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公开(公告)号：CN102916662B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201210274868.1
申请日：2012-08-03
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H03F1/56 , H01L21/8252 , H01L23/647 , H01L23/66 , H01L27/0207 , H01L27/0605 , H01L27/085 , H01L2223/6655 , H01L2224/48137 , H01L2224/49175 , H01L2924/00014 , H01L2924/1305 , H03F3/195 , H03F3/211 , H03F3/245 , H03F2200/222 , H03F2200/387 , H03F2203/21106 , H03F2203/21142 , H01L2224/45099 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及功率放大器，其目的在于提供一种对吸收振荡功率的电阻的电阻值能容易地进行控制的功率放大器。本申请发明的功率放大器（10）具备：半导体基板（12），形成有多个晶体管单元；该多个晶体管单元的漏极电极（40），形成在该半导体基板上；漏极焊盘（42），在该半导体基板上以与该漏极电极连接的方式形成；离子注入电阻（44），在该半导体基板以沿着该漏极焊盘与该漏极焊盘相接的方式形成；浮动电极（46），在该半导体基板上以经由该离子注入电阻与该漏极焊盘相接的方式形成；输出匹配电路（16），形成在该半导体基板的外部；以及布线（18a，18b，18c，18d），连接该漏极焊盘和该输出匹配电路。
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公开(公告)号：CN102376664B
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201110225510.5
申请日：2011-08-08
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L25/065 , H01L23/12 , H01L21/48 , H01L21/60
CPC classification number: H01L24/80 , H01L21/6835 , H01L23/49833 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/94 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L29/2003 , H01L29/7322 , H01L2221/6835 , H01L2221/68381 , H01L2224/1146 , H01L2224/11831 , H01L2224/11845 , H01L2224/13144 , H01L2224/16225 , H01L2224/274 , H01L2224/27831 , H01L2224/27845 , H01L2224/29011 , H01L2224/291 , H01L2224/29101 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/8001 , H01L2224/80013 , H01L2224/80123 , H01L2224/80129 , H01L2224/8013 , H01L2224/80132 , H01L2224/80201 , H01L2224/80203 , H01L2224/80895 , H01L2224/81191 , H01L2224/83191 , H01L2225/06513 , H01L2225/06551 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01033 , H01L2924/01068 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/014 , H01L2924/10329 , H01L2924/1305 , H01L2924/14 , H01L2924/1423 , H05K1/14 , H05K2201/047 , H05K2201/10515 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01049 , H01L2924/01031
Abstract: 本发明提供一种能够节减化合物半导体材料并且得到使用了化合物半导体的高性能的半导体元件的半导体装置、半导体电路基板及半导体电路基板的制造方法。半导体电路基板具有晶体管形成基板（10）和电路形成基板（50）。晶体管形成基板（10）是GaN基板，在表面形成BJT（40）。晶体管形成基板（10）的背面平滑，并且在背面具有接触区域。电路形成基板（50）由化合物半导体以外的材料形成，不具有半导体有源元件。电路形成基板（50）为平滑的表面，具有以在表面露出的方式埋入的接触区域（52、54）及无源电路（未图示）。晶体管形成基板（10）和电路形成基板（50）不插入绝缘膜等其他膜地直接接合。
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公开(公告)号：CN102916662A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201210274868.1
申请日：2012-08-03
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H03F1/56 , H01L21/8252 , H01L23/647 , H01L23/66 , H01L27/0207 , H01L27/0605 , H01L27/085 , H01L2223/6655 , H01L2224/48137 , H01L2224/49175 , H01L2924/00014 , H01L2924/1305 , H03F3/195 , H03F3/211 , H03F3/245 , H03F2200/222 , H03F2200/387 , H03F2203/21106 , H03F2203/21142 , H01L2224/45099 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及功率放大器，其目的在于提供一种对吸收振荡功率的电阻的电阻值能容易地进行控制的功率放大器。本申请发明的功率放大器（10）具备：半导体基板（12），形成有多个晶体管单元；该多个晶体管单元的漏极电极（40），形成在该半导体基板上；漏极焊盘（42），在该半导体基板上以与该漏极电极连接的方式形成；离子注入电阻（44），在该半导体基板以沿着该漏极焊盘与该漏极焊盘相接的方式形成；浮动电极（46），在该半导体基板上以经由该离子注入电阻与该漏极焊盘相接的方式形成；输出匹配电路（16），形成在该半导体基板的外部；以及布线（18a，18b，18c，18d），连接该漏极焊盘和该输出匹配电路。
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公开(公告)号：CN102456616A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201110317588.X
申请日：2011-10-09
