形成剂形成微细图案的方法，该涂膜形成剂的曝光极限范围宽，能够使光致抗蚀剂图案的尺寸控制反映为微细化图案的尺寸控制性，并且使热收缩作用后的光致抗蚀剂图案的形状保持为矩形而避免其顶部变为弧形，热收缩率高。
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公开(公告)号：CN100533143C
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200510137592.2
申请日：2004-01-27
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: G01N33/00 , G03F7/038 , G03F7/039 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70616 , G03F7/0382 , G03F7/0397 , G03F7/70341 , Y10S430/106 , Y10S430/111
Abstract: 一种在包括浸渍曝光的抗蚀剂图案形成方法中使用的抗蚀剂组合物的评价方法，该方法包括：由抗蚀剂组合物形成抗蚀剂膜，将该膜选择性曝光，其后使在浸渍曝光中使用的浸渍溶剂与膜接触，将如此得到的膜曝光后烘焙，接着将膜显影，以及评价得到的抗蚀剂图案。
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公开(公告)号：CN100465798C
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200410011596.1
申请日：2002-07-04
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: G03F7/40 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/40
Abstract: 本发明涉及在用于降低基板上的光刻胶层的图案尺寸的所谓涂覆热流动方法中的改进来实现光刻胶图案细度的增加，其中将形成在光刻胶层上的水溶性树脂涂层进行热处理，使该涂层产生热收缩，同时减小图案尺寸，随后通过水洗除去涂层。该方法的改进是通过下述步骤实现的：除了水溶性树脂例如基于聚丙烯酸基的聚合物之外，在涂料水溶液中混合水溶性胺化合物例如三乙醇胺。进一步的改进是这样实现的：从特殊的共聚物中选择水溶性树脂，所述特殊共聚物包括(甲基)丙烯酸和含氮化合物例如N-乙烯基吡咯烷酮、N-乙烯基亚乙基脲和N-丙烯酰基吗啉的共聚物以及在特定共聚比下的N-乙烯基吡咯烷酮和N-乙烯基亚乙基脲的共聚物。
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公开(公告)号：CN1652023A
公开(公告)日：2005-08-10
申请号：CN200410011595.7
申请日：2002-07-04
Applicant: 东京应化工业株式会社
CPC classification number: G03F7/40
Abstract: 本发明涉及在用于降低基板上的光刻胶层的图案尺寸的所谓涂覆热流动方法中的改进来实现光刻胶图案细度的增加，其中将形成在光刻胶层上的水溶性树脂涂层进行热处理，使该涂层产生热收缩，同时减小图案尺寸，随后通过水洗除去涂层。该方法的改进是通过下述步骤实现的：除了水溶性树脂例如基于聚丙烯酸基的聚合物之外，在涂料水溶液中混合水溶性胺化合物例如三乙醇胺。进一步的改进是这样实现的：从特殊的共聚物中选择水溶性树脂，所述特殊共聚物包括(甲基)丙烯酸和含氮化合物例如N－乙烯基吡咯烷酮、N－乙烯基咪唑啉酮和N－丙烯酰基吗啉的共聚物以及在特定共聚比下的N－乙烯基吡咯烷酮和N－乙烯基咪唑啉酮的共聚物。
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公开(公告)号：CN100523804C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200510137593.7
申请日：2004-01-27
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: G01N33/00 , G03F7/038 , G03F7/039 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70616 , G03F7/0382 , G03F7/0397 , G03F7/70341 , Y10S430/106 , Y10S430/111
Abstract: 一种用于包括浸渍曝光步骤的抗蚀剂图案形成方法中的正性抗蚀剂组合物的适用性评价方法，如果当使用波长为193nm的光源通过通常的曝光光刻法形成130nm的1:1线和间隔抗蚀剂图案时，其灵敏度称为X1，并且当使用波长为193nm的光源通过模拟浸渍光刻法形成相同的130nm的1:1线和间隔抗蚀剂图案时，其灵敏度称为X2，并且如果[(X2/X1)-1]×100的绝对值不超过8.0，那么该抗蚀剂组合物被断定为是适用的，在所述模拟浸渍光刻法中，在常规曝光光刻法的选择性曝光步骤和曝光后烘焙(PEB)步骤之间插入有使用于所述浸渍光刻的溶剂与所述抗蚀剂膜接触的步骤。还提供了负性抗蚀剂组合物的适用性评价方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100510971C
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN03815397.1
