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公开(公告)号：CN1792475A
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：CN200510120367.8
申请日：2005-11-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明公开了一种用于净化半导体衬底的表面的干净化装置，所述装置包括：室，包括第一壁和第二壁；支撑构件，包括晶片接收表面；净化构件，用于从放置在所述支撑构件上的衬底的表面去除颗粒；和载气供给构件，用于供给载气和将从所述衬底的表面分离的颗粒传输到所述室的外部，其中，所述室的第一壁包括设置面对所述晶片接收表面的第一部分和与所述第一部分相邻形成且设置来接收部分的载气供给构件的第二部分。
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公开(公告)号：CN1452218A
公开(公告)日：2003-10-29
申请号：CN03108456.7
申请日：2003-04-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/302 , B08B3/12
CPC classification number: H01L21/67051 , B08B3/12 , Y10S134/902
Abstract: 一种晶片清洁装置，包括放置在晶片侧部的能量集中消除部件。探杆的延伸部分基本上平行晶片表面并在其之上延伸。振动器附装到探杆的后端以振动探杆，以便该延伸部分将声振动能量传递到晶片并驱除杂质。
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公开(公告)号：CN100336178C
公开(公告)日：2007-09-05
申请号：CN03108456.7
申请日：2003-04-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/302 , B08B3/12
CPC classification number: H01L21/67051 , B08B3/12 , Y10S134/902
Abstract: 一种晶片清洁装置，包括放置在晶片侧部的能量集中消除部件。探杆的延伸部分基本上平行晶片表面并在其之上延伸。振动器附装到探杆的后端以振动探杆，以便该延伸部分将声振动能量传递到晶片并驱除杂质。
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公开(公告)号：CN1329959C
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN02143435.2
申请日：2002-09-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/304 , B08B3/12
CPC classification number: H01L21/67051 , B08B3/12 , Y10S134/902
Abstract: 提供一种用于去掉晶片上的污染物颗粒的强声波清洗设备。强声波清洗设备包括压电变换器和能量传输棒。压电变换器用于产生强声波能量。沿着晶片径向安装在晶片上的能量传输棒用于给晶片上的清洗液分配能量和用于振动清洗液。能量传输棒的形状和尺寸使得通过清洗液在晶片径向均匀分配能量，由此从晶片去掉污染物颗粒。
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公开(公告)号：CN1992190A
公开(公告)日：2007-07-04
申请号：CN200610171283.1
申请日：2006-12-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L22/14 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的半导体工艺评估方法在不同的离子注入条件下利用离子束进行测试半导体衬底(例如测试晶片)的多重扫描。然后测量在不同的离子注入条件下利用所述离子束扫描的所述测试半导体衬底的参数，从而实施所述半导体工艺评估。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1267971C
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：CN03107357.3
申请日：2003-03-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/302 , B08B3/12
CPC classification number: H01L21/67051 , B08B3/02 , B08B3/12 , Y10S134/902 , Y10S438/906
Abstract: 本发明的各实施例包括超声能量清洗装置，能够旋转要清洁的晶片，并在清洁作用期间旋转清洁探杆。清洁晶片的同时旋转清洁探杆可以有效地增加装置的清洁作用，同时减小了形成晶片图形损伤。在旋转的清洁探杆中腐蚀出弯曲的槽，例如螺旋槽，可以减少潜在地损伤晶片表面或已形成在表面上的结构的有害波。使用具有弯曲槽的清洁探杆同时也旋转清洁探杆可以有效地从晶片上清洁掉粒子，同时也限制了对晶片表面的损伤。
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公开(公告)号：CN1992190B
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN200610171283.1
申请日：2006-12-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L22/14 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的半导体工艺评估方法在不同的离子注入条件下利用离子束进行测试半导体衬底(例如测试晶片)的多重扫描。然后测量在不同的离子注入条件下利用所述离子束扫描的所述测试半导体衬底的参数，从而实施所述半导体工艺评估。
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公开(公告)号：CN1624916A
公开(公告)日：2005-06-08
申请号：CN200410010418.7
申请日：2004-11-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/00 , H01L27/04 , H01L21/822
CPC classification number: H01L28/10 , H01F41/041 , H01F2017/0046 , H01L23/5227 , H01L27/08 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种用于芯片上系统的电感器及制造该电感器的方法。该电感器包括通过连接多个导电图案形成导线，其中该导电图案从在下布线上形成的籽层生长。该方法包括使用电解镀层工艺或非电镀层工艺从籽层生长多个相邻的导电图案，直到它们彼此连接。该方法还能够将导线的高度和宽度调节到所需值。
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公开(公告)号：CN100495703C
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200410010418.7
申请日：2004-11-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/00 , H01L27/04 , H01L21/822
CPC classification number: H01L28/10 , H01F41/041 , H01F2017/0046 , H01L23/5227 , H01L27/08 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种用于芯片上系统的电感器及制造该电感器的方法。该电感器包括通过连接多个导电图案形成导线，其中该导电图案从在下布线上形成的籽层生长。该方法包括使用电解镀层工艺或非电镀层工艺从籽层生长多个相邻的导电图案，直到它们彼此连接。该方法还能够将导线的高度和宽度调节到所需值。
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公开(公告)号：CN1453827A
公开(公告)日：2003-11-05
申请号：CN03107357.3
申请日：2003-03-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/302 , B08B3/12
CPC classification number: H01L21/67051 , B08B3/02 , B08B3/12 , Y10S134/902 , Y10S438/906
Abstract: 本发明的各实施例包括超声能量清洗装置，能够旋转要清洁的晶片，并在清洁作用期间旋转清洁探杆。清洁晶片的同时旋转清洁探杆可以有效地增加装置的清洁作用，同时减小了形成晶片图形损伤。在旋转的清洁探杆中腐蚀出弯曲的槽，例如螺旋槽，可以减少潜在地损伤晶片表面或已形成在表面上的结构的有害波。使用具有弯曲槽的清洁探杆同时也旋转清洁探杆可以有效地从晶片上清洁掉粒子，同时也限制了对晶片表面的损伤。
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