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公开(公告)号：CN104812927B
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201380061000.6
申请日：2013-12-03
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: C23C14/3414 , C23C14/0641 , C23C14/0676 , G01K7/22 , H01C7/006 , H01C7/008 , H01C7/041 , H01C7/042 , H01C17/12
Abstract: 本发明提供一种热敏电阻用金属氮化物材料及其制造方法以及薄膜型热敏电阻传感器，该热敏电阻用金属氮化物材料能够在非烧成条件下直接成膜于薄膜等上，且具有高耐热性而可靠性较高。用于热敏电阻的金属氮化物材料，由以通式：(Ti1‑vCrv)xAly(N1‑wOw)z表示的金属氮化物构成，其中，0.0＜v＜1.0、0.70≤y/(x+y)≤0.95、0.45≤z≤0.55、0＜w≤0.35、x+y+z＝1，其结晶结构为六方晶系的纤锌矿型的单相。
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公开(公告)号：CN104823031B
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201380062949.8
申请日：2013-12-17
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: G01K7/22 , G01K1/143 , G01K13/08 , H01C1/14 , H01C1/1406 , H01C1/1413 , H01C1/142 , H01C7/006 , H01C7/008 , H01C7/04 , H01L23/495 , H01L35/02 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种温度传感器，其具备：一对引线框架；传感器部，与一对引线框架连接；及绝缘性保持部，保持引线框架，传感器部具备：带状的绝缘性薄膜；薄膜热敏电阻部，在绝缘性薄膜的表面的中央部被图案形成；一对梳状电极，在薄膜热敏电阻部的上方具有多个梳齿部且相互对置地被图案形成；及一对图案电极，一端与一对梳状电极连接，并且另外一端在绝缘性薄膜的端部与一对引线框架连接，并在绝缘性薄膜的表面被图案形成，绝缘性薄膜在弯曲成略U字形的状态下将薄膜热敏电阻部配置在顶端部，且两端部固定在一对引线框架上。
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公开(公告)号：CN105144311A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201480022247.1
申请日：2014-06-02
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明提供一种热敏电阻用金属氮化物材料及其制造方法以及薄膜型热敏电阻传感器，该热敏电阻用金属氮化物材料能够在非烧成条件下直接成膜于薄膜等上，且具有高耐热性而可靠性较高。本发明的热敏电阻用金属氮化物材料是用于热敏电阻的金属氮化物材料，由以通式：(M1-wVw)xAlyNz表示的金属氮化物构成，其中，0.0＜w＜1.0、0.70≤y/(x+y)≤0.98、0.4≤z≤0.5、x+y+z＝1，其结晶结构为六方晶系的纤锌矿型的单相，所述M为Ti、Cr内的一种或两种。该热敏电阻用金属氮化物材料的制造方法具有成膜工序，所述成膜工序使用M-V-Al合金溅射靶在含氮气氛中进行反应性溅射而成膜，所述M为Ti、Cr内的一种或两种。
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公开(公告)号：CN104798146A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201380060819.0
申请日：2013-12-04
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: H01C7/008 , C23C14/0036 , C23C14/0042 , C23C14/0641 , C23C14/081 , C30B25/06 , C30B29/38 , C30B29/605 , G01K7/22 , H01C7/006 , H01C7/04 , H01C7/041
Abstract: 本发明提供一种热敏电阻用金属氮化物材料及其制造方法以及薄膜型热敏电阻传感器，该热敏电阻用金属氮化物材料能够在非烧成条件下直接成膜于薄膜等上，且具有高耐热性而可靠性较高。该热敏电阻用金属氮化物材料为用于热敏电阻的金属氮化物材料，由以通式：CrxAly(N1-wOw)z表示的金属氮化物构成，其中，0.70≤y/(x+y)≤0.95、0.45≤z≤0.55、0＜w≤0.35、x+y+z＝1，其结晶结构为六方晶系的纤锌矿型的单相。
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公开(公告)号：CN102826602B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201210191251.3
申请日：2012-06-11
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够以非烧结获得稳定的热敏电阻特性且耐热性优异的热敏电阻材料、温度传感器及其制造方法。热敏电阻材料由包括Hf、Al及N的氮化物形成，电阻率为1～10000Ωcm，材料常数B值为2000K以上。尤其，在Hf-Al-N的三元系状态图中，Hf：Al：N的组成比在由以原子%计为13.1：21.9：65.0（A点）、20.6：19.9：59.5（B点）、28.6：12.4：58.9（C点）、43.4：0.1：56.4（D点）、37.1：0.5：62.4（E点）、23.6：11.9：64.5（F点）的A点～F点所包围的范围内。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104425089A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201410427720.6
