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公开(公告)号：CN1571164A
公开(公告)日：2005-01-26
申请号：CN200410055021.X
申请日：2004-04-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78
CPC classification number: H01L29/78 , H01L23/4824 , H01L27/0203 , H01L27/088 , H01L29/0653 , H01L29/0692 , H01L29/1033 , H01L29/41758 , H01L29/4238 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种具有网型栅极电极的MOS晶体管，其包括在衬底表面上设置的网型栅极电极。该网型栅极电极包括多个彼此平行延伸的第一延长布线，以及多个彼此平行延伸的第二延长布线。第一延长布线与第二延长布线交叉以限定衬底表面上的栅极交叉区阵列，并进一步限定衬底的源极/漏极区阵列。为减少栅极电容，可在网型栅极电极下的衬底中设置至少一个氧化区。例如，氧化区阵列可分别设置在栅极交叉区阵列下。
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公开(公告)号：CN103985702B
公开(公告)日：2018-04-27
申请号：CN201410041396.4
申请日：2014-01-28
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 郑喆浩
CPC classification number: H01L28/40 , H01L23/5223 , H01L27/0805 , H01L27/108 , H01L28/90 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了电容器结构。该电容器结构包括在水平延伸方向上延伸的基板。第一栅极绝缘膜在基板上，第一栅极图案在第一栅极绝缘膜上。第一指形电极在第一栅极图案上，第二指形电极在第一栅极图案上并与第一电极交替地设置以在水平方向上与第一电极间隔开。第一电极连接到第一栅极图案，第二电极和第一栅极图案彼此绝缘。
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公开(公告)号：CN104051348B
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201410082905.8
申请日：2014-03-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8234 , H01L21/336 , H01L27/11546 , H01L29/423 , H01L29/788
CPC classification number: H01L21/823462 , H01L21/823456 , H01L27/11546 , H01L29/42324 , H01L29/66825 , H01L29/7881
Abstract: 本发明提供了半导体器件及其制造方法。在制造半导体器件的方法中，分离栅结构形成在衬底的单元区上，衬底包括单元区和逻辑区。逻辑区具有高压区域、超高压区域和低压区域，分离栅结构包括第一栅极绝缘层图案、浮置栅极、隧道绝缘层图案和控制栅极。间隔物层形成在分离栅结构和衬底上。间隔物层被蚀刻以在分离栅结构的侧壁上形成间隔物以及在衬底的超高压区域上形成第二栅极绝缘层图案。栅电极形成在衬底的高压区域、第二栅极绝缘层图案和衬底的低压区域的每个上。
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公开(公告)号：CN104051348A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410082905.8
申请日：2014-03-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8247 , H01L21/28 , H01L27/115 , H01L29/423
CPC classification number: H01L21/823462 , H01L21/823456 , H01L27/11546 , H01L29/42324 , H01L29/66825 , H01L29/7881
Abstract: 本发明提供了半导体器件及其制造方法。在制造半导体器件的方法中，分离栅结构形成在衬底的单元区上，衬底包括单元区和逻辑区。逻辑区具有高压区域、超高压区域和低压区域，分离栅结构包括第一栅极绝缘层图案、浮置栅极、隧道绝缘层图案和控制栅极。间隔物层形成在分离栅结构和衬底上。间隔物层被蚀刻以在分离栅结构的侧壁上形成间隔物以及在衬底的超高压区域上形成第二栅极绝缘层图案。栅电极形成在衬底的高压区域、第二栅极绝缘层图案和衬底的低压区域的每个上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103985702A
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201410041396.4
申请日：2014-01-28
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 郑喆浩
CPC classification number: H01L28/40 , H01L23/5223 , H01L27/0805 , H01L27/108 , H01L28/90 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了电容器结构。该电容器结构包括在水平延伸方向上延伸的基板。第一栅极绝缘膜在基板上，第一栅极图案在第一栅极绝缘膜上。第一指形电极在第一栅极图案上，第二指形电极在第一栅极图案上并与第一电极交替地设置以在水平方向上与第一电极间隔开。第一电极连接到第一栅极图案，第二电极和第一栅极图案彼此绝缘。
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公开(公告)号：CN1722364A
公开(公告)日：2006-01-18
申请号：CN200510078350.0
申请日：2005-02-08
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L28/10 , H01L21/764 , H01L27/08
Abstract: 本发明涉及其内具有空腔的沟槽结构及电感器。在形成其内具有宽的空腔的沟槽结构的方法中，在衬底中形成具有第一宽度和第一深度的第一沟槽。第一沟槽用在第一沟槽中限定空腔的第一绝缘层图案填充。第二沟槽形成在第一沟槽上。第二沟槽具有比第一宽度宽的第二宽度以及比第一深度浅的第二深度。第二沟槽用第二绝缘层图案填充。在包括第一沟槽和第二沟槽的衬底上的绝缘间层之后，在第二沟槽被定位的绝缘间层的部分上形成导电线从而在沟槽结构之上形成电感器。
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公开(公告)号：CN100505306C
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200410055021.X
申请日：2004-04-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78
CPC classification number: H01L29/78 , H01L23/4824 , H01L27/0203 , H01L27/088 , H01L29/0653 , H01L29/0692 , H01L29/1033 , H01L29/41758 , H01L29/4238 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种具有网型栅极电极的MOS晶体管，其包括在衬底表面上设置的网型栅极电极。该网型栅极电极包括多个彼此平行延伸的第一延长布线，以及多个彼此平行延伸的第二延长布线。第一延长布线与第二延长布线交叉以限定衬底表面上的栅极交叉区阵列，并进一步限定衬底的源极/漏极区阵列。为减少栅极电容，可在网型栅极电极下的衬底中设置至少一个氧化区。例如，氧化区阵列可分别设置在栅极交叉区阵列下。
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公开(公告)号：CN100495645C
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200510078350.0
申请日：2005-02-08
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L28/10 , H01L21/764 , H01L27/08
Abstract: 本发明涉及具有空腔的沟槽结构和包括沟槽结构的电感器及形成方法。形成沟槽结构的方法包括：在衬底上形成具有第一宽度和第一深度的深沟槽；通过用第一绝缘层图案以在所述深沟槽中限定空腔的方式填充所述深沟槽，在所述深沟槽中形成空腔；在所述深沟槽上形成浅沟槽。在所述深沟槽中形成所述空腔包括在平行于所述衬底的方向上从所述深沟槽内部侧壁的暴露部分处生长外延硅层，使得所述深沟槽的开口通过该外延硅层被部分地封闭，从而所述深沟槽具有宽度比所述深沟槽底部的宽度小的开口；以及在所述第二氮化物层图案上形成第三氧化物层图案，从而通过覆盖所述开口的顶部部分完成所述空腔。
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公开(公告)号：CN1734767A
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN200510084749.X
申请日：2005-07-20
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 郑喆浩
CPC classification number: H01L21/76229 , H01L23/5227 , H01L23/552 , H01L27/0617 , H01L27/08 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种集成电路器件和形成其的方法。所述集成电路器件包括半导体衬底和半导体衬底上的磁通线产生无源电子元件。伪栅极结构设置于半导体衬底上在无源电子元件下面的区域中。伪栅极包括多个部分，每个部分包括第一纵向延伸部分和第二纵向延伸部分。第二纵向延伸部分从第一纵向延伸部分的一端以一角度延伸。诸部分以基本相同的角度延伸且设置以相邻的嵌套的关系彼此偏移。
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