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公开(公告)号：CN1983612B
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：CN200610166709.4
申请日：2006-12-08
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L23/485 , H01L21/50 , H01L21/60
CPC classification number: H01L27/14618 , H01L27/14636 , H01L31/0203 , H01L2224/05001 , H01L2224/05008 , H01L2224/05024 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05548 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/10 , H01L2924/00014
Abstract: 一种半导体装置，在半导体基板(2)的表面上形成有光接收元件(1)(例如CCD、红外线传感器、CMOS传感器、照度传感器等光接收元件)。半导体基板(2)的背面配置多个球状的导电端子(11)。各个导电端子(11)经由配线层(9)而与半导体基板(2)的表面的焊盘电极(4)电气连接。在此，配线层(9)和导电端子(11)在所述半导体基板(2)的背面上、在垂直方向上看时除与光接收元件(1)的形成区域重叠的区域以外的区域上，在与所述光接收元件(1)的形成区域重叠的区域上不配置配线层(9)、导电端子(11)。从而能够解决输出图像上映入形成在半导体基板的背面上的配线图案这样的问题。
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公开(公告)号：CN1983612A
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200610166709.4
申请日：2006-12-08
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L23/485 , H01L21/50 , H01L21/60
CPC classification number: H01L27/14618 , H01L27/14636 , H01L31/0203 , H01L2224/05001 , H01L2224/05008 , H01L2224/05024 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05548 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/10 , H01L2924/00014
Abstract: 一种半导体装置，在半导体基板(2)的表面上形成有光接收元件(1)(例如CCD、红外线传感器、CMOS传感器、照度传感器等光接收元件)。半导体基板(2)的背面配置多个球状的导电端子(11)。各个导电端子(11)经由配线层(9)而与半导体基板(2)的表面的焊盘电极(4)电气连接。在此，配线层(9)和导电端子(11)在所述半导体基板(2)的背面上、在垂直方向上看时除与光接收元件(1)的形成区域重叠的区域以外的区域上，在与所述光接收元件(1)的形成区域重叠的区域上不配置配线层(9)、导电端子(11)。从而能够解决输出图像上映入形成在半导体基板的背面上的配线图案这样的问题。
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公开(公告)号：CN100524725C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200610004202.9
申请日：2006-01-28
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L23/522 , H01L23/485 , H01L21/768 , H01L21/60
CPC classification number: H01L21/76898 , H01L23/3114 , H01L24/10 , H01L24/13 , H01L27/14636 , H01L2224/0231 , H01L2224/0401 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05166 , H01L2224/05181 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/13 , H01L2224/13099 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01022 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/09701 , H01L2924/1434 , H01L2924/15788 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/013
Abstract: 一种半导体装置的制造方法，抑止半导体装置的腐蚀。本发明的半导体装置的制造方法具有如下工序，相对隔着第一绝缘膜(2)形成于半导体衬底(1)上的第一配线3，从上述半导体衬底背面蚀刻该半导体衬底(1)，形成使上述绝缘膜(2)露出的第一开口部(7)。其次，在对从上述第一开口(7)露出的上述绝缘膜(2)进行蚀刻而形成使上述第一配线(3)露出的第二开口(8)后，对上述半导体衬底(1)进行蚀刻，形成具有比上述第一开口(7)的开口直径宽的开口直径的第三开口(9)。然后，在介由上述第二及第三开口(8、9)在包含上述第一配线(3)的半导体衬底背面形成第二绝缘膜(10)后，对包覆上述第一配线(3)的第二绝缘膜(10)进行蚀刻。
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公开(公告)号：CN100501986C
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200710128252.2
申请日：2007-03-07
IPC: H01L23/485 , H01L25/00 , H01L21/60
CPC classification number: H01L2224/16145 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029
Abstract: 本发明涉及一种封装型半导体装置及其制造方法，可实现简化制造工序、降低成本、薄型化、小型化。在半导体基板(2)上形成器件(1)，形成与该器件(1)电连接的焊盘电极(4)。在半导体基板(2)的表面，通过粘接层(6)粘贴支承体(7)。而且，在与焊盘电极(4)对应的位置开设开口，形成覆盖半导体基板(2)的侧面及背面的保护层(11)。在保护层(11)上形成有该开口位置的焊盘电极(4)上，形成导电端子(12)。在半导体基板2的背面上不形成布线层或导电端子，形成导电端子(12)，使其与支承体(7)的外周部上，即半导体基板(2)的侧壁的外侧邻接。
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公开(公告)号：CN100466243C
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200610131718.X
申请日：2006-09-29
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L23/482 , H01L23/522 , H01L21/28 , H01L21/60 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/6835 , H01L21/76898 , H01L23/3114 , H01L23/562 , H01L23/564 , H01L2221/6834 , H01L2224/0392 , H01L2224/0401 , H01L2224/05001 , H01L2224/05022 , H01L2224/05024 , H01L2224/05124 , H01L2224/05548 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/13022 , H01L2224/13024 , H01L2224/16237 , H01L2924/01019 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/04941 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法，防止半导体装置的外部连接用的焊盘电极受到损伤。在半导体基板(1)上形成电子电路(30)、与电子电路(30)连接的第一焊盘电极(3)、与第一焊盘电极(3)连接的第二焊盘电极(4)。此外，形成覆盖第一焊盘电极(3)并且只在第二焊盘电极(4)上具有开口部的第一保护膜(5)。并且，形成通过贯通半导体基板(1)的通孔(8)连接在第一焊盘电极(3)的背面并从通孔(8)延伸到半导体基板(1)的背面的布线层(10)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1881573A
