公开(公告)号：CN107919278A

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201710816716.2

申请日：2017-09-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金光秀 ,  车世浩 ,  高镛璿 ,  金建伶 ,  金坰显 ,  文彰燮 ,  成忠基 ,  宋善重 ,  李轸雨 ,  韩勋

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/30604 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/47573 ,  H01L21/67086 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11582

Abstract: 公开了湿蚀刻方法和制造半导体装置的方法。湿蚀刻方法包括：在工艺槽中提供晶圆，工艺槽在其中容纳蚀刻剂；向工艺槽供应主要蚀刻剂以控制蚀刻剂中的特定材料的浓度；向工艺槽供应第一添加剂以增大蚀刻剂中的特定材料的浓度；以及向工艺槽供应第二添加剂以抑制由蚀刻剂中的特定材料的浓度的增大而导致的缺陷。蚀刻剂包括主要蚀刻剂、第一添加剂和第二添加剂中的至少一种。将第一添加剂和第二添加剂分开地供应到工艺槽。

公开(公告)号：CN117438333A

公开(公告)日：2024-01-23

申请号：CN202310575448.5

申请日：2023-05-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 辛承敃 ,  金浚永 ,  朴基钟 ,  宋善重 ,  蔡升澈

IPC: H01L21/67

Abstract: 提供了一种原子层蚀刻(ALE)方法和原子层蚀刻设备。该方法包括：将具有彼此面对的第一表面和第二表面的衬底装载到卡盘上的操作(a)，通过冷却液将衬底冷却到第一温度的操作(b)，通过从位于卡盘上方的喷淋头向衬底喷射第一源气体，通过第一源气体和衬底的第一表面之间发生的反应来在衬底上形成改性层的操作(c)，通过激光束将衬底加热到第二温度的操作(d)，以及通过从喷淋头向衬底的第一表面喷射第二源气体，通过第二源气体和衬底的改性层之间发生的反应来去除衬底的改性层。