热敏电阻材料、温度传感器及其制造方法

    公开(公告)号:CN102826602B

    公开(公告)日:2015-07-01

    申请号:CN201210191251.3

    申请日:2012-06-11

    Abstract: 本发明提供一种能够以非烧结获得稳定的热敏电阻特性且耐热性优异的热敏电阻材料、温度传感器及其制造方法。热敏电阻材料由包括Hf、Al及N的氮化物形成,电阻率为1~10000Ωcm,材料常数B值为2000K以上。尤其,在Hf-Al-N的三元系状态图中,Hf:Al:N的组成比在由以原子%计为13.1:21.9:65.0(A点)、20.6:19.9:59.5(B点)、28.6:12.4:58.9(C点)、43.4:0.1:56.4(D点)、37.1:0.5:62.4(E点)、23.6:11.9:64.5(F点)的A点~F点所包围的范围内。

    温度传感器
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN104204750A

    公开(公告)日:2014-12-10

    申请号:CN201380011445.3

    申请日:2013-03-26

    CPC classification number: G01K7/226 G01K7/22 H01C7/008 H01C7/04

    Abstract: 本发明提供一种温度传感器,其在弯曲薄膜时在TiAlN的热敏电阻材料层上不易产生裂纹,并且能够通过非烧成直接成膜于薄膜等上,且具有较高的耐热性且可靠性较高。本发明的温度传感器具备:绝缘性薄膜(2);薄膜热敏电阻部(3),由TiAlN的热敏电阻材料形成于该绝缘性薄膜上;及一对图案电极(4),以将相互对置的一对对置电极部(4a)配设于薄膜热敏电阻部上的方式形成于绝缘性薄膜上,一对对置电极部覆盖除相互对置之间的区域以外的薄膜热敏电阻部的整个表面。

    片型浪涌吸收器及其制造方法

    公开(公告)号:CN1306327A

    公开(公告)日:2001-08-01

    申请号:CN00120699.0

    申请日:2000-11-30

    Abstract: 一种片型浪涌吸收器,包括:长方体形的绝缘基体;与绝缘基体一起构造填充放电气体的箱状密封室的底面开口的绝缘密封盖;设在密封室的两端部的端子电极;导通端子电极、在密封室内形成放电间隙地设置的一对放电电极;设在放电电极和端子电极的连接部、用于扩大连接面积的连接面。一种片型浪涌吸收器的制造方法,包括下列工序:在具有耐热性的绝缘基体平坦的基板表面上形成比该绝缘基体耐热性低的带状低耐热绝缘层;在该带状低耐热绝缘层上层叠同一带状的导电膜;在正交于长度方向的方向通过激光切割与所述低耐热绝缘层同时分断该导电膜而形成隔微小间隙的一对放电电极。

    温度传感器
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN104508442A

    公开(公告)日:2015-04-08

    申请号:CN201380040118.0

    申请日:2013-09-03

    Abstract: 本发明提供一种温度传感器,其在与加热辊等接触来检测温度时,响应性优异。本发明的温度传感器具备:一对引线框(2);传感器部(3),与一对引线框连接;及绝缘性保持部(4),固定于一对引线框来保持引线框,传感器部具备:绝缘性薄膜(6);薄膜热敏电阻部(7),在绝缘性薄膜的表面以热敏电阻材料图案形成;一对梳状电极(8),在薄膜热敏电阻部上具有多个梳部并相互对置地图案形成;及一对图案电极(9),连接于一对梳状电极,在绝缘性薄膜表面图案形成,一对引线框在绝缘性薄膜表面将薄膜热敏电阻部配置在之间而延伸并被粘接,并且连接于一对图案电极(9)。

