公开(公告)号：CN106637136B

公开(公告)日：2020-10-30

申请号：CN201610884328.3

申请日：2016-10-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑淑真 ,  李钟喆 ,  郑珉和 ,  申宰哲 ,  李仁善 ,  崔釿奎 ,  安重镒 ,  李承翰 ,  许真弼

IPC: C23C16/455

Abstract: 公开了一种气体供应单元和基底处理系统，所述基底处理系统可以包括：工艺室，在工艺室中执行对基底的工艺；支撑单元，在工艺室中用于支撑基底；气体供应单元，包括具有气体供应孔的气体供应部，并且气体供应孔被构造为将工艺气体供应到基底上；排放单元，被构造为将工艺气体从工艺室排出。气体供应部可以包括设置有气体供应孔的气体供应区域和在气体供应区域与排放单元之间的气体扩散区域。气体扩散区域可以没有气体供应孔。

公开(公告)号：CN108070845A

公开(公告)日：2018-05-25

申请号：CN201711104240.6

申请日：2017-11-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李钟喆 ,  申宰哲 ,  郑珉和 ,  郑淑真 ,  崔釿奎 ,  李晶桓

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/458

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/45534 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/458 ,  C23C16/4584 ,  H01L21/68771 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/4581

Abstract: 本发明提供了朝基板注入工艺气体的气体注入装置以及包括该气体注入装置的基板处理装置。该气体注入装置包括：基部；在基部上的第一气体注入部，第一气体注入部用于注入包括反应抑制官能团的第一气体；在基部上在一个方向上与第一气体注入部间隔开的第二气体注入部，第二气体注入部用于注入包括特定材料的前驱体的第二气体；以及在基部上在所述一个方向上与第二气体注入部间隔开的第三气体注入部，第三气体注入部用于注入与特定材料的前驱体反应的第三气体。

公开(公告)号：CN107017189A

公开(公告)日：2017-08-04

申请号：CN201710048206.5

申请日：2017-01-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申宰哲 ,  李钟喆 ,  崔釿奎 ,  郑珉和 ,  郑淑真

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/66

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/458 ,  C23C16/52 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/67011 ,  H01L21/67242 ,  H01L22/30

Abstract: 本公开涉及半导体器件制造装置。一种半导体器件制造装置包括在腔室的顶部的喷头、在喷头上的供气部件、在腔室中的基座和在腔室下方的排气部件。腔室具有实际上彼此隔开的第一和第二反应空间。第一气体供给管将第一气体供应进第一反应空间中，第二气体供给管将第二气体供应进第二反应空间中。在基座的彼此对立的侧上，第一排气管邻近第一反应空间，第二排气管邻近第二反应空间。连接到第一排气管的第一气体传感器感测第二气体，连接到第二排气管的第二气体传感器感测第一气体。

公开(公告)号：CN106637136A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201610884328.3

申请日：2016-10-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑淑真 ,  李钟喆 ,  郑珉和 ,  申宰哲 ,  李仁善 ,  崔釿奎 ,  安重镒 ,  李承翰 ,  许真弼

IPC: C23C16/455

Abstract: 公开了一种气体供应单元和基底处理系统，所述基底处理系统可以包括：工艺室，在工艺室中执行对基底的工艺；支撑单元，在工艺室中用于支撑基底；气体供应单元，包括具有气体供应孔的气体供应部，并且气体供应孔被构造为将工艺气体供应到基底上；排放单元，被构造为将工艺气体从工艺室排出。气体供应部可以包括设置有气体供应孔的气体供应区域和在气体供应区域与排放单元之间的气体扩散区域。气体扩散区域可以没有气体供应孔。