公开(公告)号：CN117596877A

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202310981708.9

申请日：2023-08-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴佑濬 ,  金坰显 ,  朴建雨 ,  梁准烈 ,  李东禹 ,  洪祥赫

IPC: H10B41/27 ,  H10B41/35 ,  H10B41/50 ,  H10B43/27 ,  H10B43/35 ,  H10B43/50 ,  H10B43/40 ,  H10B41/41 ,  H10B80/00

Abstract: 一种非易失性存储器件，包括：衬底；模制结构，包括堆叠在衬底上的栅电极和与栅电极交替堆叠的模制绝缘层；单元接触部，在衬底上，其中，单元接触部电连接到栅电极中的选择栅电极，并且不电连接到栅电极中的非选择栅电极；绝缘环，在衬底上，其中，绝缘环在非选择栅电极与单元接触部的侧壁之间，并与非选择栅电极接触；以及高介电常数层，在栅电极和模制绝缘层中的相应栅电极和模制绝缘层之间，其中，绝缘环包括第一部分和第二部分，第一部分在竖直方向上与高介电常数层重叠，第二部分在竖直方向上不与高介电常数层重叠。