    薄膜型热敏电阻传感器
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN104137196A

    公开(公告)日:2014-11-05

    申请号:CN201380011410.X

    申请日:2013-03-25

    CPC classification number: G01K7/226 G01K1/143 H01C1/142 H01C7/008 H01C17/06513

    Abstract: 本发明提供一种能够进行表面安装并且能够通过非烧成直接成膜于薄膜等上的薄膜型热敏电阻传感器。本发明的薄膜型热敏电阻传感器具备:绝缘性薄膜(2);薄膜热敏电阻部(3),形成于该绝缘性薄膜(2)的表面;一对表面图案电极(4),以将相互对置的一对对置电极部(4a)配设于薄膜热敏电阻部之上或之下的方式形成于绝缘性薄膜的表面;及一对背面图案电极(5),在绝缘性薄膜的背面形成为与一对表面图案电极的一部分对置,表面图案电极和背面图案电极通过以贯穿状态形成于绝缘性薄膜的通孔(2a)电连接。

    温度传感器
    7.
    发明授权

    公开(公告)号:CN104204750B

    公开(公告)日:2017-03-08

    申请号:CN201380011445.3

    申请日:2013-03-26

    CPC classification number: G01K7/226 G01K7/22 H01C7/008 H01C7/04

    Abstract: 本发明提供一种温度传感器,其在弯曲薄膜时在TiAlN的热敏电阻材料层上不易产生裂纹,并且能够通过非烧成直接成膜于薄膜等上,且具有较高的耐热性且可靠性较高。本发明的温度传感器具备:绝缘性薄膜(2);薄膜热敏电阻部(3),由TiAlN的热敏电阻材料形成于该绝缘性薄膜上;及一对图案电极(4),以将相互对置的一对对置电极部(4a)配设于薄膜热敏电阻部上的方式形成于绝缘性薄膜上,一对对置电极部覆盖除相互对置之间的区域以外的薄膜热敏电阻部的整个表面。

    薄膜热敏电阻传感器
    8.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102192792B

    公开(公告)日:2014-09-03

    申请号:CN201110036332.1

    申请日:2011-02-09

    Abstract: 本发明提供一种薄膜热敏电阻传感器,该薄膜热敏电阻传感器拉伸强度高,能够谋求可靠性的提高。其具备:绝缘基板(2);热敏电阻薄膜(3),在绝缘基板(2)的上面形成图案;一对电极(4),从绝缘基板(2)的上面经过热敏电阻薄膜(3)的上面形成图案;以及一对引线框(5),连接于一对电极(4),其中,引线框(5)由以下构成:前端接合部(5a),接合于电极(4);引线端部(5b),与外部连接;以及弯曲部(5c),形成于前端接合部(5a)与引线端部(5b)之间并成为曲折形状。

    热敏电阻材料、温度传感器及其制造方法

    公开(公告)号:CN102826602A

    公开(公告)日:2012-12-19

    申请号:CN201210191251.3

    申请日:2012-06-11

    Abstract: 本发明提供一种能够以非烧结获得稳定的热敏电阻特性且耐热性优异的热敏电阻材料、温度传感器及其制造方法。热敏电阻材料由包括Hf、Al及N的氮化物形成,电阻率为1~10000Ωcm,材料常数B值为2000K以上。尤其,在Hf-Al-N的三元系状态图中,Hf:Al:N的组成比在由以原子%计为13.1:21.9:65.0(A点)、20.6:19.9:59.5(B点)、28.6:12.4:58.9(C点)、43.4:0.1:56.4(D点)、37.1:0.5:62.4(E点)、23.6:11.9:64.5(F点)的A点~F点所包围的范围内。

    温度传感器
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101995305A

    公开(公告)日:2011-03-30

    申请号:CN201010253116.8

    申请日:2010-08-11

    Abstract: 本发明提供一种温度传感器,其作为EGR气体等的温度测定用,可以进一步提高热响应性。其具备有底筒状的金属管(2)、设置于该金属管(2)的底部内面并形成有一对端子电极的热敏元件(4)及连接于一对端子电极的一对导线(5),在金属管(2)的底部形成贯穿孔(2a)并将贯穿孔(2a)设成闭塞状态而设置热敏元件(4)。由此,热敏元件(4)的一部分通过贯穿孔(2a)成为露出状态,通过能够直接与外部的排出气体等气氛气体接触,可以使热响应性提高。

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