公开(公告)号：CN111418032A

公开(公告)日：2020-07-14

申请号：CN201880076342.8

申请日：2018-12-17

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 藤田利晃 ,  铃木峻平 ,  佐古渚 ,  千歳范寿 ,  长友宪昭

IPC: H01C7/04 ,  G01K7/22 ,  H01C17/12

Abstract: 本发明提供一种耐热试验前后的电阻值变化比较小且可得到高B常数的热敏电阻及其制造方法和热敏电阻传感器。本发明所涉及的热敏电阻为形成于基材(2)上的热敏电阻(1)，其具备：中间层叠部(7)，形成于基材上；及主金属氮化膜层(4)，由金属氮化物的热敏电阻材料形成于中间层叠部上，中间层叠部具备：基底热敏电阻层(3)，由金属氮化物的热敏电阻材料形成；及中间氧氮化层(3a)，形成于基底热敏电阻层上，主金属氮化膜层形成于中间氧氮化层上，中间氧氮化层是通过正下方的基底热敏电阻层的热敏电阻材料被氧化而形成的金属氧氮化层。

公开(公告)号：CN116583918A

公开(公告)日：2023-08-11

申请号：CN202280008150.X

申请日：2022-03-10

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 山崎和彦 ,  佐古渚

IPC: H01B3/00

Abstract: 该带有绝缘覆膜的平板导电板(1)具有作为冲切加工品的平板导电板(10)和包覆所述平板导电板(10)的至少一部分的绝缘覆膜(20)，所述绝缘覆膜(20)为电沉积膜，所述绝缘覆膜(20)包含聚酰胺酰亚胺树脂和氟系树脂，相对于所述聚酰胺酰亚胺树脂和所述氟系树脂的合计含量，所述氟系树脂的含量在72质量％以上且95质量％以下的范围内，所述绝缘覆膜(20)的在25℃的相对介电常数在2.2以上且2.8以下的范围内，并且平均膜厚在5μm以上且100μm以下的范围内。