公开(公告)号：CN1971351A

公开(公告)日：2007-05-30

申请号：CN200610146763.2

申请日：2006-11-22

Applicant: 东进世美肯株式会社

Inventor： 李骐范 ,  曹三永 ,  申贤哲 ,  河泰成

IPC: G02F1/133 ,  G03F7/32

Abstract: 本发明提供一种透明导电膜蚀刻组合物，该蚀刻组合物用于在制造薄膜晶体管液晶显示装置等时对透明导电膜(ITO膜)进行选择性地蚀刻，而不会对构成TFT的栅极配线材料即Mo/Al－Nd双重膜和作为源极/漏极配线材料的Mo单一膜造成影响，所形成的透明导电膜的轮廓优异，蚀刻速度快，具有节约LCD制造成本和提高工序收率的效果。本发明的透明导电膜蚀刻组合物的特征在于，其含有：0.1重量％～5重量％的a)能够在水溶液中解离出Cl－的含氯化合物；0.1重量％～5重量％的b)能够在水溶液中解离出NO3－的化合物；以及c)余量的水。

公开(公告)号：CN101265579A

公开(公告)日：2008-09-17

申请号：CN200810085047.7

申请日：2008-03-14

Applicant: 东进世美肯株式会社

Inventor： 郑锺铉 ,  朴弘植 ,  洪瑄英 ,  金俸均 ,  李智鲜 ,  李炳珍 ,  李骐范 ,  曺三永 ,  具炳秀 ,  申贤哲 ,  徐源国 ,  朴贵弘 ,  河泰成

IPC: C23F1/18

Abstract: 本发明涉及薄膜晶体管液晶显示装置的蚀刻液组合物。本发明提供一种优异的蚀刻液，其保障了高的稳定性和工程裕度，能够对含铜的金属层均匀地进行锥角蚀刻。本发明涉及对液晶显示装置的电路图案中使用的铜配线进行蚀刻的蚀刻液组合物。本发明的蚀刻液组合物含有过硫酸铵和吡咯系化合物。本发明的蚀刻液组合物不含有过氧化氢，所以能够确保稳定性和工程上的裕度，具有能够得到优异的锥角蚀刻轮廓的特征。