公开(公告)号：CN101886266A

公开(公告)日：2010-11-17

申请号：CN201010183534.4

申请日：2010-05-14

Applicant: 三星电子株式会社 ,  东进世美肯株式会社

Inventor： 金俸均 ,  郑钟铉 ,  李炳珍 ,  洪瑄英 ,  朴弘植 ,  金时烈 ,  李骐范 ,  曹三永 ,  金相佑 ,  申贤哲 ,  徐源国

IPC: C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  H01L21/28

CPC classification number: C23F1/26 ,  C23F1/18 ,  H01L21/32134 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458

Abstract: 本发明披露了一种蚀刻剂和使用蚀刻剂制造阵列基板的方法。该蚀刻剂包括按重量计大约0.1％至按重量计大约30％的过硫酸铵(NH4)2S2O8、按重量计大约0.1％至按重量计大约10％的无机酸、按重量计大约0.1％至按重量计大约10％的乙酸盐、按重量计大约0.01％至按重量计大约5％的含氟化合物、按重量计大约0.01％至按重量计大约5％的磺酸化合物、按重量计大约0.01％至按重量计大约2％的唑化合物、以及余量的水。这样，蚀刻剂可以具有高稳定性以保持蚀刻能力。因此，可以提高制造裕度，使得可以降低制造成本。

公开(公告)号：CN101265579A

公开(公告)日：2008-09-17

申请号：CN200810085047.7

申请日：2008-03-14

Applicant: 东进世美肯株式会社

Inventor： 郑锺铉 ,  朴弘植 ,  洪瑄英 ,  金俸均 ,  李智鲜 ,  李炳珍 ,  李骐范 ,  曺三永 ,  具炳秀 ,  申贤哲 ,  徐源国 ,  朴贵弘 ,  河泰成

IPC: C23F1/18

Abstract: 本发明涉及薄膜晶体管液晶显示装置的蚀刻液组合物。本发明提供一种优异的蚀刻液，其保障了高的稳定性和工程裕度，能够对含铜的金属层均匀地进行锥角蚀刻。本发明涉及对液晶显示装置的电路图案中使用的铜配线进行蚀刻的蚀刻液组合物。本发明的蚀刻液组合物含有过硫酸铵和吡咯系化合物。本发明的蚀刻液组合物不含有过氧化氢，所以能够确保稳定性和工程上的裕度，具有能够得到优异的锥角蚀刻轮廓的特征。

公开(公告)号：CN101886266B

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN201010183534.4

申请日：2010-05-14

Applicant: 三星显示有限公司 ,  东进世美肯株式会社

Inventor： 金俸均 ,  郑钟铉 ,  李炳珍 ,  洪瑄英 ,  朴弘植 ,  金时烈 ,  李骐范 ,  曹三永 ,  金相佑 ,  申贤哲 ,  徐源国

IPC: C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  H01L21/28

CPC classification number: C23F1/26 ,  C23F1/18 ,  H01L21/32134 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458

Abstract: 本发明披露了一种蚀刻剂和使用蚀刻剂制造阵列基板的方法。该蚀刻剂包括按重量计大约0.1％至按重量计大约30％的过硫酸铵(NH4)2S2O8、按重量计大约0.1％至按重量计大约10％的无机酸、按重量计大约0.1％至按重量计大约10％的乙酸盐、按重量计大约0.01％至按重量计大约5％的含氟化合物、按重量计大约0.01％至按重量计大约5％的磺酸化合物、按重量计大约0.01％至按重量计大约2％的唑化合物、以及余量的水。这样，蚀刻剂可以具有高稳定性以保持蚀刻能力。因此，可以提高制造裕度，使得可以降低制造成本。

公开(公告)号：CN102939407A

公开(公告)日：2013-02-20

申请号：CN201180014543.3

申请日：2011-02-17

Applicant: 三星显示有限公司 ,  东进世美肯株式会社

Inventor： 徐南锡 ,  洪瑄英 ,  郑钟铉 ,  金俸均 ,  朴弘植 ,  宋溱镐 ,  李旺宇 ,  金图元 ,  金相佑 ,  徐源国 ,  申贤哲 ,  李骐范 ,  曹三永

IPC: C23F1/34 ,  C23F1/02 ,  H05K3/06

CPC classification number: C09K13/08 ,  C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  C23F1/44 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/32134 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H05K3/067

Abstract: 本发明的示例性实施方式提供了金属线蚀刻剂。根据本发明的示例性实施方式的金属线蚀刻剂包含过硫酸铵、有机酸、铵盐、含氟化合物、二醇类化合物和唑类化合物。

公开(公告)号：CN113061891A

公开(公告)日：2021-07-02

申请号：CN202110309236.3

申请日：2014-10-15

Applicant: 东进世美肯株式会社

Inventor： 徐源国 ,  申贤哲 ,  金奎布 ,  曹三永 ,  李骐范

IPC: C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  C23F1/02

Abstract: 本发明公开一种蚀刻金属膜而形成构成半导体电路的薄膜晶体管的栅极以及源极‑漏极区域的金属配线蚀刻液组合物及利用该组合物的金属配线形成方法。上述金属配线蚀刻液组合物包含：15至25重量％的过氧化氢；0.1至1重量％的氟化合物；0.5至3重量％的含有羧基的胺类；0.1至1重量％的唑类化合物；0.01至2重量％的磷酸类化合物或其盐；0.1至3重量％的硫酸盐；以及，其余重量％的水。

公开(公告)号：CN102939407B

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201180014543.3

申请日：2011-02-17

Applicant: 三星显示有限公司 ,  东进世美肯株式会社

Inventor： 徐南锡 ,  洪瑄英 ,  郑钟铉 ,  金俸均 ,  朴弘植 ,  宋溱镐 ,  李旺宇 ,  金图元 ,  金相佑 ,  徐源国 ,  申贤哲 ,  李骐范 ,  曹三永

IPC: C23F1/34 ,  C23F1/02 ,  H05K3/06

CPC classification number: C09K13/08 ,  C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  C23F1/44 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/32134 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H05K3/067

Abstract: 本发明的示例性实施方式提供了金属线蚀刻剂。根据本发明的示例性实施方式的金属线蚀刻剂包含过硫酸铵、有机酸、铵盐、含氟化合物、二醇类化合物和唑类化合物。

公开(公告)号：CN104562009A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201410543417.2

申请日：2014-10-15

Applicant: 东进世美肯株式会社

Inventor： 徐源国 ,  申贤哲 ,  金奎布 ,  曹三永 ,  李骐范

IPC: C23F1/14

Abstract: 本发明公开一种蚀刻金属膜而形成构成半导体电路的薄膜晶体管的栅极以及源极-漏极区域的金属配线蚀刻液组合物及利用该组合物的金属配线形成方法。上述金属配线蚀刻液组合物包含：15至25重量％的过氧化氢；0.1至1重量％的氟化合物；0.5至3重量％的含有羧基的胺类；0.1至1重量％的唑类化合物；0.01至2重量％的磷酸类化合物或其盐；0.1至3重量％的硫酸盐；以及，其余重量％的水。