公开(公告)号：CN102826602B

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201210191251.3

申请日：2012-06-11

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 长友宪昭 ,  稻场均 ,  坂东正范

IPC: C01G27/00 ,  G01K7/22

Abstract: 本发明提供一种能够以非烧结获得稳定的热敏电阻特性且耐热性优异的热敏电阻材料、温度传感器及其制造方法。热敏电阻材料由包括Hf、Al及N的氮化物形成，电阻率为1～10000Ωcm，材料常数B值为2000K以上。尤其，在Hf-Al-N的三元系状态图中，Hf：Al：N的组成比在由以原子%计为13.1：21.9：65.0（A点）、20.6：19.9：59.5（B点）、28.6：12.4：58.9（C点）、43.4：0.1：56.4（D点）、37.1：0.5：62.4（E点）、23.6：11.9：64.5（F点）的A点～F点所包围的范围内。

公开(公告)号：CN102826602A

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：CN201210191251.3

申请日：2012-06-11

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 长友宪昭 ,  稻场均 ,  坂东正范

IPC: C01G27/00 ,  G01K7/22

Abstract: 本发明提供一种能够以非烧结获得稳定的热敏电阻特性且耐热性优异的热敏电阻材料、温度传感器及其制造方法。热敏电阻材料由包括Hf、Al及N的氮化物形成，电阻率为1～10000Ωcm，材料常数B值为2000K以上。尤其，在Hf-Al-N的三元系状态图中，Hf：Al：N的组成比在由以原子%计为13.1：21.9：65.0（A点）、20.6：19.9：59.5（B点）、28.6：12.4：58.9（C点）、43.4：0.1：56.4（D点）、37.1：0.5：62.4（E点）、23.6：11.9：64.5（F点）的A点～F点所包围的范围内。