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公开(公告)号：CN110178275B
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN201780083335.6
申请日：2017-01-19
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/12
Abstract: 特征在于，具备：半导体基板；谐振器部，其形成于半导体基板之上，具有有源层、后端面、和呈倒台面斜面的前端面；防反射涂膜，其形成于该前端面；反射膜，其形成于该后端面；衍射光栅，其形成于该有源层之上或之下；上部电极，其形成于该谐振器部之上；以及下部电极，其形成于该半导体基板之下，该谐振器部的谐振器方向的长度比该半导体基板的该谐振器方向的长度短，从该前端面射出激光。
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公开(公告)号：CN110431720B
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN201780088584.4
申请日：2017-03-23
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/026
Abstract: 半导体激光器(2)具有n型半导体衬底(1)和在n型半导体衬底(1)之上依次层叠的n型包覆层(4)、有源层(5)以及p型包覆层(6)。光波导(3)具有芯层(9)和包覆层(10)，该芯层(9)位于n型半导体衬底(1)之上且设置于半导体激光器(2)的光输出侧，没有掺杂杂质，与有源层(5)相比禁带宽度大，该包覆层(10)设置于芯层(9)之上，与p型包覆层(6)相比载流子浓度低。半导体激光器(2)具有载流子注入区域(X1)以及在载流子注入区域(X1)和光波导(3)之间设置的非载流子注入区域(X2)。
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公开(公告)号：CN111937260A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN201880092013.2
申请日：2018-04-04
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/227
Abstract: 具有：有源层脊(6)，其在n型InP衬底(1)之上依次层叠了n型包覆层(2)、有源层(3)、第一p型包覆层(4)、第二n型阻挡层(5)，有源层脊(6)是从比有源层(3)低的位置凸出而形成的；填埋层(7)，其将有源层脊(6)的两侧填埋至比有源层(3)高的位置；第一n型阻挡层(8)，其在有源层脊(6)的两侧层叠于填埋层(7)的表面侧；以及第二p型包覆层(10)，其对有源层脊(6)的端部以及第一n型阻挡层(8)进行填埋，在处于有源层脊(6)顶部的第二n型阻挡层(5)的中央设置使空穴电流通过的电流狭窄窗(9)。
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公开(公告)号：CN111801610A
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN201880089522.X
申请日：2018-02-19
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 目的在于提供能够对光强度进行监视，不会对在光波导传播的光的光分布造成影响，不会使入射侧的光元件的特性恶化的半导体光集成器件。半导体光集成器件(200)为将传播光的第一光元件(61)、监视用光波导(62)、第二光元件(63)形成于相同的半导体基板(1)的半导体光集成器件，监视用光波导(62)与第一光元件(61)连接，第二光元件(63)与监视用光波导(62)连接。监视用光波导(62)具有光散射部(7)，该光散射部(7)构成为，组合了具有不同的模场直径的光波导，使光的一部分散射，对由光散射部(7)散射后的散射光进行受光的光检测器(65)设置于监视用光波导(62)的外周或半导体基板(1)的与光散射部(7)相反侧的背面。
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公开(公告)号：CN111344915B
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN201780096748.8
申请日：2017-11-17
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 中村直干
Abstract: 半导体激光装置所具有的前端面以及后端面分别包含半导体基板的端部、第一导电型包层的端部、有源层的端部以及第二导电型包层的端部。前端面包含：谐振器端面部，其包含有源层的端部；以及凸出部，其与谐振器端面部相比向谐振器长度方向凸出预先设定的规定凸出量，凸出部具有台阶底面部。谐振器端面部与台阶底面部连接而形成角部。将从有源层的厚度中央位置至台阶底面部的距离作为底面部深度。底面部深度与预先确定的特定深度相同或者比该特定深度深。在将规定凸出量设为X、将底面部深度设为Y、将从谐振器端面部射出的激光的扩散角的半角设为β的情况下，以满足β>arctan(Y/X)的方式确定规定凸出量以及底面部深度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112438001B
