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公开(公告)号：CN100501986C
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200710128252.2
申请日：2007-03-07
IPC: H01L23/485 , H01L25/00 , H01L21/60
CPC classification number: H01L2224/16145 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029
Abstract: 本发明涉及一种封装型半导体装置及其制造方法，可实现简化制造工序、降低成本、薄型化、小型化。在半导体基板(2)上形成器件(1)，形成与该器件(1)电连接的焊盘电极(4)。在半导体基板(2)的表面，通过粘接层(6)粘贴支承体(7)。而且，在与焊盘电极(4)对应的位置开设开口，形成覆盖半导体基板(2)的侧面及背面的保护层(11)。在保护层(11)上形成有该开口位置的焊盘电极(4)上，形成导电端子(12)。在半导体基板2的背面上不形成布线层或导电端子，形成导电端子(12)，使其与支承体(7)的外周部上，即半导体基板(2)的侧壁的外侧邻接。
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公开(公告)号：CN100546021C
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：CN200710166886.7
申请日：2007-10-23
IPC: H01L23/485 , H01L21/60
CPC classification number: H01L23/3114 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/30 , H01L27/14618 , H01L27/14683 , H01L2224/0401 , H01L2224/05599 , H01L2224/13099 , H01L2224/29101 , H01L2224/2919 , H01L2924/0001 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/0105 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/09701 , H01L2924/10156 , H01L2924/15151 , H01L2924/15311 , H01L2924/00 , H01L2924/3512
Abstract: 本发明的目的在于提供一种可靠性高，且可实现更加小型化装置的封装型半导体装置及其制造方法。首先，准备半导体基板(2)，该半导体基板(2)的表面上形成有器件元件(1)和焊盘电极(4)。接着，从半导体基板(2)的背面侧有选择地进行蚀刻，形成开口部(8)。然后，形成覆盖半导体基板(2)的侧面及背面的第二绝缘膜(9)。接着，有选择地除去开口部(8)底部的第一及第二绝缘膜(3、9)，使焊盘电极(4)部分露出。然后，沿半导体基板(2)的侧面形成与露出的焊盘电极(4)电连接的配线层(10)。接着，形成覆盖配线层(10)的电极连接层(11)。然后，形成覆盖半导体基板(2)的背面侧、并在侧壁电极形成区域具有开口部的保护层(12)。最后，在保护层(12)的开口露出的区域形成侧壁电极(13)。
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公开(公告)号：CN101083241A
公开(公告)日：2007-12-05
申请号：CN200710128252.2
申请日：2007-03-07
IPC: H01L23/485 , H01L25/00 , H01L21/60
CPC classification number: H01L2224/16145 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029
Abstract: 本发明涉及一种封装型半导体装置及其制造方法，可实现简化制造工序、降低成本、薄型化、小型化。在半导体基板(2)上形成器件(1)，形成与该器件(1)电连接的焊盘电极(4)。在半导体基板(2)的表面，通过粘接层(6)粘贴支承体(7)。而且，在与焊盘电极(4)对应的位置开设开口，形成覆盖半导体基板(2)的侧面及背面的保护层(11)。在保护层(11)上形成有该开口位置的焊盘电极(4)上，形成导电端子(12)。在半导体基板2的背面上不形成布线层或导电端子，形成导电端子(12)，使其与支承体(7)的外周部上，即半导体基板(2)的侧壁的外侧邻接。
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公开(公告)号：CN101038926A
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN200610166970.4
申请日：2006-12-15
IPC: H01L27/14 , H01L31/0203 , H01L31/0232
CPC classification number: H01L2224/02371 , H01L2224/0401 , H01L2224/13024
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其消除了形成在半导体基板反面上的配线图案被映入到输出图像中的问题。在受光元件(1)与配线层(10)之间形成有反射层(8)，其使从光透射性基板(6)通过半导体基板(2)而向配线层(10)方向射入的红外线不到达配线层(10)而被反射到受光元件(1)侧。反射层(8)被至少均匀地形成在受光元件(1)区域的下方，或是也可以仅形成在受光元件(1)区域的下方。并且，也可以不形成反射层(8)而是形成具有吸收射入的红外线而防止其透射的功能的反射防止层(30)。