申请日：2014-08-27
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: H01C7/02
CPC classification number: G01K7/226 , C23C14/0036 , C23C14/0641 , H01C1/012 , H01C1/14 , H01C7/006 , H01C7/008 , H01C7/041
Abstract: 本发明提供一种热敏电阻用金属氮化物材料及其制造方法以及薄膜型热敏电阻传感器，该热敏电阻用金属氮化物材料能够在非烧成条件下直接成膜在薄膜等上，且具有高耐热性且可靠性较高。本发明的用于热敏电阻的金属氮化物材料，由以通式：(M1-vAv)xAly(N1-wOw)z表示的金属氮化物构成，其中，M表示选自Ti、V、Cr、Mn、Fe及Co中的至少一种，并且A表示选自Mn、Cu、Ni、Fe及Co中的至少一种且与所选的所述M不同的元素，0.0＜v＜1.0、0.70≤y/(x+y)≤0.98、0.45≤z≤0.55、0＜w≤0.35、x+y+z＝1，其结晶结构为六方晶系的纤锌矿型的单相。
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公开(公告)号：CN104204750A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201380011445.3
申请日：2013-03-26
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明提供一种温度传感器，其在弯曲薄膜时在TiAlN的热敏电阻材料层上不易产生裂纹，并且能够通过非烧成直接成膜于薄膜等上，且具有较高的耐热性且可靠性较高。本发明的温度传感器具备：绝缘性薄膜(2)；薄膜热敏电阻部(3)，由TiAlN的热敏电阻材料形成于该绝缘性薄膜上；及一对图案电极(4)，以将相互对置的一对对置电极部(4a)配设于薄膜热敏电阻部上的方式形成于绝缘性薄膜上，一对对置电极部覆盖除相互对置之间的区域以外的薄膜热敏电阻部的整个表面。
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公开(公告)号：CN104170031A
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201380013405.2
申请日：2013-03-25
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: H01C7/04
CPC classification number: H01C7/008 , C23C14/0641 , G01K7/22 , G01K7/226 , H01C7/04 , H01C17/06513 , H01C17/12
Abstract: 本发明提供一种热敏电阻用金属氮化物膜及其制造方法以及薄膜型热敏电阻传感器，该热敏电阻用金属氮化物膜能够通过非烧成的方式在薄膜等上直接成膜，并且耐弯曲性也优异。本发明的用于热敏电阻的金属氮化物膜由以通式：TixAlyNz表示的金属氮化物构成，其中，0.70≤y/(x+y)≤0.95，0.4≤z≤0.5，x+y+z＝1，其晶体结构为六方晶系的纤锌矿型单相，在X射线衍射时a轴取向(100)的衍射峰强度与c轴取向(002)的衍射峰强度的峰值比，即a轴取向(100)的衍射峰强度/c轴取向(002)的衍射峰强度为0.1以下。
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公开(公告)号：CN104169699A
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201380013565.7
申请日：2013-03-22
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: G01K7/226 , C23F1/38 , H01C1/142 , H01C1/148 , H01C7/008 , H01C17/12 , H01C17/288
Abstract: 本发明提供一种温度传感器及其制造方法，该温度传感器在针对TiAlN的热敏电阻材料层的电极结构中即使在高温环境下也不易成为高电阻，进而能够通过非烧成的方式在薄膜等上直接成膜，且具有较高的耐热性且可靠性较高。本发明的温度传感器具备：绝缘性基材(2)；薄膜热敏电阻部(3)，形成于该绝缘性基材上；及一对图案电极(4)，以将相互对置的一对对置电极部(4a)配设于薄膜热敏电阻部上的方式形成于绝缘性基材上，薄膜热敏电阻部由TiAlN的热敏电阻材料形成，图案电极具有：TiN的接合层(5)，形成于薄膜热敏电阻部上；及电极层(6)，由贵金属形成于该接合层上。
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公开(公告)号：CN111418032A
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN201880076342.8
申请日：2018-12-17
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明提供一种耐热试验前后的电阻值变化比较小且可得到高B常数的热敏电阻及其制造方法和热敏电阻传感器。本发明所涉及的热敏电阻为形成于基材(2)上的热敏电阻(1)，其具备：中间层叠部(7)，形成于基材上；及主金属氮化膜层(4)，由金属氮化物的热敏电阻材料形成于中间层叠部上，中间层叠部具备：基底热敏电阻层(3)，由金属氮化物的热敏电阻材料形成；及中间氧氮化层(3a)，形成于基底热敏电阻层上，主金属氮化膜层形成于中间氧氮化层上，中间氧氮化层是通过正下方的基底热敏电阻层的热敏电阻材料被氧化而形成的金属氧氮化层。
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