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公开(公告)号：CN1654713A
公开(公告)日：2005-08-17
申请号：CN200510009448.0
申请日：2005-02-16
Applicant: 三星电子株式会社 , 东友FINE-CHEM.株式会社
IPC: C23G5/036 , H01L21/30 , H01L21/82 , H01L21/8239
CPC classification number: H01L21/02071 , C11D3/0073 , C11D3/042 , C11D3/046 , C11D3/2082 , C11D3/30 , C11D3/364 , C11D3/39 , C11D3/3947 , C11D11/0047 , C23G1/106
Abstract: 一种用于半导体晶片处理的防腐蚀清洁剂，该清洁剂包括至少由水、表面活性剂和防腐蚀化合物构成的水混合物，其中防腐蚀化合物选自由氨基磷酸酯、聚胺和聚羧酸组成的组中。混合物中的防腐蚀化合物的量优选在从大约0.0001wt％至大约0.1wt％的范围内，而表面活性剂的量优选在从大约0.001wt％至大约1.0wt％的范围内。该水混合物还可以包括用作氧化物蚀刻剂的硫酸和氟化物以及用作金属蚀刻剂的过氧化物。
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公开(公告)号：CN1177370C
公开(公告)日：2004-11-24
申请号：CN00135548.1
申请日：2000-12-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/823462 , H01L27/105 , H01L27/11526 , H01L27/11541
Abstract: 一种具有多栅绝缘层的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括设置于半导体衬底预定区域的隔离区。隔离区限定至少一个第一有源区和至少一个第二有源区。用第一栅绝缘层覆盖第一有源区，用薄于第一栅绝缘层的第二栅绝缘层覆盖第二有源区。用最好覆盖第一和第二栅绝缘层的整个侧壁的隔离层填充隔离区。
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公开(公告)号：CN1267971C
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：CN03107357.3
申请日：2003-03-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/302 , B08B3/12
CPC classification number: H01L21/67051 , B08B3/02 , B08B3/12 , Y10S134/902 , Y10S438/906
Abstract: 本发明的各实施例包括超声能量清洗装置，能够旋转要清洁的晶片，并在清洁作用期间旋转清洁探杆。清洁晶片的同时旋转清洁探杆可以有效地增加装置的清洁作用，同时减小了形成晶片图形损伤。在旋转的清洁探杆中腐蚀出弯曲的槽，例如螺旋槽，可以减少潜在地损伤晶片表面或已形成在表面上的结构的有害波。使用具有弯曲槽的清洁探杆同时也旋转清洁探杆可以有效地从晶片上清洁掉粒子，同时也限制了对晶片表面的损伤。
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公开(公告)号：CN1302088A
公开(公告)日：2001-07-04
申请号：CN00135548.1
申请日：2000-12-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L27/10 , H01L21/336
CPC classification number: H01L21/823462 , H01L27/105 , H01L27/11526 , H01L27/11541
Abstract: 一种具有多栅绝缘层的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括设置于半导体衬底预定区域的隔离区。隔离区限定至少一个第一有源区和至少一个第二有源区。用第一栅绝缘层覆盖第一有源区,用薄于第一栅绝缘层的第二栅绝缘层覆盖第二有源区。用最好覆盖第一和第二栅绝缘层的整个侧壁的隔离层填充隔离区。
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公开(公告)号：CN117596877A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202310981708.9
申请日：2023-08-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B41/27 , H10B41/35 , H10B41/50 , H10B43/27 , H10B43/35 , H10B43/50 , H10B43/40 , H10B41/41 , H10B80/00