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：CN200610092671.0
申请日：2006-06-13
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L23/485 , H01L21/60 , H01L21/28
CPC classification number: H01L24/13 , H01L23/3192 , H01L24/11 , H01L2224/05001 , H01L2224/05022 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05568 , H01L2224/05644 , H01L2224/1191 , H01L2224/13022 , H01L2224/13099 , H01L2224/131 , H01L2224/13144 , H01L2924/0001 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/13091 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种半导体装置。其是可靠性高的BGA型的半导体装置。其具有：经由绝缘膜2、3形成在半导体衬底(1)之上的焊盘电极(4)；形成在上述焊盘电极(4)的表面上的镀敷层(7)；形成在上述镀敷层(7)的表面上并与上述焊盘电极电连接的导电端子(9)；覆盖上述绝缘膜(2、3)之上和上述焊盘电极(4)的侧端部而形成的第一钝化膜(5)。通过覆盖上述第一钝化膜(5)之上和上述镀敷层(7)和上述导电端子(9)的侧壁的一部分而形成第二钝化膜(10)，覆盖造成腐蚀的焊盘电极(4)的露出部(8)。
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公开(公告)号：CN100502022C
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200610166970.4
申请日：2006-12-15
IPC: H01L27/14 , H01L31/0203 , H01L31/0232
CPC classification number: H01L2224/02371 , H01L2224/0401 , H01L2224/13024
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其消除了形成在半导体基板反面上的配线图案被映入到输出图像中的问题。在受光元件(1)与配线层(10)之间形成有反射层(8)，其使从光透射性基板(6)通过半导体基板(2)而向配线层(10)方向射入的红外线不到达配线层(10)而被反射到受光元件(1)侧。反射层(8)被至少均匀地形成在受光元件(1)区域的下方，或是也可以仅形成在受光元件(1)区域的下方。并且，也可以不形成反射层(8)而是形成具有吸收射入的红外线而防止其透射的功能的反射防止层(30)。
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公开(公告)号：CN101170090A
公开(公告)日：2008-04-30
申请号：CN200710166886.7
申请日：2007-10-23
IPC: H01L23/485 , H01L21/60
CPC classification number: H01L23/3114 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/30 , H01L27/14618 , H01L27/14683 , H01L2224/0401 , H01L2224/05599 , H01L2224/13099 , H01L2224/29101 , H01L2224/2919 , H01L2924/0001 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/0105 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/09701 , H01L2924/10156 , H01L2924/15151 , H01L2924/15311 , H01L2924/00 , H01L2924/3512
Abstract: 本发明的目的在于提供一种可靠性高，且可实现更加小型化装置的封装型半导体装置及其制造方法。首先，准备半导体基板(2)，该半导体基板(2)的表面上形成有器件元件(1)和焊盘电极(4)。接着，从半导体基板(2)的背面侧有选择地进行蚀刻，形成开口部(8)。然后，形成覆盖半导体基板(2)的侧面及背面的第二绝缘膜(9)。接着，有选择地除去开口部(8)底部的第一及第二绝缘膜(3、9)，使焊盘电极(4)部分露出。然后，沿半导体基板(2)的侧面形成与露出的焊盘电极(4)电连接的配线层(10)。接着，形成覆盖配线层(10)的电极连接层(11)。然后，形成覆盖半导体基板(2)的背面侧、并在侧壁电极形成区域具有开口部的保护层(12)。最后，在保护层(12)的开口露出的区域形成侧壁电极(13)。
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公开(公告)号：CN1941340A
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200610131718.X
申请日：2006-09-29
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L23/482 , H01L23/522 , H01L21/28 , H01L21/60 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/6835 , H01L21/76898 , H01L23/3114 , H01L23/562 , H01L23/564 , H01L2221/6834 , H01L2224/0392 , H01L2224/0401 , H01L2224/05001 , H01L2224/05022 , H01L2224/05024 , H01L2224/05124 , H01L2224/05548 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/13022 , H01L2224/13024 , H01L2224/16237 , H01L2924/01019 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/04941 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法，防止半导体装置的外部连接用的焊盘电极受到损伤。在半导体基板(1)上形成电子电路(30)、与电子电路(30)连接的第一焊盘电极(3)、与第一焊盘电极(3)连接的第二焊盘电极(4)。此外，形成覆盖第一焊盘电极(3)并且只在第二焊盘电极(4)上具有开口部的第一保护膜(5)。并且，形成通过贯通半导体基板(1)的通孔(8)连接在第一焊盘电极(3)的背面并从通孔(8)延伸到半导体基板(1)的背面的布线层(10)。
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公开(公告)号：CN1881572A
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：CN200610091292.X
申请日：2006-06-08
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L23/485 , H01L21/60 , H01L21/28
CPC classification number: H01L23/3192 , H01L23/3114 , H01L23/3171 , H01L24/11 , H01L24/12 , H01L2224/05001 , H01L2224/05022 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05567 , H01L2224/05644 , H01L2224/1132 , H01L2224/1147 , H01L2224/13099 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/12044 , H01L2924/13091 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明涉及一种半导体装置。其是可靠性高的BGA型的半导体装置。其具有：形成在半导体衬底(1)之上的焊盘电极(4)；覆盖该焊盘电极(4)的端部并在上述焊盘电极(4)之上具有第一开口部(6)的第一钝化膜(5)；经由上述第一开口部(6)而形成在上述焊盘电极(4)之上的镀敷层(7)；覆盖上述第一钝化膜(5)的端和上述镀敷层(7)之间的上述焊盘电极(4)的露出部(8)且进而覆盖上述镀敷层(7)的端部并在上述镀敷层(7)上具有第二开口部(10)的第二钝化膜(9)；经由第二开口部(10)而形成在上述镀敷层(7)上的导电端子(11)。
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