公开(公告)号：CN119384518A

公开(公告)日：2025-01-28

申请号：CN202380046803.8

申请日：2023-06-16

Applicant: 三菱综合材料株式会社 ,  公立大学法人大阪

Inventor： 饭岛遥 ,  铃木峻平 ,  樋上晃裕 ,  小西康裕 ,  斋藤范三

IPC: C22B11/00 ,  B09B3/80 ,  C22B3/06 ,  C22B3/10 ,  C22B3/18 ,  C22B3/22 ,  C22B3/44 ,  C22B7/00

Abstract: 该贵金属的制造方法包括：贱金属溶解工序，生成使贱金属溶解而成的贱金属溶出液及含贵金属原料；贵金属溶解工序，生成使所述含贵金属原料中所包含的所述贵金属溶出而成的贵金属溶出液；加热工序，将所述贵金属溶出液加热至30℃以上且100℃以下的范围内；贵金属吸附工序，在加热后的所述贵金属溶出液中加入酵母，使所述酵母选择性地吸附所述贵金属溶出液中所包含的贵金属离子；以及贵金属分离工序，在吸附有所述贵金属离子的所述酵母的分散液中加入还原剂，分离出经纳米粒子化的贵金属。

公开(公告)号：CN111418032A

公开(公告)日：2020-07-14

申请号：CN201880076342.8

申请日：2018-12-17

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 藤田利晃 ,  铃木峻平 ,  佐古渚 ,  千歳范寿 ,  长友宪昭

IPC: H01C7/04 ,  G01K7/22 ,  H01C17/12

Abstract: 本发明提供一种耐热试验前后的电阻值变化比较小且可得到高B常数的热敏电阻及其制造方法和热敏电阻传感器。本发明所涉及的热敏电阻为形成于基材(2)上的热敏电阻(1)，其具备：中间层叠部(7)，形成于基材上；及主金属氮化膜层(4)，由金属氮化物的热敏电阻材料形成于中间层叠部上，中间层叠部具备：基底热敏电阻层(3)，由金属氮化物的热敏电阻材料形成；及中间氧氮化层(3a)，形成于基底热敏电阻层上，主金属氮化膜层形成于中间氧氮化层上，中间氧氮化层是通过正下方的基底热敏电阻层的热敏电阻材料被氧化而形成的金属氧氮化层。

公开(公告)号：CN111344819A

公开(公告)日：2020-06-26

申请号：CN201980005678.X

申请日：2019-01-11

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 铃木峻平 ,  藤田利晃 ,  千歳范寿 ,  鱼住学司 ,  竹岛一太 ,  长友宪昭

IPC: H01C7/04 ,  H01C7/00 ,  H01C17/065

Abstract: 本发明提供一种使用金属制基材可以获得良好的热敏电阻膜且具有高的耐湿性和耐热性等的热敏电阻及其制造方法和热敏电阻传感器。本发明所涉及的热敏电阻具备金属制基材(2)、形成于金属制基材上的绝缘性基底膜(3)、形成于绝缘性基底膜上的热敏电阻膜(4)，绝缘性基底膜通过填充金属制基材的表面的凹凸而形成，绝缘性基底膜的表面粗糙度小于金属制基材的表面粗糙度。制造该热敏电阻的方法具有如下工序：在金属制基材上涂布聚硅氮烷；使聚硅氮烷干燥并形成含有N的SiOx的绝缘性基底膜；及将热敏电阻膜成膜于绝缘性基底膜。