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公开(公告)号：CN1459872A
公开(公告)日：2003-12-03
申请号：CN03109540.2
申请日：2003-04-09
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L23/50 , H01L23/28 , H01L23/12
CPC classification number: H01L24/12 , H01L23/3114 , H01L24/03 , H01L24/11 , H01L2224/0231 , H01L2224/0401 , H01L2224/13099 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01023 , H01L2924/01033 , H01L2924/01082 , H01L2924/05042 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体集成装置及其制造方法，其中，在形成CCD图像传感器的半导体芯片(100)和将该半导体芯片与图中未示出的玻璃基板贴合在一起的环氧树脂(310)上，形成硅氧化膜(120)。并且，在该硅氧化膜(120)上，形成有通过外部布线(410)连接外部端子与形成在半导体芯片(100)上的所述CCD图像传感器的内部结合片(140)。该内部结合片(140)与线宽小于该内部结合片(140)的电极宽度的内部布线(150)连接。该内部结合片(140)形成为向半导体芯片(100)的上方突出。从而可以缓和在半导体集成装置内布线上产生的应力的集中，确保高的电可靠性。
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公开(公告)号：CN100502022C
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200610166970.4
申请日：2006-12-15
IPC: H01L27/14 , H01L31/0203 , H01L31/0232
CPC classification number: H01L2224/02371 , H01L2224/0401 , H01L2224/13024
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其消除了形成在半导体基板反面上的配线图案被映入到输出图像中的问题。在受光元件(1)与配线层(10)之间形成有反射层(8)，其使从光透射性基板(6)通过半导体基板(2)而向配线层(10)方向射入的红外线不到达配线层(10)而被反射到受光元件(1)侧。反射层(8)被至少均匀地形成在受光元件(1)区域的下方，或是也可以仅形成在受光元件(1)区域的下方。并且，也可以不形成反射层(8)而是形成具有吸收射入的红外线而防止其透射的功能的反射防止层(30)。
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公开(公告)号：CN1219326C
公开(公告)日：2005-09-14
申请号：CN03109540.2
申请日：2003-04-09
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L23/50 , H01L23/28 , H01L23/12
CPC classification number: H01L24/12 , H01L23/3114 , H01L24/03 , H01L24/11 , H01L2224/0231 , H01L2224/0401 , H01L2224/13099 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01023 , H01L2924/01033 , H01L2924/01082 , H01L2924/05042 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体集成装置及其制造方法，其中，在形成CCD图像传感器的半导体芯片(100)和将该半导体芯片与图中未示出的玻璃基板贴合在一起的环氧树脂(310)上，形成硅氧化膜(120)。并且，在该硅氧化膜(120)上，形成有通过外部布线(410)连接外部端子与形成在半导体芯片(100)上的所述CCD图像传感器的内部结合片(140)。该内部结合片(140)与线宽小于该内部结合片(140)的电极宽度的内部布线(150)连接。该内部结合片(140)形成为向半导体芯片(100)的上方突出。从而可以缓和在半导体集成装置内布线上产生的应力的集中，确保高的电可靠性。
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公开(公告)号：CN100470781C
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200610074701.5
申请日：2003-04-23
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L23/485 , H01L23/12 , H01L21/60 , H01L21/28
CPC classification number: H01L2224/11
Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，在半导体芯片(2)的表面上形成绝缘膜(6a)，在其绝缘膜(6a)上形成第1布线(5a)。在半导体芯片(2)的表面上粘接玻璃基板(3)，在半导体芯片(3)的侧面以及背面覆盖绝缘膜(16a)。然后，设置与第1布线(5a)的侧面连接、并在半导体芯片(2)的背面上延伸的第2布线(9a)。并且，在第2布线(9a)上形成凸点焊盘等导电端子(8)。从而，可以降低具有球状导电端子的BGA(ballGrid Array)型的半导体装置的成本并提高其可靠性。
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公开(公告)号：CN100466248C
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200410082561.7
申请日：2004-09-20
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L23/552 , H01L23/48 , H01L21/50 , H01L21/00
CPC classification number: H01L24/12 , H01L23/3114 , H01L23/481 , H01L24/02 , H01L24/11 , H01L2224/0231 , H01L2224/0401 , H01L2224/13099 , H01L2924/01004 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01074 , H01L2924/014 , H01L2924/05042 , H01L2924/15788 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种能够简化制造工序的半导体装置。该半导体装置具有：与包含电路的半导体芯片的上面接触地形成的、由单一材料构成的第1绝缘膜；与第1绝缘膜的上面接触地形成的第1布线；从半导体芯片的侧面沿下面延伸地形成的、连接在通过去除第1绝缘膜的一部分而露出的第1布线的下面的第2布线。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101038926A
