公开(公告)号：CN101304015B

公开(公告)日：2012-11-07

申请号：CN200810088783.8

申请日：2008-05-07

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 野间崇 ,  篠木裕之 ,  大久保登

IPC: H01L23/485 ,  H01L25/00 ,  H01L21/60 ,  H01L21/50 ,  H01L21/58 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L2224/11

Abstract: 本发明提供一种耐湿性提高的半导体装置及其制造方法，且提供一种能将制造工序简略化、提高生产性的半导体装置的制造方法。本发明通过将半导体芯片等的侧面部等由厚的保护层覆盖而提供一种能防止水分等侵入的、可靠性高的CSP结构等的半导体装置及其制造方法。提供这样的生产性高的半导体装置的制造方法，通过从贴附在半导体芯片上的支承体背面侧来蚀刻支承体，能不经过切割工序而分割半导体装置。

公开(公告)号：CN101174572B

公开(公告)日：2010-12-15

申请号：CN200710197182.6

申请日：2004-08-06

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  关东三洋半导体股份有限公司

Inventor： 野间崇 ,  北川胜彦 ,  大塚久夫 ,  铃木彰 ,  关嘉则 ,  高尾幸弘 ,  山口惠一 ,  和久井元明 ,  饭田正则

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/485

CPC classification number: H01L2224/13

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，其谋求改善由芯片尺寸封装件构成的半导体装置的制造方法，提高成品率和可靠性。在半导体基板(302)上仅在第一配线(301)存在的区域形成能露出第一配线的窗口(303)。由此通过增大半导体基板(302)与未图示的玻璃基板介由绝缘膜和树脂粘接的区域，防止发生裂纹和剥离。而且窗口(303)形成后，沿切割线形成切口(30)，再把该切口用保护膜覆盖后进行用于分离半导体装置成各个半导体芯片的切割。因此，能极力抑制由刀片的接触导致的分离的半导体芯片的断面和边缘部剥离。

公开(公告)号：CN100546038C

公开(公告)日：2009-09-30

申请号：CN200610103193.9

申请日：2006-07-07

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 野间崇

IPC: H01L27/14 ,  H01L27/148 ,  H01L23/48 ,  H01L21/82 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L2224/10 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014

Abstract: 一种搭载有感光元件的背面射入型半导体装置及其制造方法，不增加制造成本而谋求其性能的提高。在形成有感光元件(11)及其焊盘电极(13)的半导体基板(10)的表面上粘接支承体(15)。然后，蚀刻支承体(15)，形成贯通支承体(15)而露出焊盘电极(13)的通孔(16)。之后，形成与焊盘电极(13)连接，通过通孔(16)并在支承体(15)表面延伸的配线(17)。最后，通过切割将半导体基板(10)分离成多个半导体芯片(10A)。该半导体装置使支承体(15)和电路基板(30)相对而进行安装。

公开(公告)号：CN100456428C

公开(公告)日：2009-01-28

申请号：CN200510106862.3

申请日：2005-09-26

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 野间崇 ,  冈田和央 ,  山田紘士 ,  饭田正则

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L24/12 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3114 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014

Abstract: 一种半导体装置的制造方法，在芯片尺寸封装型半导体装置的制造方法中，提高其可靠性。在半导体衬底(10)的表面介由第一绝缘膜(11)形成支承体(14)。然后，将半导体衬底(10)的一部分从该背面选择性地进行蚀刻而形成开口部(10w)后，在该背面形成第二绝缘膜(17)。然后，选择性地蚀刻开口部(10w)的底部的第一绝缘膜(11)及第二绝缘膜(16)，露出该开口部(10w)的底部的焊盘电极(12)。然后，在从半导体衬底(10)的背面到位于开口部(10w)的侧壁和底部的边界的第二绝缘膜上，选择性地形成有第三抗蚀层(18)。之后，按照规定的图案，选择性地形成与开口部(10w)的底部的焊盘电极(12)电连接，并在半导体衬底(10)的背面上延伸的配线层(19)。

公开(公告)号：CN1988133A

公开(公告)日：2007-06-27

申请号：CN200610171222.5

申请日：2006-12-21

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 野间崇

IPC: H01L21/82 ,  H01L27/146 ,  H01L23/48 ,  H04N5/225

CPC classification number: H01L27/14618 ,  H01L23/3164 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L27/14687 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/06154 ,  H01L2224/10125 ,  H01L2224/1131 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1148 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/14135 ,  H01L2224/14154 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/81141 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15788 ,  H04N5/2257 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种封装型半导体装置及其制造方法，其谋求不使制造工序复杂化而提高可靠性及成品率。在形成平头电极(4)的半导体基板(2)的表面形成树脂层(6)及支承体(7)。蚀刻除去树脂层(6)及支承体(7)而露出平头电极(4)。如图3(c)所示，该蚀刻同时除去隔着切割线DL相向的两个导电端子形成区域(9)和其间连续区域上的支承体(7)，而形成开口部(10)。之后，在开口部(10)露出的平头电极(4)上，形成金属层(11)，进而形成导电端子(12)。最后，通过沿切割线DL切割而将半导体基板(2)分割为各个半导体芯片。

