公开(公告)号：CN103840002B

公开(公告)日：2017-09-19

申请号：CN201310591041.8

申请日：2013-11-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 梁贤正 ,  郑舜旭 ,  具奉珍 ,  金完敦 ,  郑炳洪 ,  卓容奭

IPC: H01L29/78 ,  H01L23/522 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L28/60 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/87 ,  H01L28/91

Abstract: 一种半导体器件，包括：在基板上的多个下电极，该下电极具有大于水平宽度的垂直长度；支撑物，设置在下电极之间；上电极，设置在下电极上；以及电容器介电层，设置在下电极与上电极之间。支撑物包括第一元素、第二元素和氧，第二元素的氧化物具有比第一元素的氧化物高的带隙能量，第二元素在支撑物中的含量为从约10at%至90at%。

公开(公告)号：CN115881643A

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202210890089.8

申请日：2022-07-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔庆寅 ,  金东明 ,  柳亥俊 ,  高绮亨 ,  柳志昊 ,  郑舜旭

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 一种半导体器件包括提供在衬底上的有源图案、提供在有源图案上的源极/漏极图案、被配置为连接到源极/漏极图案的沟道图案、被配置为在第一方向上延伸并与沟道图案交叉的栅电极、以及提供在栅电极的侧表面上的第一间隔物。源极/漏极图案包括主体部分以及在主体部分和有源图案之间的颈部分。第一间隔物包括提供在有源图案的侧表面上并且在源极/漏极图案的主体部分之下的栅栏部分。主体部分包括被配置为从颈部分倾斜延伸的结晶表面。结晶表面被配置为与栅栏部分的最上部间隔开。

公开(公告)号：CN103840002A

公开(公告)日：2014-06-04

申请号：CN201310591041.8

申请日：2013-11-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 梁贤正 ,  郑舜旭 ,  具奉珍 ,  金完敦 ,  郑炳洪 ,  卓容奭

IPC: H01L29/78 ,  H01L23/522 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L28/60 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/87 ,  H01L28/91

Abstract: 一种半导体器件，包括：在基板上的多个下电极，该下电极具有大于水平宽度的垂直长度；支撑物，设置在下电极之间；上电极，设置在下电极上；以及电容器介电层，设置在下电极与上电极之间。支撑物包括第一元素、第二元素和氧，第二元素的氧化物具有比第一元素的氧化物高的带隙能量，第二元素在支撑物中的含量为从约10at%至90at%。

公开(公告)号：CN110047732A

公开(公告)日：2019-07-23

申请号：CN201811503187.1

申请日：2018-12-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李睃英 ,  郑舜旭 ,  具奉珍 ,  文平 ,  郑淑真

IPC: H01L21/02

Abstract: 公开了用于形成薄层的方法和设备。用于形成薄层的方法包括：提供包括图案的基底；在基底上形成结合层，结合层覆盖图案之间的间隙的内表面；在结合层上形成填充间隙的预备层；以及对预备层进行热处理以形成薄层。结合层是使用有机硅烷单体形成的自组装单体层。预备层由包括聚硅烷的可流动的组合物形成。

公开(公告)号：CN110047732B

公开(公告)日：2024-04-02

申请号：CN201811503187.1

申请日：2018-12-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李睃英 ,  郑舜旭 ,  具奉珍 ,  文平 ,  郑淑真

IPC: H01L21/02

Abstract: 公开了用于形成薄层的方法和设备。用于形成薄层的方法包括：提供包括图案的基底；在基底上形成结合层，结合层覆盖图案之间的间隙的内表面；在结合层上形成填充间隙的预备层；以及对预备层进行热处理以形成薄层。结合层是使用有机硅烷单体形成的自组装单体层。预备层由包括聚硅烷的可流动的组合物形成。

公开(公告)号：CN115939181A

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202211158520.6

申请日：2022-09-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳亥俊 ,  申东石 ,  郑舜旭 ,  崔庆寅

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

Abstract: 一种半导体器件包括：有源图案，该有源图案包括在第一方向上延伸的下图案和在垂直于下图案的上表面的第二方向上与下图案间隔开的片图案，每个片图案包括上表面和下表面；设置在下图案上并包括栅电极和栅极绝缘膜的栅极结构，栅电极和栅极绝缘膜围绕每个片图案；以及设置在栅极结构的至少一侧上的源极/漏极图案。栅极结构包括设置在下图案和最下面的片图案之间以及两个片图案之间的栅极间结构，并接触源极/漏极图案。栅极绝缘膜包括具有第一厚度的水平部分和具有不同于第一厚度的第二厚度的第一垂直部分。