公开(公告)号：CN118019706A

公开(公告)日：2024-05-10

申请号：CN202280065830.5

申请日：2022-08-26

Applicant: 三菱材料电子化成株式会社 ,  三菱综合材料株式会社

Inventor： 影山谦介 ,  四山卓也 ,  相场直幸 ,  田口莉帆 ,  赤池宽人 ,  千歳范寿

IPC: C01B21/076 ,  C01G25/00 ,  C09C1/00 ,  C09D7/62 ,  C09D17/00 ,  C09D201/00 ,  G02B5/00 ,  G02B5/20

Abstract: 该含有氧化铝系组合物的氮化锆粉末为氧化铝系组合物局部附着于主要由氮化锆构成的粒子的表面的粉末，在将所述含有氧化铝系组合物的氮化锆粉末的总量设定为100质量％时，以超过1质量％且15质量％以下的比例含有铝，通过BET法测定的比表面积为30m2/g～90m2/g。在该粉末作为黑色颜料形成黑色图案化膜时，波长1000nm的近红外线区域的遮光性相对高，图案化性及可见光线区域的屏蔽性优异，耐湿性良好。

公开(公告)号：CN118019811A

公开(公告)日：2024-05-10

申请号：CN202280065394.1

申请日：2022-09-26

Applicant: 三菱综合材料株式会社 ,  三菱材料电子化成株式会社

Inventor： 赤池宽人 ,  千歳范寿 ,  影山谦介 ,  四山卓也

IPC: C09C1/00 ,  C09D17/00 ,  C08L33/00 ,  C08L63/00 ,  C08K3/28

Abstract: 本发明的包覆氮化锆粒子(10)具有氮化锆粒子(11)、对氮化锆粒子(11)的表面的至少一部分进行包覆的氧化物层(12)及散布在氧化物层(12)的表面或内部的碳微粒(13)，表面附着碳的含有率在0.10质量％以上且5.0质量％以下的范围内。

公开(公告)号：CN111418032A

公开(公告)日：2020-07-14

申请号：CN201880076342.8

申请日：2018-12-17

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 藤田利晃 ,  铃木峻平 ,  佐古渚 ,  千歳范寿 ,  长友宪昭

IPC: H01C7/04 ,  G01K7/22 ,  H01C17/12

Abstract: 本发明提供一种耐热试验前后的电阻值变化比较小且可得到高B常数的热敏电阻及其制造方法和热敏电阻传感器。本发明所涉及的热敏电阻为形成于基材(2)上的热敏电阻(1)，其具备：中间层叠部(7)，形成于基材上；及主金属氮化膜层(4)，由金属氮化物的热敏电阻材料形成于中间层叠部上，中间层叠部具备：基底热敏电阻层(3)，由金属氮化物的热敏电阻材料形成；及中间氧氮化层(3a)，形成于基底热敏电阻层上，主金属氮化膜层形成于中间氧氮化层上，中间氧氮化层是通过正下方的基底热敏电阻层的热敏电阻材料被氧化而形成的金属氧氮化层。

公开(公告)号：CN111344819A

公开(公告)日：2020-06-26

申请号：CN201980005678.X

申请日：2019-01-11

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 铃木峻平 ,  藤田利晃 ,  千歳范寿 ,  鱼住学司 ,  竹岛一太 ,  长友宪昭

IPC: H01C7/04 ,  H01C7/00 ,  H01C17/065

Abstract: 本发明提供一种使用金属制基材可以获得良好的热敏电阻膜且具有高的耐湿性和耐热性等的热敏电阻及其制造方法和热敏电阻传感器。本发明所涉及的热敏电阻具备金属制基材(2)、形成于金属制基材上的绝缘性基底膜(3)、形成于绝缘性基底膜上的热敏电阻膜(4)，绝缘性基底膜通过填充金属制基材的表面的凹凸而形成，绝缘性基底膜的表面粗糙度小于金属制基材的表面粗糙度。制造该热敏电阻的方法具有如下工序：在金属制基材上涂布聚硅氮烷；使聚硅氮烷干燥并形成含有N的SiOx的绝缘性基底膜；及将热敏电阻膜成膜于绝缘性基底膜。