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L23/4821 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供制造能够制造可抑制空气桥的强度下降、抑制半导体元件的特性劣化，而且能够避免隔离材料的残留且被覆面积大的空气桥的空气桥制造方法。该方法是：在抗蚀层(100)上涂布作为第2抗蚀层的抗蚀层(102)。对于抗蚀层(102)，也和第1层(抗蚀层(100))一样，通过进行曝光显影留下规定的尺寸(L2)，其后，涂布第3抗蚀层(抗蚀层(104))。在第3层(抗蚀层(104))也进行曝光显影，留下规定的尺寸(L3)。在形成的抗蚀层(100、102、104)的叠层结构上，叠层形成空气桥(10)的材料的层(106)，以形成空气桥(10)。通过去除抗蚀层，完成截面形状为阶梯状的空气桥(10)的制作。
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公开(公告)号：CN114144950B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN201980098628.0
申请日：2019-08-06
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/02326 , H01S5/02255 , H01S5/0239
Abstract: 半导体激光装置(70)具备半导体激光元件(13)、接收从半导体激光元件(13)射出的激光(4)的光检测器(10)、以及搭载半导体激光元件(13)以及光检测器(10)的管座(1)。半导体激光元件(13)配置在光检测器(10)的最远离管座(1)的搭载半导体激光元件(13)以及光检测器(10)的管座表面(34)的最远部(59)与管座表面(34)之间的管座表面(34)侧。光检测器(10)在形成于与半导体激光元件(13)对置的一侧的接收激光(4)的受光面(17)形成有反射膜(20)，该反射膜(20)使激光(4)的一部分透过并且反射剩余的部分。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114144950A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN201980098628.0
申请日：2019-08-06
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/02326 , H01S5/02255 , H01S5/0239
Abstract: 半导体激光装置(70)具备半导体激光元件(13)、接收从半导体激光元件(13)射出的激光(4)的光检测器(10)、以及搭载半导体激光元件(13)以及光检测器(10)的管座(1)。半导体激光元件(13)配置在光检测器(10)的最远离管座(1)的搭载半导体激光元件(13)以及光检测器(10)的管座表面(34)的最远部(59)与管座表面(34)之间的管座表面(34)侧。光检测器(10)在形成于与半导体激光元件(13)对置的一侧的接收激光(4)的受光面(17)形成有反射膜(20)，该反射膜(20)使激光(4)的一部分透过并且反射剩余的部分。
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公开(公告)号：CN114026752A
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN201980097904.1
申请日：2019-07-02
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/023 , H01S5/02315
Abstract: 本发明的半导体激光装置具备：作为基体材料的管座(1)；LD次基台(2)，设置有表面电极(20a、20b)，并与管座(1)的表面接合；LD芯片(4)，配置于表面电极(20a)，并与表面电极(20b)连接；以及引线(3a、3b)，经由设置于LD次基台(2)的通孔(2c、2d)内的埋入层(21a、21b)而与表面电极(20a、20b)电连接，并通过封接部件(10a、10b)固定于设置于管座(1)的孔(1a、1b)，在管座(1)与LD次基台(2)的接合面侧的、封接部(10a、10b)或LD次基台(2)的引线(3a、3b)与埋入层(21a、21b)的连接部的周围设置有槽部(10ad、10bd)，由此得到良好的调制光波形。
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公开(公告)号：CN106059518B
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201610236702.9
申请日：2016-04-15
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H03F3/68
Abstract: 本发明的目的在于提供能够抑制不平衡且适于小型化的放大器。具备：多个第1放大元件，它们在封装件中沿输入侧分配电路设置，具有第1栅极焊盘和第1漏极焊盘；多个第2放大元件，它们在该封装件中沿输出侧合成电路设置，具有第2栅极焊盘和第2漏极焊盘；第1输入导线，其将该输入侧分配电路和该第1栅极焊盘连接；第2输入导线，其将该输入侧分配电路和该第2栅极焊盘连接；第1输出导线，其将该第1漏极焊盘和该输出侧合成电路连接；以及第2输出导线，其将该第2漏极焊盘和该输出侧合成电路连接，该多个第1放大元件和该多个第2放大元件设置为交错状，该第1输入导线和该第2输入导线的长度相等，该第1输出导线和该第2输出导线的长度相等。
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公开(公告)号：CN106059518A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610236702.9
申请日：2016-04-15
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H03F3/68
CPC classification number: H01L23/66 , H01L25/072 , H01L2224/49175 , H03F3/68
Abstract: 本发明的目的在于提供能够抑制不平衡且适于小型化的放大器。具备：多个第1放大元件，它们在封装件中沿输入侧分配电路设置，具有第1栅极焊盘和第1漏极焊盘；多个第2放大元件，它们在该封装件中沿输出侧合成电路设置，具有第2栅极焊盘和第2漏极焊盘；第1输入导线，其将该输入侧分配电路和该第1栅极焊盘连接；第2输入导线，其将该输入侧分配电路和该第2栅极焊盘连接；第1输出导线，其将该第1漏极焊盘和该输出侧合成电路连接；以及第2输出导线，其将该第2漏极焊盘和该输出侧合成电路连接，该多个第1放大元件和该多个第2放大元件设置为交错状，该第1输入导线和该第2输入导线的长度相等，该第1输出导线和该第2输出导线的长度相等。
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公开(公告)号：CN114026752B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN201980097904.1
申请日：2019-07-02
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/023 , H01S5/02315
Abstract: 本发明的半导体激光装置具备：作为基体材料的管座(1)；LD次基台(2)，设置有表面电极(20a、20b)，并与管座(1)的表面接合；LD芯片(4)，配置于表面电极(20a)，并与表面电极(20b)连接；以及引线(3a、3b)，经由设置于LD次基台(2)的通孔(2c、2d)内的埋入层(21a、21b)而与表面电极(20a、20b)电连接，并通过封接部件(10a、10b)固定于设置于管座(1)的孔(1a、1b)，在管座(1)与LD次基台(2)的接合面侧的、封接部(10a、10b)或LD次基台(2)的引线(3a、3b)与埋入层(21a、21b)的连接部的周围设置有槽部(10ad、10bd)，由此得到良好的调制光波形。
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