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公开(公告)号：CN100454143C
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：CN200510062425.6
申请日：2005-03-28
Applicant: 东京应化工业株式会社
CPC classification number: G03F7/0757 , G03F7/0048 , Y10S430/106 , Y10S430/115 , Y10S430/12
Abstract: 本发明提供一种能够形成具有出色形状的抗蚀图形的正型抗蚀剂组合物。该组成物是把基础树脂成分(A)和因曝光而产生酸的产酸剂成分(B)溶解到有机溶剂而成的正型抗蚀剂组合物，所述基础树脂成分(A)是硅酮树脂，所述有机溶剂含有丙二醇单甲基醚(x1)和沸点高于该丙二醇单甲基醚的溶剂(S2)。
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公开(公告)号：CN100523804C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200510137593.7
申请日：2004-01-27
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: G01N33/00 , G03F7/038 , G03F7/039 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70616 , G03F7/0382 , G03F7/0397 , G03F7/70341 , Y10S430/106 , Y10S430/111
Abstract: 一种用于包括浸渍曝光步骤的抗蚀剂图案形成方法中的正性抗蚀剂组合物的适用性评价方法，如果当使用波长为193nm的光源通过通常的曝光光刻法形成130nm的1:1线和间隔抗蚀剂图案时，其灵敏度称为X1，并且当使用波长为193nm的光源通过模拟浸渍光刻法形成相同的130nm的1:1线和间隔抗蚀剂图案时，其灵敏度称为X2，并且如果[(X2/X1)-1]×100的绝对值不超过8.0，那么该抗蚀剂组合物被断定为是适用的，在所述模拟浸渍光刻法中，在常规曝光光刻法的选择性曝光步骤和曝光后烘焙(PEB)步骤之间插入有使用于所述浸渍光刻的溶剂与所述抗蚀剂膜接触的步骤。还提供了负性抗蚀剂组合物的适用性评价方法。
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公开(公告)号：CN1782872A
公开(公告)日：2006-06-07
申请号：CN200510120497.1
申请日：2003-12-01
Applicant: 东京应化工业株式会社
Abstract: 一种用于形成抗反射涂层的组合物，特征在于其包含有机溶剂并，在其中溶解下列物质：(A)由(a1)10－90摩尔％(羟基苯基烷基)倍半硅氧烷单元、(a2)0－50摩尔％(烷氧基苯基烷基)倍半硅氧烷单元和(a3)10－90摩尔％烷基或苯基倍半硅氧烷单元组成的梯形硅酮共聚物，(B)暴露于热或光下可产生酸的产酸剂，和(C)交联剂，而且该组合物能够形成对ArF激光的光学参数(k值)为0.002－0.95的抗反射涂层。该组合物可溶于有机溶剂，能够通过常规的旋涂法容易地进行涂覆，具有良好的储存稳定性，且可以向其中通过引入吸收辐射线的发色团来表现出对反射的调节预防能力。
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公开(公告)号：CN100533143C
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200510137592.2
申请日：2004-01-27
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: G01N33/00 , G03F7/038 , G03F7/039 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70616 , G03F7/0382 , G03F7/0397 , G03F7/70341 , Y10S430/106 , Y10S430/111
Abstract: 一种在包括浸渍曝光的抗蚀剂图案形成方法中使用的抗蚀剂组合物的评价方法，该方法包括：由抗蚀剂组合物形成抗蚀剂膜，将该膜选择性曝光，其后使在浸渍曝光中使用的浸渍溶剂与膜接触，将如此得到的膜曝光后烘焙，接着将膜显影，以及评价得到的抗蚀剂图案。
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公开(公告)号：CN1677234A
公开(公告)日：2005-10-05
申请号：CN200510062425.6
申请日：2005-03-28
Applicant: 东京应化工业株式会社
CPC classification number: G03F7/0757 , G03F7/0048 , Y10S430/106 , Y10S430/115 , Y10S430/12
Abstract: 本发明提供一种能够形成具有出色形状的抗蚀图形的正型抗蚀剂组合物。该组成物是把基础树脂成分(A)和因曝光而产生酸的产酸剂成分(B)溶解到有机溶剂而成的正型抗蚀剂组合物，所述基础树脂成分(A)是硅酮树脂，所述有机溶剂含有丙二醇单甲基醚(x1)和沸点高于该丙二醇单甲基醚的溶剂(S2)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100582940C
公开(公告)日：2010-01-20
申请号：CN200380104698.1
申请日：2003-12-01
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: G03F7/11 , C08G77/14 , H01L21/027