公开(公告)号：CN1664991A

公开(公告)日：2005-09-07

申请号：CN200510053022.5

申请日：2005-03-04

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  关东三洋半导体股份有限公司

Inventor： 野间崇 ,  关嘉则 ,  和久井元明

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L21/78 ,  H01L21/561 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/544 ,  H01L24/10 ,  H01L24/13 ,  H01L24/97 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2223/5448 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/051 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，在制造粘贴支承体构成的半导体装置时的切削工序中谋求切削精度的提高。本发明的半导体装置的制造方法具有使刀片沿切割区域(60)移动切削粘贴了玻璃衬底(14)的半导体晶片(10)的工序，其具有以下特征。即，在半导体晶片(10)上的切割区域(60)的两侧形成相互相对的一对对准标记(51a)、(51b)。而且，在切削工序中，在使旋转刀片的位置与切割区域(60)的中心即中心线(61)对准时，利用识别相机检测对准标记(51a)、(51b)的位置，基于该检测结果求出中心线(61)，将旋转刀片的位置对准在该中心线(61)上进行切割。

公开(公告)号：CN1507020A

公开(公告)日：2004-06-23

申请号：CN200310120292.4

申请日：2003-12-12

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 野间崇

IPC: H01L21/50

CPC classification number: H01L24/10 ,  H01L21/4846 ,  H01L23/3114 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/05124

Abstract: 一种半导体装置的制造方法，谋求具有球状导电端子的BGA型半导体装置的成品率和可靠性的提高。由多个销21支承存在弯曲的半导体晶片1a，并形成自加热的载物台20分开的状态。而后，使用半导体晶片1a上方配置的IR加热器45、与半导体晶片1a的侧面相对的侧面加热器47加热，在半导体晶片1a整体照射相同的热辐射。由此，半导体晶片1a上多个导电端子9的反流焊接被均匀地进行，其形状也均匀地形成。

公开(公告)号：CN101064270B

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：CN200610162594.1

申请日：2003-10-30

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 野间崇 ,  筱木裕之 ,  铃木彰 ,  关嘉则 ,  久原孝一 ,  高尾幸弘 ,  山田纮士

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/60 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/6835 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3185 ,  H01L23/481 ,  H01L24/10 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147

Abstract: 本发明提供提高具有球状导电端子的BGA型半导体器件成品率和可靠性的制造方法。该方法在形成了第一配线(3)的半导体晶片(1a)表面通过树脂(5a)粘接第一玻璃衬底(4)。在半导体晶片(1a)的背面通过树脂(5b)粘接第二玻璃衬底(6)。对第一玻璃衬底(4)的一部分进行刻蚀，形成V字形槽(VG)。之后，形成与第一配线(3)连接并在第二玻璃衬底(6)的表面上延伸的第二配线(8)。再通过喷涂在第二配线8上形成由有机树脂构成的保护膜(9)、以及形成用于在保护膜(9)上设置开口部(K)的抗蚀剂层R)。之后使用保护膜(9)作为焊料掩模、通过丝网印刷形成导电端子(10)。此外，也可以在第二玻璃衬底(6)上通过喷涂形成缓冲部件(7)。

公开(公告)号：CN101276807B

公开(公告)日：2011-03-16

申请号：CN200710185779.9

申请日：2007-12-27

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 野间崇

IPC: H01L25/00 ,  H01L25/16 ,  H01L23/10 ,  H01L31/12 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L21/78 ,  B81C1/00 ,  B81B7/00 ,  B81B7/02

CPC classification number: H01L31/167 ,  B81C1/0023 ,  B81C2201/019 ,  H01L23/481 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/167 ,  H01L31/1804 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/351 ,  Y02E10/547 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种可靠性高，能实现更小型装置的半导体装置及其制造方法。在半导体衬底(1)的表面上形成例如发光元件作为器件元件。具体地说，半导体衬底(1)的表面上形成N型半导体层(2)、P型半导体层(3)、以及焊盘电极(4、5)。半导体衬底(11)的表面上形成例如接收上述发光元件发出的光的器件元件(10)(例如光电二极管元件)和焊盘电极(13)作为器件元件。半导体衬底(1)和半导体衬底(11)通过粘接层(15)进行胶合并一体化。沿着半导体衬底(11)的侧面，形成与焊盘电极(13)电连接的布线层(18)，和与焊盘电极(4、5)电连接的布线层(19)。

公开(公告)号：CN100536111C

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200610171222.5

申请日：2006-12-21

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 野间崇

IPC: H01L21/82 ,  H01L27/146 ,  H01L23/48 ,  H04N5/225

CPC classification number: H01L27/14618 ,  H01L23/3164 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L27/14687 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/06154 ,  H01L2224/10125 ,  H01L2224/1131 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1148 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/14135 ,  H01L2224/14154 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/81141 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15788 ,  H04N5/2257 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种封装型半导体装置及其制造方法，其谋求不使制造工序复杂化而提高可靠性及成品率。在形成平头电极(4)的半导体基板(2)的表面形成树脂层(6)及支承体(7)。蚀刻除去树脂层(6)及支承体(7)而露出平头电极(4)。如图3(c)所示，该蚀刻同时除去隔着切割线DL相向的两个导电端子形成区域(9)和其间连续区域上的支承体(7)，而形成开口部(10)。之后，在开口部(10)露出的平头电极(4)上，形成金属层(11)，进而形成导电端子(12)。最后，通过沿切割线DL切割而将半导体基板(2)分割为各个半导体芯片。