公开(公告)号：CN103500776A

公开(公告)日：2014-01-08

申请号：CN201310445623.5

申请日：2013-09-26

Applicant: 上海大学

Inventor： 王林军 ,  姚蓓玲 ,  周捷 ,  沈萍 ,  史冬良 ,  黄健 ,  唐可 ,  张凯勋

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/1832 ,  H01L31/1836

Abstract: 本发明涉及一种Si基CdZnTe薄膜紫外光探测器的制备方法，属于紫外光探测器光敏材料及器件制造工艺技术领域；本发明是采用近空间升华方法，在P型Si衬底上制备N型CdZnTe薄膜，形成CdZnTe薄膜/Si异质结结构紫外光探测器，为制作高性能的紫外光探测器提供了新的方法；本发明是一种基于硅衬底的异质结CdZnTe薄膜紫外光探测器，其特点在于，采用近空间升华方法在Si片上制备高平整、颗粒尺寸均匀、质量高的CdZnTe薄膜样品，所制成的异质结型探测器具有高的灵敏度。