公开(公告)号：CN100567557C

公开(公告)日：2009-12-09

申请号：CN200710045847.1

申请日：2007-09-12

Applicant: 上海大学

Inventor： 郑耀明 ,  史伟民 ,  郭余英 ,  张瑜 ,  陈盛 ,  余俊阳

IPC: C23C14/28 ,  C23C14/06 ,  C23C14/54

Abstract: 本发明涉及一种超声波作用下碘化汞薄膜的制备方法，主要是在超声波作用下的真空蒸发物理气相沉积生长薄膜的方法，它特别是一种χ射线、γ射线探测器用的碘化汞多晶半导体薄膜的制备方法，属半导体薄膜制备工艺技术领域。本发明利用一特殊设计的薄膜生长管体，将碘化汞原料放于管体底部，管体上部为一真空室，真空室顶部有一真空活塞盖，活塞盖侧部开有抽气口，通过该抽气口和真空抽气系统进行抽真空，使真空室内保持真空状态，真空度要求达到1.5～6.0×10-3Pa；薄膜生长管体放置在一设有超声波发生装置的水浴加热容器中，水浴温度为70～90℃，超声波发生装置的频率为40或59KHz；在该条件下进行气相沉积生长薄膜过程，最终在衬底基片上获得柱状晶粒的碘化汞多晶半导体薄膜。

公开(公告)号：CN101122007A

公开(公告)日：2008-02-13

申请号：CN200710045847.1

申请日：2007-09-12

Applicant: 上海大学

Inventor： 郑耀明 ,  史伟民 ,  郭余英 ,  张瑜 ,  陈盛 ,  余俊阳

IPC: C23C14/28 ,  C23C14/06 ,  C23C14/54

Abstract: 本发明涉及一种超声波作用下碘化汞薄膜的制备方法，主要是在超声波作用下的真空蒸发物理气相沉积生长薄膜的方法，它特别是一种χ射线、γ射线探测器用的碘化汞多晶半导体薄膜的制备方法，属半导体薄膜制备工艺技术领域。本发明利用一特殊设计的薄膜生长管体，将碘化汞原料放于管体底部，管体上部为一真空室，真空室顶部有一真空活塞盖，活塞盖侧部开有抽气口，通过该抽气口和真空抽气系统进行抽真空，使真空室内保持真空状态，真空度要求达到1.5～6.0×10－3Pa；薄膜生长管体放置在一设有超声波发生装置的水浴加热容器中，水浴温度为70～90℃，超声波发生装置的频率为40或59KHZ；在该条件下进行气相沉积生长薄膜过程，最终在衬底基片上获得柱状晶粒的碘化汞多晶半导体薄膜。

公开(公告)号：CN101710568B

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：CN200910199555.2

申请日：2009-11-26

Applicant: 上海大学

Inventor： 史伟民 ,  金晶 ,  陈盛 ,  陈洁利 ,  余俊阳 ,  黄璐

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/30 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种用醋酸镍溶液诱导晶化非晶硅薄膜的方法。属于多晶硅薄膜制备工艺技术领域。本发明方法主要过程为：(1)将镀有氧化铟锡(ITO)的玻璃作为衬底，并进行洁净处理；(2)非晶硅薄膜的制备，用气相沉积法在玻璃衬底上沉积非晶硅薄膜；用硅烷与氢气的混合气体为反应气体；(3)配制醋酸镍溶液；(4)涂覆醋酸镍溶液，随后热处理，温度为500～550℃，处理4～6小时，最终制得的微晶硅薄膜的晶化率为60～80％，晶粒大小在100nm以上。本发明产物适用于太阳能电池制造领域。

公开(公告)号：CN101710568A

公开(公告)日：2010-05-19

申请号：CN200910199555.2

申请日：2009-11-26

Applicant: 上海大学

Inventor： 史伟民 ,  金晶 ,  陈盛 ,  陈洁利 ,  余俊阳 ,  黄璐

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/30 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种用醋酸镍溶液诱导晶化非晶硅薄膜的方法。属于多晶硅薄膜制备工艺技术领域。本发明方法主要过程为：(1)将镀有氧化铟锡(ITO)的玻璃作为衬底，并进行洁净处理；(2)非晶硅薄膜的制备，用气相沉积法在玻璃衬底上沉积非晶硅薄膜；用硅烷与氢气的混合气体为反应气体；(3)配制醋酸镍溶液；(4)涂覆醋酸镍溶液，随后热处理，温度为500～550℃，处理4～6小时，最终制得的微晶硅薄膜的晶化率为60～80％，晶粒大小在100nm以上。本发明产物适用于太阳能电池制造领域。

公开(公告)号：CN100587979C

公开(公告)日：2010-02-03

申请号：CN200810033872.2

申请日：2008-02-26

Applicant: 上海大学

Inventor： 郑耀明 ,  史伟民 ,  张瑜 ,  余俊阳 ,  郑伟峰 ,  王漪

IPC: H01L31/18 ,  C23F1/14 ,  C23C14/26 ,  C23C14/14 ,  C23C14/04

Abstract: 本发明涉及一种多晶碘化汞薄膜室温核辐射探测器的制备方法，特别是一种X射线、γ射线室温核辐射探测器的制备方法，属半导体探测器制备工艺技术领域。该探测器的制备方法是：先将在衬底基片上制得的由柱状晶粒组成的多晶薄膜进行机械粗抛光、细抛光、表面化学腐蚀、清洗，晾干各工序，然后采用掩膜板蒸镀电极，最后对探测器进行封装和安装固定。本发明制得的探测器在室温下具有优秀的X射线、γ射线能量分辨率。

公开(公告)号：CN101262026A

公开(公告)日：2008-09-10

申请号：CN200810033872.2

申请日：2008-02-26

Applicant: 上海大学

Inventor： 郑耀明 ,  史伟民 ,  张瑜 ,  余俊阳 ,  郑伟峰 ,  王漪

IPC: H01L31/18 ,  C23F1/14 ,  C23C14/26 ,  C23C14/14 ,  C23C14/04

Abstract: 本发明涉及一种多晶碘化汞薄膜室温核辐射探测器的制备方法，特别是一种X射线、γ射线室温核辐射探测器的制备方法，属半导体探测器制备工艺技术领域。该探测器的制备方法是：先将在衬底基片上制得的由柱状晶粒组成的多晶薄膜进行机械粗抛光、细抛光、表面化学腐蚀、清洗，晾干各工序，然后采用掩膜板蒸镀电极，最后对探测器进行封装和安装固定。本发明制得的探测器在室温下具有优秀的X射线、γ射线能量分辨率。