公开(公告)号：CN110047732A

公开(公告)日：2019-07-23

申请号：CN201811503187.1

申请日：2018-12-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李睃英 ,  郑舜旭 ,  具奉珍 ,  文平 ,  郑淑真

IPC: H01L21/02

Abstract: 公开了用于形成薄层的方法和设备。用于形成薄层的方法包括：提供包括图案的基底；在基底上形成结合层，结合层覆盖图案之间的间隙的内表面；在结合层上形成填充间隙的预备层；以及对预备层进行热处理以形成薄层。结合层是使用有机硅烷单体形成的自组装单体层。预备层由包括聚硅烷的可流动的组合物形成。

公开(公告)号：CN110047732B

公开(公告)日：2024-04-02

申请号：CN201811503187.1

申请日：2018-12-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李睃英 ,  郑舜旭 ,  具奉珍 ,  文平 ,  郑淑真

IPC: H01L21/02

Abstract: 公开了用于形成薄层的方法和设备。用于形成薄层的方法包括：提供包括图案的基底；在基底上形成结合层，结合层覆盖图案之间的间隙的内表面；在结合层上形成填充间隙的预备层；以及对预备层进行热处理以形成薄层。结合层是使用有机硅烷单体形成的自组装单体层。预备层由包括聚硅烷的可流动的组合物形成。