Abstract: 一种非易失性存储器件，包括：衬底；模制结构，包括堆叠在衬底上的栅电极和与栅电极交替堆叠的模制绝缘层；单元接触部，在衬底上，其中，单元接触部电连接到栅电极中的选择栅电极，并且不电连接到栅电极中的非选择栅电极；绝缘环，在衬底上，其中，绝缘环在非选择栅电极与单元接触部的侧壁之间，并与非选择栅电极接触；以及高介电常数层，在栅电极和模制绝缘层中的相应栅电极和模制绝缘层之间，其中，绝缘环包括第一部分和第二部分，第一部分在竖直方向上与高介电常数层重叠，第二部分在竖直方向上不与高介电常数层重叠。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100336178C
公开(公告)日：2007-09-05
申请号：CN03108456.7
申请日：2003-04-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/302 , B08B3/12
CPC classification number: H01L21/67051 , B08B3/12 , Y10S134/902
Abstract: 一种晶片清洁装置，包括放置在晶片侧部的能量集中消除部件。探杆的延伸部分基本上平行晶片表面并在其之上延伸。振动器附装到探杆的后端以振动探杆，以便该延伸部分将声振动能量传递到晶片并驱除杂质。
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公开(公告)号：CN1329959C
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN02143435.2
申请日：2002-09-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/304 , B08B3/12
CPC classification number: H01L21/67051 , B08B3/12 , Y10S134/902
Abstract: 提供一种用于去掉晶片上的污染物颗粒的强声波清洗设备。强声波清洗设备包括压电变换器和能量传输棒。压电变换器用于产生强声波能量。沿着晶片径向安装在晶片上的能量传输棒用于给晶片上的清洗液分配能量和用于振动清洗液。能量传输棒的形状和尺寸使得通过清洗液在晶片径向均匀分配能量，由此从晶片去掉污染物颗粒。
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公开(公告)号：CN107919278A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201710816716.2
申请日：2017-09-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/311 , H01L21/67
CPC classification number: H01L21/30604 , H01L21/0217 , H01L21/31111 , H01L21/47573 , H01L21/67086 , H01L27/11565 , H01L27/1157 , H01L27/11582
Abstract: 公开了湿蚀刻方法和制造半导体装置的方法。湿蚀刻方法包括：在工艺槽中提供晶圆，工艺槽在其中容纳蚀刻剂；向工艺槽供应主要蚀刻剂以控制蚀刻剂中的特定材料的浓度；向工艺槽供应第一添加剂以增大蚀刻剂中的特定材料的浓度；以及向工艺槽供应第二添加剂以抑制由蚀刻剂中的特定材料的浓度的增大而导致的缺陷。蚀刻剂包括主要蚀刻剂、第一添加剂和第二添加剂中的至少一种。将第一添加剂和第二添加剂分开地供应到工艺槽。
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公开(公告)号：CN1453827A
公开(公告)日：2003-11-05
申请号：CN03107357.3
申请日：2003-03-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/302 , B08B3/12
CPC classification number: H01L21/67051 , B08B3/02 , B08B3/12 , Y10S134/902 , Y10S438/906
Abstract: 本发明的各实施例包括超声能量清洗装置，能够旋转要清洁的晶片，并在清洁作用期间旋转清洁探杆。清洁晶片的同时旋转清洁探杆可以有效地增加装置的清洁作用，同时减小了形成晶片图形损伤。在旋转的清洁探杆中腐蚀出弯曲的槽，例如螺旋槽，可以减少潜在地损伤晶片表面或已形成在表面上的结构的有害波。使用具有弯曲槽的清洁探杆同时也旋转清洁探杆可以有效地从晶片上清洁掉粒子，同时也限制了对晶片表面的损伤。
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公开(公告)号：CN1447392A
公开(公告)日：2003-10-08
申请号：CN02143435.2
申请日：2002-09-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/304 , B08B3/12
CPC classification number: H01L21/67051 , B08B3/12 , Y10S134/902
Abstract: 提供一种用于去掉晶片上的污染物颗粒的强声波清洗设备。强声波清洗设备包括压电变换器和能量传输棒。压电变换器用于产生强声波能量。沿着晶片径向安装在晶片上的能量传输棒用于给晶片上的清洗液分配能量和用于振动清洗液。能量传输棒的形状和尺寸使得通过清洗液在晶片径向均匀分配能量，由此从晶片去掉污染物颗粒。
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