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公开(公告)号：CN114447222A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202110775788.3
申请日：2021-07-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L49/02 , H01L27/108
Abstract: 本发明涉及电子器件和包括其的半导体装置。半导体器件包括：下部电极；设置成与所述下部电极间隔开的上部电极；以及设置在所述下部电极和所述上部电极之间的介电层，所述介电层包括：第一金属氧化物区域，其包括以下的一种或多种：Hf、Zr、Nb、Ta、Pr、Nd、Gd、Dy、Yb、Pb、Zn、Si、Ti、Sr或Lu；第二金属氧化物区域，其包括以下的一种或多种：Y、Sc或Ce；和第三金属氧化物区域，其包括以下的一种或多种：Al、Mg或Be。
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公开(公告)号：CN106336422B
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN201610529169.5
申请日：2016-07-06
Abstract: 公开镧化合物、合成镧化合物的方法、镧前体组合物、形成薄膜的方法和集成电路器件的制法。通过使三[二(三烷基甲硅烷基)氨基]镧络合物与烷基环戊二烯反应而合成含硅中间体。通过使所述含硅中间体与基于二烷基脒的化合物反应而合成镧化合物。
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公开(公告)号：CN115528172A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202210384361.5
申请日：2022-04-13
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种集成电路(IC)装置及其制造方法。所述IC装置包括：下电极，其包括第一金属；电介质膜，其位于下电极上；以及导电界面层，其位于下电极与电介质膜之间。导电界面层包括包含至少一种金属元素的金属氧化物膜。包括第二金属的上电极与下电极相对，且导电界面层和电介质膜位于上电极与下电极之间。为了制造IC装置，在衬底上，包括金属的电极与绝缘图案相邻形成。在电极的表面上选择性地形成包括包含至少一个金属元素的金属氧化物膜的导电界面层。电介质膜被形成为与导电界面层和绝缘图案接触。
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公开(公告)号：CN113764417A
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202110262666.4
申请日：2021-03-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108
Abstract: 一种半导体器件包括：导电柱，在半导体衬底上；第一支撑图案，所述第一支撑图案接触所述导电柱的侧表面的第一部分并且将所述导电柱相互连接，所述第一支撑图案包括暴露所述导电柱的侧表面的第二部分的第一支撑孔；封盖导电图案，所述封盖导电图案接触所述导电柱的侧表面的第二部分并且暴露所述第一支撑图案，所述导电柱的侧表面的第二部分不与所述第一支撑图案接触；以及电介质层，所述电介质层覆盖所述第一支撑图案和所述封盖导电图案，所述电介质层与所述导电柱间隔开。
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公开(公告)号：CN111471068A
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN201911395054.1
申请日：2019-12-30
Abstract: 提供了锡化合物、用于形成含锡层的锡前体化合物以及使用该锡前体化合物形成薄层的方法，所述锡化合物由式1表示，其中R1、R2、R3、R4、R5、R6和R7各自独立地是氢、具有1至4个碳原子的直链烷基或具有3或4个碳原子的支链烷基。[式1]
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110931468A
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201910822831.X
申请日：2019-09-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/64 , H01L27/108 , H01L21/8242
Abstract: 本发明公开一种集成电路器件，其包括：下电极、上电极以及在下电极和上电极之间的电介质层结构，该电介质层结构包括面对下电极的第一表面和面对上电极的第二表面。该电介质层结构包括：第一电介质层，包括由第一电介质材料形成并且从第一表面延伸到第二表面的多个晶粒；以及第二电介质层，包括第二电介质材料并在低于第二表面的水平处围绕第一电介质层的所述多个晶粒中的每个晶粒的侧壁的一部分。第二电介质材料包括具有比第一电介质材料的带隙能量高的带隙能量的材料。
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公开(公告)号：CN110272438A
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201910053529.2
申请日：2019-01-21
IPC: C07F5/00 , C07F7/10 , H01L21/288 , H01L21/336 , C23C16/455 , C23C16/30 , C23C16/40
Abstract: 公开了镧化合物、合成薄膜的方法以及制造集成电路器件的方法，所述化合物由以下式1表示，其中，在式1中，R1是氢原子或者C1-C4直链或支链烷基，R2和R3各自独立地是氢原子或者C1-C5直链或支链烷基，R2和R3中的至少一个是C3-C5支链烷基，并且R4是氢原子或者C1-C4直链或支链烷基。[式1]
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公开(公告)号：CN102760661B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201210132762.8
申请日：2012-04-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/316 , H01L21/02
CPC classification number: H01L21/02178 , H01L21/02164 , H01L21/02181 , H01L21/02186 , H01L21/02189 , H01L21/022 , H01L21/0228 , H01L21/02304 , H01L21/02312 , H01L21/28282 , H01L27/10817 , H01L27/10852 , H01L27/1157 , H01L27/11582 , H01L28/91 , H01L29/66795 , H01L29/7926
Abstract: 形成氧化物层的方法。所述方法包括：在基底表面上形成反应-抑制官能团的层；在所述反应-抑制官能团的层上形成金属或半导体的前体的层；和氧化所述金属或半导体的前体以获得金属氧化物或半导体氧化物的层。根据所述方法，可形成具有高的厚度均匀性的氧化物层并且可制造具有优异的电特性的半导体器件。
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公开(公告)号：CN101800220A
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN201010002113.7
申请日：2010-01-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/00 , H01L27/108
CPC classification number: H01L28/56 , H01L21/02189 , H01L21/022 , H01L21/02244 , H01L21/02247 , H01L21/31683 , H01L21/318 , H01L27/1085 , H01L28/40 , H01L28/75
Abstract: 一种具有改进电性能的电介质层的半导体器件及其相关方法，该半导体器件包括：下金属层、电介质层和上金属层，依次设置在半导体基板上；以及插入层，设置在电介质层与下金属层和上金属层中至少之一之间，其中电介质层包括金属氧化物膜，插入层包括金属材料膜。
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公开(公告)号：CN119883102A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202411387663.3
申请日：2024-10-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/06
Abstract: 公开了一种存储设备。存储设备包括：存储器设备；缓冲存储器，其被配置为存储所述存储器设备中所存储的数据当中的部分数据；以及存储器控制器，其被配置为确定预期在从主机接收到顺序逻辑地址之后顺序接收的预取逻辑地址，从所述存储器设备读取与所述预取逻辑地址相对应的预取数据，以将所述预取数据按照预取组存储在所述缓冲存储器中，并且响应于从所述主机接收到与逻辑地址不连续的逻辑地址，从所述缓冲存储器释放所述预取组。
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