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公开(公告)号：CN100502022C
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200610166970.4
申请日：2006-12-15
IPC: H01L27/14 , H01L31/0203 , H01L31/0232
CPC classification number: H01L2224/02371 , H01L2224/0401 , H01L2224/13024
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其消除了形成在半导体基板反面上的配线图案被映入到输出图像中的问题。在受光元件(1)与配线层(10)之间形成有反射层(8)，其使从光透射性基板(6)通过半导体基板(2)而向配线层(10)方向射入的红外线不到达配线层(10)而被反射到受光元件(1)侧。反射层(8)被至少均匀地形成在受光元件(1)区域的下方，或是也可以仅形成在受光元件(1)区域的下方。并且，也可以不形成反射层(8)而是形成具有吸收射入的红外线而防止其透射的功能的反射防止层(30)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101170090A
公开(公告)日：2008-04-30
申请号：CN200710166886.7
申请日：2007-10-23
IPC: H01L23/485 , H01L21/60
CPC classification number: H01L23/3114 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/30 , H01L27/14618 , H01L27/14683 , H01L2224/0401 , H01L2224/05599 , H01L2224/13099 , H01L2224/29101 , H01L2224/2919 , H01L2924/0001 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/0105 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/09701 , H01L2924/10156 , H01L2924/15151 , H01L2924/15311 , H01L2924/00 , H01L2924/3512
Abstract: 本发明的目的在于提供一种可靠性高，且可实现更加小型化装置的封装型半导体装置及其制造方法。首先，准备半导体基板(2)，该半导体基板(2)的表面上形成有器件元件(1)和焊盘电极(4)。接着，从半导体基板(2)的背面侧有选择地进行蚀刻，形成开口部(8)。然后，形成覆盖半导体基板(2)的侧面及背面的第二绝缘膜(9)。接着，有选择地除去开口部(8)底部的第一及第二绝缘膜(3、9)，使焊盘电极(4)部分露出。然后，沿半导体基板(2)的侧面形成与露出的焊盘电极(4)电连接的配线层(10)。接着，形成覆盖配线层(10)的电极连接层(11)。然后，形成覆盖半导体基板(2)的背面侧、并在侧壁电极形成区域具有开口部的保护层(12)。最后，在保护层(12)的开口露出的区域形成侧壁电极(13)。
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公开(公告)号：CN1983612B
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：CN200610166709.4
申请日：2006-12-08
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L23/485 , H01L21/50 , H01L21/60
CPC classification number: H01L27/14618 , H01L27/14636 , H01L31/0203 , H01L2224/05001 , H01L2224/05008 , H01L2224/05024 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05548 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/10 , H01L2924/00014
Abstract: 一种半导体装置，在半导体基板(2)的表面上形成有光接收元件(1)(例如CCD、红外线传感器、CMOS传感器、照度传感器等光接收元件)。半导体基板(2)的背面配置多个球状的导电端子(11)。各个导电端子(11)经由配线层(9)而与半导体基板(2)的表面的焊盘电极(4)电气连接。在此，配线层(9)和导电端子(11)在所述半导体基板(2)的背面上、在垂直方向上看时除与光接收元件(1)的形成区域重叠的区域以外的区域上，在与所述光接收元件(1)的形成区域重叠的区域上不配置配线层(9)、导电端子(11)。从而能够解决输出图像上映入形成在半导体基板的背面上的配线图案这样的问题。
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公开(公告)号：CN1983612A
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200610166709.4
申请日：2006-12-08
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L23/485 , H01L21/50 , H01L21/60