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN200610166970.4
申请日：2006-12-15
IPC: H01L27/14 , H01L31/0203 , H01L31/0232
CPC classification number: H01L2224/02371 , H01L2224/0401 , H01L2224/13024
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其消除了形成在半导体基板反面上的配线图案被映入到输出图像中的问题。在受光元件(1)与配线层(10)之间形成有反射层(8)，其使从光透射性基板(6)通过半导体基板(2)而向配线层(10)方向射入的红外线不到达配线层(10)而被反射到受光元件(1)侧。反射层(8)被至少均匀地形成在受光元件(1)区域的下方，或是也可以仅形成在受光元件(1)区域的下方。并且，也可以不形成反射层(8)而是形成具有吸收射入的红外线而防止其透射的功能的反射防止层(30)。
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公开(公告)号：CN1855469A
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：CN200610074701.5
申请日：2003-04-23
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L23/485 , H01L23/12 , H01L21/60 , H01L21/28
CPC classification number: H01L2224/11
Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，在半导体芯片(2)的表面上形成绝缘膜(6a)，在其绝缘膜(6a)上形成第1布线(5a)。在半导体芯片(2)的表面上粘接玻璃基板(3)，在半导体芯片(3)的侧面以及背面覆盖绝缘膜(16a)。然后，设置与第1布线(5a)的侧面连接、并在半导体芯片(2)的背面上延伸的第2布线(9a)。并且，在第2布线(9a)上形成凸点焊盘等导电端子(8)。从而，可以降低具有球状导电端子的BGA(ball Grid Array)型的半导体装置的成本并提高其可靠性。
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公开(公告)号：CN1601743A
公开(公告)日：2005-03-30
申请号：CN200410082561.7
申请日：2004-09-20
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L23/552 , H01L23/48 , H01L21/50 , H01L21/00
CPC classification number: H01L24/12 , H01L23/3114 , H01L23/481 , H01L24/02 , H01L24/11 , H01L2224/0231 , H01L2224/0401 , H01L2224/13099 , H01L2924/01004 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01074 , H01L2924/014 , H01L2924/05042 , H01L2924/15788 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种能够简化制造工序的半导体装置。该半导体装置具有：与包含电路的半导体芯片的上面接触地形成的、由单一材料构成的第1绝缘膜；与第1绝缘膜的上面接触地形成的第1布线；从半导体芯片的侧面沿下面延伸地形成的、连接在通过去除第1绝缘膜的一部分而露出的第1布线的下面的第2布线。
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公开(公告)号：CN1453865A
公开(公告)日：2003-11-05
申请号：CN03122991.3
申请日：2003-04-23
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L24/10 , H01L23/3114 , H01L24/13 , H01L2224/05548 , H01L2224/05556 , H01L2224/05573 , H01L2224/13 , H01L2224/13099 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01021 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01057 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，在半导体芯片(2)的表面上形成绝缘膜(6a)，在其绝缘膜(6a)上形成第1布线(5a)。在半导体芯片(2)的表面上粘接玻璃基板(3)，在半导体芯片(3)的侧面以及背面覆盖绝缘膜(16a)。然后，设置与第1布线(5a)的侧面连接、并在半导体芯片(2)的背面上延伸的第2布线(9a)。并且，在第2布线(9a)上形成凸点焊盘等导电端子(8)。从而，可以降低具有球状导电端子的BGA(ball Grid Array)型的半导体装置的成本并提高其可靠性。
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公开(公告)号：CN1983612B
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：CN200610166709.4
申请日：2006-12-08
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L23/485 , H01L21/50 , H01L21/60
CPC classification number: H01L27/14618 , H01L27/14636 , H01L31/0203 , H01L2224/05001 , H01L2224/05008 , H01L2224/05024 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05548 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/10 , H01L2924/00014
Abstract: 一种半导体装置，在半导体基板(2)的表面上形成有光接收元件(1)(例如CCD、红外线传感器、CMOS传感器、照度传感器等光接收元件)。半导体基板(2)的背面配置多个球状的导电端子(11)。各个导电端子(11)经由配线层(9)而与半导体基板(2)的表面的焊盘电极(4)电气连接。在此，配线层(9)和导电端子(11)在所述半导体基板(2)的背面上、在垂直方向上看时除与光接收元件(1)的形成区域重叠的区域以外的区域上，在与所述光接收元件(1)的形成区域重叠的区域上不配置配线层(9)、导电端子(11)。从而能够解决输出图像上映入形成在半导体基板的背面上的配线图案这样的问题。
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