公开(公告)号：CN111354658A

公开(公告)日：2020-06-30

申请号：CN201910821987.6

申请日：2019-09-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 丁相勋 ,  高镛璇 ,  D.H.金 ,  金台宪 ,  文彰燮 ,  沈雨宽 ,  梁准烈 ,  车世浩

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/3213

Abstract: 本发明提供一种湿蚀刻系统操作方法、利用其形成半导体器件的方法和湿蚀刻系统，其中该湿蚀刻系统操作方法包括：提供具有第N蚀刻溶液的蚀刻装置；将第N批基板装载到蚀刻装置中并执行第N蚀刻工艺；排出第N蚀刻溶液中的一些；用从连接到蚀刻装置的供给装置供应的第(N+1)蚀刻溶液再填充蚀刻装置；以及将第(N+1)批基板装载到蚀刻装置中并执行第(N+1)蚀刻工艺，其中第(N+1)蚀刻溶液具有在第(N+1)蚀刻工艺的温度管理范围内或高于该温度管理范围的温度，以及其中第(N+1)蚀刻溶液具有在第(N+1)蚀刻工艺的浓度管理范围内或高于该浓度管理范围的浓度，N是正整数。

公开(公告)号：CN116453970A

公开(公告)日：2023-07-18

申请号：CN202310024420.2

申请日：2023-01-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金台宪 ,  金坰显 ,  文彰燮 ,  梁准烈 ,  丁相勳 ,  丁镛植 ,  蔡昇澈

IPC: H01L21/67 ,  H10B12/00

Abstract: 提供了一种湿蚀刻方法和制造半导体装置的方法。所述湿蚀刻方法包括：将包括蚀刻目标膜的结构提供到容纳具有第一磷酸浓度的第一蚀刻溶液的处理浴槽中；在处理浴槽中用第一蚀刻溶液执行用于对蚀刻目标膜进行蚀刻的第一蚀刻工艺；通过改变第一蚀刻溶液中的磷酸浓度来提供具有与第一磷酸浓度不同的第二磷酸浓度的第二蚀刻溶液；在处理浴槽中用第二蚀刻溶液执行用于对蚀刻目标膜进行蚀刻的第二蚀刻工艺；通过改变第二蚀刻溶液中的磷酸浓度来提供具有与第一磷酸浓度和第二磷酸浓度不同的第三磷酸浓度的第三蚀刻溶液；以及在处理浴槽中用第三蚀刻溶液执行用于对蚀刻目标膜进行蚀刻的第三蚀刻工艺。

公开(公告)号：CN117596877A

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202310981708.9

申请日：2023-08-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴佑濬 ,  金坰显 ,  朴建雨 ,  梁准烈 ,  李东禹 ,  洪祥赫

IPC: H10B41/27 ,  H10B41/35 ,  H10B41/50 ,  H10B43/27 ,  H10B43/35 ,  H10B43/50 ,  H10B43/40 ,  H10B41/41 ,  H10B80/00

Abstract: 一种非易失性存储器件，包括：衬底；模制结构，包括堆叠在衬底上的栅电极和与栅电极交替堆叠的模制绝缘层；单元接触部，在衬底上，其中，单元接触部电连接到栅电极中的选择栅电极，并且不电连接到栅电极中的非选择栅电极；绝缘环，在衬底上，其中，绝缘环在非选择栅电极与单元接触部的侧壁之间，并与非选择栅电极接触；以及高介电常数层，在栅电极和模制绝缘层中的相应栅电极和模制绝缘层之间，其中，绝缘环包括第一部分和第二部分，第一部分在竖直方向上与高介电常数层重叠，第二部分在竖直方向上不与高介电常数层重叠。