申请日：2003-06-26
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: G03F7/40 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/40 , H01L2051/0063
Abstract: 本发明提供一种用于图案细微化的涂膜形成剂，是一种用于按以下方式形成细微图案的涂膜形成剂：在具有光致抗蚀剂图案的基板上涂敷该涂膜形成剂，利用其热收缩作用缩小光致抗蚀剂图案的间隔后，实质上完全除去该涂膜，形成细微图案，其特征在于该涂膜形成剂含有水溶性聚合物和含酰胺基的单体，或者含有至少含有(甲基)丙烯酰胺作为构成单体的水溶性聚合物。本发明还提供一种使用上述任何一种用于图案细微化的涂膜形成剂形成细微图案的方法。利用本发明，可以显著提高加热处理时用于图案细微化的涂膜形成剂的热收缩率，能够得到外形良好、具备现有半导体器件所要求特性的细微图案。
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公开(公告)号：CN1652024A
公开(公告)日：2005-08-10
申请号：CN200410011596.1
申请日：2002-07-04
Applicant: 东京应化工业株式会社
CPC classification number: G03F7/40
Abstract: 本发明涉及在用于降低基板上的光刻胶层的图案尺寸的所谓涂覆热流动方法中的改进来实现光刻胶图案细度的增加，其中将形成在光刻胶层上的水溶性树脂涂层进行热处理，使该涂层产生热收缩，同时减小图案尺寸，随后通过水洗除去涂层。该方法的改进是通过下述步骤实现的：除了水溶性树脂例如基于聚丙烯酸基的聚合物之外，在涂料水溶液中混合水溶性胺化合物例如三乙醇胺。进一步的改进是这样实现的：从特殊的共聚物中选择水溶性树脂，所述特殊共聚物包括(甲基)丙烯酸和含氮化合物例如N－乙烯基吡咯烷酮、N－乙烯基咪唑啉酮和N－丙烯酰基吗啉的共聚物以及在特定共聚比下的N－乙烯基吡咯烷酮和N－乙烯基咪唑啉酮的共聚物。
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公开(公告)号：CN1211836C
公开(公告)日：2005-07-20
申请号：CN02140154.3
申请日：2002-07-04
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F7/00
CPC classification number: G03F7/40
Abstract: 本发明涉及在用于降低基板上的光刻胶层的图案尺寸的所谓涂覆热流动方法中的改进来实现光刻胶图案细度的增加，其中将形成在光刻胶层上的水溶性树脂涂层进行热处理，使该涂层产生热收缩，同时减小图案尺寸，随后通过水洗除去涂层。该方法的改进是通过下述步骤实现的：除了水溶性树脂例如基于聚丙烯酸基的聚合物之外，在涂料水溶液中混合水溶性胺化合物例如三乙醇胺。进一步的改进是这样实现的：从特殊的共聚物中选择水溶性树脂，所述特殊共聚物包括(甲基)丙烯酸和含氮化合物例如N-乙烯基吡咯烷酮、N-乙烯基咪唑啉酮和N-丙烯酰基吗啉的共聚物以及在特定共聚比下的N-乙烯基吡咯烷酮和N-乙烯基咪唑啉酮的共聚物。
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公开(公告)号：CN1469430A
公开(公告)日：2004-01-21
申请号：CN03137790.4
申请日：2003-06-23
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F7/00
CPC classification number: G03F7/40 , G03F7/0046
Abstract: 本发明提供一种用于图案细微化的涂膜形成剂，是一种用于按以下方式形成细微图案的涂膜形成剂：在具有光刻胶图案的基板上涂敷该涂膜形成剂，利用其热收缩作用缩小光刻胶图案的间隔后，实质上完全除去该涂膜，形成细微图案，其特征在于含有水溶性聚合物和水溶性含氟化合物。本发明还提供一种使用该涂膜形成剂形成细微图案的方法。利用本发明，可以降低发泡、减少缺陷、流平性和涂布性优良，可以得到外形良好、具有现有半导体器件所要求特性的细微图案。
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公开(公告)号：CN1294457C
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN02822202.4
申请日：2002-11-05
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: G03F7/40 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/40
Abstract: 本发明提供一种用于图案细微化的涂膜形成剂，是一种用于按以下方式形成细微图案的涂膜形成剂：在具有光刻胶图案的基板上涂敷该涂膜形成剂，利用其热收缩作用缩小光刻胶图案间的间隔后，形成细微图案，其特征在于含有水溶性聚合物和表面活性剂。本发明还提供一种使用该涂膜形成剂形成细微图案的方法。利用本发明，能够提供一种可得到具有以下特性的细微图案的涂膜形成剂和使用该涂膜形成剂形成细微图案的方法：即图案尺寸控制性优良，具有良好的外形，以及半导体器件所要求的特性。
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