公开(公告)号：CN101170090A

公开(公告)日：2008-04-30

申请号：CN200710166886.7

申请日：2007-10-23

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 森田佑一 ,  野间崇 ,  窱木裕之 ,  石部真三 ,  北川胜彦 ,  大久保登 ,  冈田和央 ,  山田纮士

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/3114 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/30 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14683 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10156 ,  H01L2924/15151 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512

Abstract: 本发明的目的在于提供一种可靠性高，且可实现更加小型化装置的封装型半导体装置及其制造方法。首先，准备半导体基板(2)，该半导体基板(2)的表面上形成有器件元件(1)和焊盘电极(4)。接着，从半导体基板(2)的背面侧有选择地进行蚀刻，形成开口部(8)。然后，形成覆盖半导体基板(2)的侧面及背面的第二绝缘膜(9)。接着，有选择地除去开口部(8)底部的第一及第二绝缘膜(3、9)，使焊盘电极(4)部分露出。然后，沿半导体基板(2)的侧面形成与露出的焊盘电极(4)电连接的配线层(10)。接着，形成覆盖配线层(10)的电极连接层(11)。然后，形成覆盖半导体基板(2)的背面侧、并在侧壁电极形成区域具有开口部的保护层(12)。最后，在保护层(12)的开口露出的区域形成侧壁电极(13)。

公开(公告)号：CN100546021C

公开(公告)日：2009-09-30

申请号：CN200710166886.7

申请日：2007-10-23

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 森田佑一 ,  野间崇 ,  窱木裕之 ,  石部真三 ,  北川胜彦 ,  大久保登 ,  冈田和央 ,  山田纮士

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/3114 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/30 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14683 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10156 ,  H01L2924/15151 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512

Abstract: 本发明的目的在于提供一种可靠性高，且可实现更加小型化装置的封装型半导体装置及其制造方法。首先，准备半导体基板(2)，该半导体基板(2)的表面上形成有器件元件(1)和焊盘电极(4)。接着，从半导体基板(2)的背面侧有选择地进行蚀刻，形成开口部(8)。然后，形成覆盖半导体基板(2)的侧面及背面的第二绝缘膜(9)。接着，有选择地除去开口部(8)底部的第一及第二绝缘膜(3、9)，使焊盘电极(4)部分露出。然后，沿半导体基板(2)的侧面形成与露出的焊盘电极(4)电连接的配线层(10)。接着，形成覆盖配线层(10)的电极连接层(11)。然后，形成覆盖半导体基板(2)的背面侧、并在侧壁电极形成区域具有开口部的保护层(12)。最后，在保护层(12)的开口露出的区域形成侧壁电极(13)。