公开(公告)号：CN1177370C

公开(公告)日：2004-11-24

申请号：CN00135548.1

申请日：2000-12-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金坰显 ,  洪昌基 ,  郑佑仁 ,  金凡洙 ,  申有哲 ,  朴奎灿

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/823462 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11541

Abstract: 一种具有多栅绝缘层的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括设置于半导体衬底预定区域的隔离区。隔离区限定至少一个第一有源区和至少一个第二有源区。用第一栅绝缘层覆盖第一有源区，用薄于第一栅绝缘层的第二栅绝缘层覆盖第二有源区。用最好覆盖第一和第二栅绝缘层的整个侧壁的隔离层填充隔离区。

公开(公告)号：CN1302088A

公开(公告)日：2001-07-04

申请号：CN00135548.1

申请日：2000-12-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金坰显 ,  洪昌基 ,  郑佑仁 ,  金凡洙 ,  申有哲 ,  朴奎灿

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/10 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/823462 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11541

Abstract: 一种具有多栅绝缘层的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括设置于半导体衬底预定区域的隔离区。隔离区限定至少一个第一有源区和至少一个第二有源区。用第一栅绝缘层覆盖第一有源区,用薄于第一栅绝缘层的第二栅绝缘层覆盖第二有源区。用最好覆盖第一和第二栅绝缘层的整个侧壁的隔离层填充隔离区。