Abstract: 一种用于形成抗反射涂层的组合物，特征在于其包含有机溶剂并，在其中溶解下列物质：(A)由(a1)10-90摩尔%(羟基苯基烷基)倍半硅氧烷单元、(a2)0-50摩尔%(烷氧基苯基烷基)倍半硅氧烷单元和(a3)10-90摩尔%烷基或苯基倍半硅氧烷单元组成的梯形硅酮共聚物，(B)暴露于热或光下可产生酸的产酸剂，和(C)交联剂，而且该组合物能够形成对ArF激光的光学参数(k值)为0.002-0.95的抗反射涂层。该组合物可溶于有机溶剂，能够通过常规的旋涂法容易地进行涂覆，具有良好的储存稳定性，且可以向其中通过引入吸收辐射线的发色团来表现出对反射的调节预防能力。
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公开(公告)号：CN100543584C
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200510120497.1
申请日：2003-12-01
Applicant: 东京应化工业株式会社
Abstract: 一种用于形成抗反射涂层的组合物，特征在于其包含有机溶剂并，在其中溶解下列物质：(A)由(a1)10-90摩尔%(羟基苯基烷基)倍半硅氧烷单元、(a2)0-50摩尔%(烷氧基苯基烷基)倍半硅氧烷单元和(a3)10-90摩尔%烷基或苯基倍半硅氧烷单元组成的梯形硅酮共聚物，(B)暴露于热或光下可产生酸的产酸剂，和(C)交联剂，而且该组合物能够形成对ArF激光的光学参数(k值)为0.002-0.95的抗反射涂层。该组合物可溶于有机溶剂，能够通过常规的旋涂法容易地进行涂覆，具有良好的储存稳定性，且可以向其中通过引入吸收辐射线的发色团来表现出对反射的调节预防能力。
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公开(公告)号：CN1800846A
公开(公告)日：2006-07-12
申请号：CN200510137592.2
申请日：2004-01-27
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: G01N33/00 , G03F7/038 , G03F7/039 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70616 , G03F7/0382 , G03F7/0397 , G03F7/70341 , Y10S430/106 , Y10S430/111
Abstract: 一种在包括浸渍曝光的抗蚀剂图案形成方法中使用的抗蚀剂组合物的评价方法，该方法包括：由抗蚀剂组合物形成抗蚀剂膜，将该膜选择性曝光，其后使在浸渍曝光中使用的浸渍溶剂与膜接触，将如此得到的膜曝光后烘焙，接着将膜显影，以及评价得到的抗蚀剂图案。
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公开(公告)号：CN100565341C
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200480002955.5
申请日：2004-01-27
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: G03F7/038 , G03F7/039 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70616 , G03F7/0382 , G03F7/0397 , G03F7/70341 , Y10S430/106 , Y10S430/111
Abstract: 提供抗蚀剂组合物和使用该抗蚀剂组合物形成抗蚀剂图案的方法，所述抗蚀剂组合物对于在浸渍光刻法中使用的溶剂是稳定的，并表现出优异的灵敏度和抗蚀剂图案轮廓。该抗蚀剂组合物符合预定的参数，或者是正性抗蚀剂组合物，所述正性抗蚀剂组合物包括含有可酸解溶解抑制基团并表现出在酸作用下碱溶解性增加的树脂组分(A)、酸生成剂组分(B)和有机溶剂(C)，其中所述组分(A)包含衍生自含可酸解溶解抑制基团的(甲基)丙烯酸酯的结构单元(a1)，但所述组分(A)不包含结构单元(a0)，而所述结构单元(a0)又包括含二羧酸酐的结构单元(a0-1)和含酚羟基的结构单元(a0-2)。
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公开(公告)号：CN1800847A
公开(公告)日：2006-07-12
申请号：CN200510137593.7
申请日：2004-01-27
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: G01N33/00 , G03F7/038 , G03F7/039 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70616 , G03F7/0382 , G03F7/0397 , G03F7/70341 , Y10S430/106 , Y10S430/111
Abstract: 一种用于包括浸渍曝光步骤的抗蚀剂图案形成方法中的正性抗蚀剂组合物的适用性评价方法，如果当使用波长为193nm的光源通过通常的曝光光刻法形成130nm的1∶1线和间隔抗蚀剂图案时，其灵敏度称为X1，并且当使用波长为193nm的光源通过模拟浸渍光刻法形成相同的130nm的1∶1线和间隔抗蚀剂图案时，其灵敏度称为X2，并且如果[(X2/X1)－1]×100的绝对值不超过8.0，那么该抗蚀剂组合物被断定为是适用的，在所述模拟浸渍光刻法中，在常规曝光光刻法的选择性曝光步骤和曝光后烘焙(PEB)步骤之间插入有使用于所述浸渍光刻的溶剂与所述抗蚀剂膜接触的步骤。还提供了负性抗蚀剂组合物的适用性评价方法。
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