公开(公告)号：CN117766395A

公开(公告)日：2024-03-26

申请号：CN202311215576.5

申请日：2023-09-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张诚桓 ,  金度希 ,  文平 ,  张星旭 ,  薛美娜

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 在一种制造半导体器件的方法中，对衬底执行第一选择性外延生长(SEG)工艺以形成第一沟道。执行第一蚀刻工艺以形成穿过所述第一沟道和所述衬底的上部的第一凹陷。所述第一沟道的由所述第一凹陷暴露的侧壁相对于所述衬底的上表面倾斜。执行第二SEG工艺以在所述衬底的表面和所述第一沟道的由所述第一凹陷暴露的所述侧壁上形成第二沟道。形成栅极结构以填充所述第一凹陷。在所述衬底的与所述栅极结构相邻的上部处形成杂质区。

公开(公告)号：CN110047732B

公开(公告)日：2024-04-02

申请号：CN201811503187.1

申请日：2018-12-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李睃英 ,  郑舜旭 ,  具奉珍 ,  文平 ,  郑淑真

IPC: H01L21/02

Abstract: 公开了用于形成薄层的方法和设备。用于形成薄层的方法包括：提供包括图案的基底；在基底上形成结合层，结合层覆盖图案之间的间隙的内表面；在结合层上形成填充间隙的预备层；以及对预备层进行热处理以形成薄层。结合层是使用有机硅烷单体形成的自组装单体层。预备层由包括聚硅烷的可流动的组合物形成。

公开(公告)号：CN110047732A

公开(公告)日：2019-07-23

申请号：CN201811503187.1

申请日：2018-12-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李睃英 ,  郑舜旭 ,  具奉珍 ,  文平 ,  郑淑真

IPC: H01L21/02

Abstract: 公开了用于形成薄层的方法和设备。用于形成薄层的方法包括：提供包括图案的基底；在基底上形成结合层，结合层覆盖图案之间的间隙的内表面；在结合层上形成填充间隙的预备层；以及对预备层进行热处理以形成薄层。结合层是使用有机硅烷单体形成的自组装单体层。预备层由包括聚硅烷的可流动的组合物形成。

公开(公告)号：CN106941068A

公开(公告)日：2017-07-11

申请号：CN201611103022.6

申请日：2016-12-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜盛皓 ,  金基哲 ,  李在铉 ,  文平 ,  李汉基 ,  金彦起

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/324

Abstract: 提供了一种挡板、一种使用挡板的等离子体处理设备、一种基板处理设备和一种处理基板的方法。所述等离子体处理设备包括基座、容纳基座并且包围反应空间的室外壳以及环形地围绕基座的环形挡板。挡板包括具有导电材料的第一层和具有非导电材料的第二层，并且第二层比第一层接近于反应空间。

公开(公告)号：CN117222225A

公开(公告)日：2023-12-12

申请号：CN202310600011.2

申请日：2023-05-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴台镇 ,  金圭镇 ,  金奉秀 ,  金熙中 ,  文平 ,  朴哲权 ,  尹炅炫 ,  蔡熙载

IPC: H10B12/00

Abstract: 一种集成电路(IC)器件包括：栅极沟槽，形成在衬底内部，栅极沟槽包括底部和侧壁部分；栅电极结构，与栅极沟槽的底部和侧壁部分间隔设置，栅电极结构包括栅电极和栅极封盖层，栅电极包括第一子栅电极和第二子栅电极，第一子栅电极形成在栅极沟槽的下部中，第二子栅电极形成在第一子栅电极上，栅极封盖层形成在第二子栅电极上；以及栅极绝缘层，形成在栅极沟槽和栅电极结构之间，栅极绝缘层包括基底绝缘层和增强绝缘层，基底绝缘层形成在栅极沟槽的底部和侧壁部分与栅电极结构之间，增强绝缘层形成在第二子栅电极的侧壁部分上。