CPC classification number: H01L27/14618 , H01L27/14636 , H01L31/0203 , H01L2224/05001 , H01L2224/05008 , H01L2224/05024 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05548 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/10 , H01L2924/00014
Abstract: 一种半导体装置，在半导体基板(2)的表面上形成有光接收元件(1)(例如CCD、红外线传感器、CMOS传感器、照度传感器等光接收元件)。半导体基板(2)的背面配置多个球状的导电端子(11)。各个导电端子(11)经由配线层(9)而与半导体基板(2)的表面的焊盘电极(4)电气连接。在此，配线层(9)和导电端子(11)在所述半导体基板(2)的背面上、在垂直方向上看时除与光接收元件(1)的形成区域重叠的区域以外的区域上，在与所述光接收元件(1)的形成区域重叠的区域上不配置配线层(9)、导电端子(11)。从而能够解决输出图像上映入形成在半导体基板的背面上的配线图案这样的问题。
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公开(公告)号：CN101064270A
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN200610162594.1
申请日：2003-10-30
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/60 , H01L21/28
CPC classification number: H01L21/6835 , H01L21/76898 , H01L23/3114 , H01L23/3185 , H01L23/481 , H01L24/10 , H01L2221/6834 , H01L2221/68377 , H01L2224/05001 , H01L2224/05008 , H01L2224/05548 , H01L2224/05569 , H01L2224/16 , H01L2924/01019 , H01L2924/01057 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/1305 , H01L2924/00 , H01L2224/05644 , H01L2924/00014 , H01L2224/05655 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147
Abstract: 本发明提供提高具有球状导电端子的BGA型半导体器件成品率和可靠性的制造方法。该方法在形成了第一配线(3)的半导体晶片(1a)表面通过树脂(5a)粘接第一玻璃衬底(4)。在半导体晶片(1a)的背面通过树脂(5b)粘接第二玻璃衬底(6)。对第一玻璃衬底(4)的一部分进行刻蚀，形成V字形槽(VG)。之后，形成与第一配线(3)连接并在第二玻璃衬底(6)的表面上延伸的第二配线(8)。再通过喷涂在第二配线8上形成由有机树脂构成的保护膜(9)、以及形成用于在保护膜(9)上设置开口部(K)的抗蚀剂层(R)。之后使用保护膜(9)作为焊料掩模、通过丝网印刷形成导电端子(10)。此外，也可以在第二玻璃衬底(6)上通过喷涂形成缓冲部件(7)。
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公开(公告)号：CN101064270B
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN200610162594.1
申请日：2003-10-30
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/60 , H01L21/28
CPC classification number: H01L21/6835 , H01L21/76898 , H01L23/3114 , H01L23/3185 , H01L23/481 , H01L24/10 , H01L2221/6834 , H01L2221/68377 , H01L2224/05001 , H01L2224/05008 , H01L2224/05548 , H01L2224/05569 , H01L2224/16 , H01L2924/01019 , H01L2924/01057 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/1305 , H01L2924/00 , H01L2224/05644 , H01L2924/00014 , H01L2224/05655 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147
Abstract: 本发明提供提高具有球状导电端子的BGA型半导体器件成品率和可靠性的制造方法。该方法在形成了第一配线(3)的半导体晶片(1a)表面通过树脂(5a)粘接第一玻璃衬底(4)。在半导体晶片(1a)的背面通过树脂(5b)粘接第二玻璃衬底(6)。对第一玻璃衬底(4)的一部分进行刻蚀，形成V字形槽(VG)。之后，形成与第一配线(3)连接并在第二玻璃衬底(6)的表面上延伸的第二配线(8)。再通过喷涂在第二配线8上形成由有机树脂构成的保护膜(9)、以及形成用于在保护膜(9)上设置开口部(K)的抗蚀剂层R)。之后使用保护膜(9)作为焊料掩模、通过丝网印刷形成导电端子(10)。此外，也可以在第二玻璃衬底(6)上通过喷涂形成缓冲部件(7)。
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