公开(公告)号：CN101265579A

公开(公告)日：2008-09-17

申请号：CN200810085047.7

申请日：2008-03-14

Applicant: 东进世美肯株式会社

Inventor： 郑锺铉 ,  朴弘植 ,  洪瑄英 ,  金俸均 ,  李智鲜 ,  李炳珍 ,  李骐范 ,  曺三永 ,  具炳秀 ,  申贤哲 ,  徐源国 ,  朴贵弘 ,  河泰成

IPC: C23F1/18

Abstract: 本发明涉及薄膜晶体管液晶显示装置的蚀刻液组合物。本发明提供一种优异的蚀刻液，其保障了高的稳定性和工程裕度，能够对含铜的金属层均匀地进行锥角蚀刻。本发明涉及对液晶显示装置的电路图案中使用的铜配线进行蚀刻的蚀刻液组合物。本发明的蚀刻液组合物含有过硫酸铵和吡咯系化合物。本发明的蚀刻液组合物不含有过氧化氢，所以能够确保稳定性和工程上的裕度，具有能够得到优异的锥角蚀刻轮廓的特征。

公开(公告)号：CN108203830B

公开(公告)日：2023-02-28

申请号：CN201711347546.4

申请日：2017-12-15

Applicant: 东进世美肯株式会社

Inventor： 具炳秀 ,  朴民奎

IPC: C23F1/44

Abstract: 本发明公开一种蚀刻金属膜而形成构成半导体线路的薄膜晶体管的栅极及源漏区域的金属线蚀刻液组合物。所述金属线蚀刻液组合物，包括：氧化剂；二元醇化合物；不包含氨基的唑类化合物；及水。

公开(公告)号：CN104838040B

公开(公告)日：2018-01-23

申请号：CN201380064446.4

申请日：2013-12-04

Applicant: 东进世美肯株式会社

Inventor： 李明翰 ,  具炳秀 ,  曹三永 ,  李骐范

IPC: C23F1/18 ,  C23F1/30

CPC classification number: C23F1/18 ,  C23F1/38 ,  C23F1/44 ,  H01L21/32134 ,  H01L29/45 ,  H01L29/458

Abstract: 本发明公开一种能够同时蚀刻铜膜和氧化铟锡膜的双重膜或铜膜和金属膜的双重膜的蚀刻液组合物及利用了该组合物的蚀刻方法。上述蚀刻液组合物包含：5至20重量％的过氧化氢；0.1至5重量％的磺酸化合物；0.1至2重量％的羰基类有机酸化合物；0.1至0.4重量％的氟化合物；0.01至3重量％的唑类化合物；以及，其余重量％的水。

公开(公告)号：CN108203830A

公开(公告)日：2018-06-26

申请号：CN201711347546.4

申请日：2017-12-15

Applicant: 东进世美肯株式会社

Inventor： 具炳秀 ,  朴民奎

IPC: C23F1/44

CPC classification number: C23F1/44

Abstract: 本发明公开一种蚀刻金属膜而形成构成半导体线路的薄膜晶体管的栅极及源漏区域的金属线蚀刻液组合物。所述金属线蚀刻液组合物，包括：氧化剂；二元醇化合物；不包含氨基的唑类化合物；及水。

公开(公告)号：CN104838040A

公开(公告)日：2015-08-12

申请号：CN201380064446.4

申请日：2013-12-04

Applicant: 东进世美肯株式会社

Inventor： 李明翰 ,  具炳秀 ,  曹三永 ,  李骐范

IPC: C23F1/18 ,  C23F1/30

CPC classification number: C23F1/18 ,  C23F1/38 ,  C23F1/44 ,  H01L21/32134 ,  H01L29/45 ,  H01L29/458

Abstract: 本发明公开一种能够同时蚀刻铜膜和氧化铟锡膜的双重膜或铜膜和金属膜的双重膜的蚀刻液组合物及利用了该组合物的蚀刻方法。上述蚀刻液组合物包含：5至20重量％的过氧化氢；0.1至5重量％的磺酸化合物；0.1至2重量％的羰基类有机酸化合物；0.1至0.4重量％的氟化合物；0.01至3重量％的唑类化合物；以及，其余重量％的水。

公开(公告)号：CN101070596A

公开(公告)日：2007-11-14

申请号：CN200710102300.0

申请日：2007-05-10

Applicant: 东进世美肯株式会社

Inventor： 李骐范 ,  曺三永 ,  金南绪 ,  具炳秀

IPC: C23F1/16 ,  G02F1/1362

Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管液晶显示装置的蚀刻组合物，通过使用该组合物即可利用单一工序来对构成薄膜晶体管液品显示装置的TFT中的作为栅极配线材料的Mo/AlNd双重膜或Mo/AlNd/Mo三重膜进行湿式蚀刻以获得优异的锥形而不会产生作为下部膜的AlNd或Mo的底切现象，同时使得作为源极/漏极配线材料的Mo单一膜和Mo/AlNd/Mo三重膜也可以形成优异的轮廓。本发明涉及薄膜晶体管液晶显示装置的蚀刻组合物，特别是涉及含有a)磷酸、b)硝酸、c)乙酸、d)锂类化合物、e)磷酸盐类化合物和f)水的薄膜晶体管液晶显示装置的蚀刻组合物。