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN201880095693.3
申请日：2018-07-31
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/227
Abstract: 本发明的半导体激光装置具备：脊(41)，依次层叠第一导电型包覆层(11)、活性层(20)以及第二导电型第一包覆层(30)而成并且顶部平坦；第一掩埋层(50)，将脊(41)的两侧掩埋至比第二导电型第一包覆层(30)高的位置；第二掩埋层(60)，覆盖第一掩埋层(50)，并且朝向脊(41)的中央方向以及脊(41)的顶部突出，由此将各突出的部分对置而形成的开口作为电流狭窄窗(61)；以及第二导电型第二包覆层(70)，将第二掩埋层(60)与电流狭窄窗(61)一起掩埋，成为脊(41)的顶部侧的第二掩埋层(60)的面形成为收敛在第二导电型第一包覆层(30)的面内。
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公开(公告)号：CN107492787B
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201710433669.3
申请日：2017-06-09
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/22
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够减小寄生电容且确保台面条带左右的中空部的激光器元件和激光器元件的制造方法。具有：脊部，其以条带状隆起；沟道部，其与该脊部相邻，从两侧夹着该脊部，高度低于该脊部；阶台部，其与该沟道部的与该脊部相反侧相邻，形成得比该沟道部高；支撑部，其设置于该沟道部之上，与该脊部的侧面和该阶台部的侧面中的至少一者分离地设置，由树脂形成；顶棚部，其具有第1部分和第2部分，由树脂形成，该第1部分设置于该支撑部之上，该第2部分与该第1部分相连，隔着中空部而位于该沟道部之上；以及金属层，其设置于该顶棚部之上，并且与该脊部的上表面连接。
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公开(公告)号：CN107666110A
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：CN201710633483.2
申请日：2017-07-28
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明的目的在于，得到一种能够抑制对接界面处的电流集中而使可靠性提高的光半导体装置。在n型半导体衬底(1)之上设置有n型包层(2)。在n型包层(2)之上设置有半导体激光器的有源层(3)和波导的波导层(4)。有源层(3)的侧面与波导层(4)的侧面相对。在有源层(3)及波导层(4)之上设置有p型包层(5)。中间层(8)设置于有源层(3)的侧面与波导层(4)的侧面之间及n型包层(2)与波导层(4)之间，没有设置于有源层(3)之上，带隙比波导层(4)的带隙大。
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公开(公告)号：CN107039881A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201710056430.9
申请日：2017-01-25
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/022
Abstract: 本发明涉及一种光半导体装置，涉及搭载半导体激光器、适于在高频下使用的光半导体装置，本发明的目的在于得到一种光半导体装置，其具有半导体激光器的后端面侧出射光难以触碰安装基板的构造。具有：半导体激光器，其在前端面侧将前端面侧出射光射出，在后端面侧将后端面侧出射光射出；以及安装基板，其在表面具有所述半导体激光器，所述后端面侧出射光是以与所述后端面相距越远则越远离所述安装基板的出射光轴而射出的。
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公开(公告)号：CN116491036A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202080106480.3
申请日：2020-11-06
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/024
Abstract: 本公开的光半导体装置具备：脊构造(5)，形成于第一导电型半导体基板(1)；埋入层(6)，埋入于脊构造(5)的两侧面；第二导电型第二包层(7)以及第二导电型接触层(8)，依次层叠于脊构造(5)的顶部和埋入层(6)的表面；台面构造(13)，由从第二导电型接触层(8)到达第一导电型半导体基板(1)的台面来形成两侧面；散热层(9)，设置于第二导电型接触层(8)的表面；台面保护膜(10)，覆盖台面构造(13)的两侧面以及第二导电型接触层(8)的表面的两端部；以及第二导电型侧电极(11)，与第二导电型接触层(8)电连接。
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