公开(公告)号：CN109411388A

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201810903569.7

申请日：2018-08-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑淑真 ,  具奉珍 ,  金局泰 ,  李仁善 ,  洪守珍

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/683

CPC classification number: C23C16/4408 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/4584 ,  H01L21/67 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/683

Abstract: 公开了一种衬底处理设备和清洁该设备的方法。该设备包括：处理室；支撑单元，其位于处理室中并且构造为支撑衬底；以及气体注入单元，其位于处理室中。气体注入单元包括：第一注入部，其构造为注入源气体；第二注入部，其面向第一注入部并构造为注入与源气体反应的反应气体；以及第三注入部，其构造为注入去除源气体和反应气体产生的反应物的清洁气体。

公开(公告)号：CN106637136B

公开(公告)日：2020-10-30

申请号：CN201610884328.3

申请日：2016-10-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑淑真 ,  李钟喆 ,  郑珉和 ,  申宰哲 ,  李仁善 ,  崔釿奎 ,  安重镒 ,  李承翰 ,  许真弼

IPC: C23C16/455

Abstract: 公开了一种气体供应单元和基底处理系统，所述基底处理系统可以包括：工艺室，在工艺室中执行对基底的工艺；支撑单元，在工艺室中用于支撑基底；气体供应单元，包括具有气体供应孔的气体供应部，并且气体供应孔被构造为将工艺气体供应到基底上；排放单元，被构造为将工艺气体从工艺室排出。气体供应部可以包括设置有气体供应孔的气体供应区域和在气体供应区域与排放单元之间的气体扩散区域。气体扩散区域可以没有气体供应孔。

公开(公告)号：CN106637136A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201610884328.3

申请日：2016-10-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑淑真 ,  李钟喆 ,  郑珉和 ,  申宰哲 ,  李仁善 ,  崔釿奎 ,  安重镒 ,  李承翰 ,  许真弼

IPC: C23C16/455

Abstract: 公开了一种气体供应单元和基底处理系统，所述基底处理系统可以包括：工艺室，在工艺室中执行对基底的工艺；支撑单元，在工艺室中用于支撑基底；气体供应单元，包括具有气体供应孔的气体供应部，并且气体供应孔被构造为将工艺气体供应到基底上；排放单元，被构造为将工艺气体从工艺室排出。气体供应部可以包括设置有气体供应孔的气体供应区域和在气体供应区域与排放单元之间的气体扩散区域。气体扩散区域可以没有气体供应孔。

公开(公告)号：CN1226722C

公开(公告)日：2005-11-09

申请号：CN02101586.4

申请日：2002-01-10

Applicant: 三星电子株式会社 ,  韩国科学技术院

Inventor： 李炅珍 ,  李宅东 ,  李仁善 ,  黄玟植

IPC: G11B5/62

CPC classification number: G11B5/64 ,  Y10S428/90 ,  Y10T428/12465 ,  Y10T428/12854 ,  Y10T428/265

Abstract: 提供了一种垂直磁记录介质。该垂直磁记录介质具有一个用于引起一个垂直磁记录层的垂直取向的底层，它被叠置在一个基底与该垂直磁记录层之间，且该垂直磁记录层的厚度被控制在大于等于5nm、小于30nm之内以具有一个负的成核场。

公开(公告)号：CN1366298A

公开(公告)日：2002-08-28

申请号：CN02101586.4

申请日：2002-01-10

Applicant: 三星电子株式会社 ,  韩国科学技术院

Inventor： 李炅珍 ,  李宅东 ,  李仁善 ,  黄玟植

IPC: G11B5/62

CPC classification number: G11B5/64 ,  Y10S428/90 ,  Y10T428/12465 ,  Y10T428/12854 ,  Y10T428/265

Abstract: 提供了一种垂直磁记录介质。该垂直磁记录介质具有一个用于引起一个垂直磁记录层的垂直取向的底层,它被叠置在一个基底与该垂直磁记录层之间,且该垂直磁记录层的厚度被控制在5－40nm之内以具有一个负的成核场。