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公开(公告)号：CN103515441B
公开(公告)日：2018-04-27
申请号：CN201310169990.7
申请日：2013-05-09
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L29/7842 , H01L21/02532 , H01L21/02587 , H01L21/02636 , H01L21/02658 , H01L29/045 , H01L29/66636 , H01L29/66795 , H01L29/7848 , H01L29/785
Abstract: 本发明提供一种具有嵌入式应变感应图案的半导体器件，所述半导体器件可包括有源区域，所述有源区域具有在相对的源区和漏区之间提供沟道区域的翅片部分。栅电极可横跨位于相对的源区和漏区之间的沟道区域，第一应变感应结构和第二应变感应结构可位于栅电极的相对两侧上，并可被构造成感应沟道区域上的应变，其中，第一应变感应结构和第二应变感应结构中的每个包括具有一对{111}晶面的相应的面对侧。
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公开(公告)号：CN1722364A
公开(公告)日：2006-01-18
申请号：CN200510078350.0
申请日：2005-02-08
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L28/10 , H01L21/764 , H01L27/08
Abstract: 本发明涉及其内具有空腔的沟槽结构及电感器。在形成其内具有宽的空腔的沟槽结构的方法中，在衬底中形成具有第一宽度和第一深度的第一沟槽。第一沟槽用在第一沟槽中限定空腔的第一绝缘层图案填充。第二沟槽形成在第一沟槽上。第二沟槽具有比第一宽度宽的第二宽度以及比第一深度浅的第二深度。第二沟槽用第二绝缘层图案填充。在包括第一沟槽和第二沟槽的衬底上的绝缘间层之后，在第二沟槽被定位的绝缘间层的部分上形成导电线从而在沟槽结构之上形成电感器。
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公开(公告)号：CN103515441A
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201310169990.7
申请日：2013-05-09
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L29/7842 , H01L21/02532 , H01L21/02587 , H01L21/02636 , H01L21/02658 , H01L29/045 , H01L29/66636 , H01L29/66795 , H01L29/7848 , H01L29/785
Abstract: 本发明提供一种具有嵌入式应变感应图案的半导体器件，所述半导体器件可包括有源区域，所述有源区域具有在相对的源区和漏区之间提供沟道区域的翅片部分。栅电极可横跨位于相对的源区和漏区之间的沟道区域，第一应变感应结构和第二应变感应结构可位于栅电极的相对两侧上，并可被构造成感应沟道区域上的应变，其中，第一应变感应结构和第二应变感应结构中的每个包括具有一对{111}晶面的相应的面对侧。
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公开(公告)号：CN100495645C
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200510078350.0
申请日：2005-02-08
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L28/10 , H01L21/764 , H01L27/08
Abstract: 本发明涉及具有空腔的沟槽结构和包括沟槽结构的电感器及形成方法。形成沟槽结构的方法包括：在衬底上形成具有第一宽度和第一深度的深沟槽；通过用第一绝缘层图案以在所述深沟槽中限定空腔的方式填充所述深沟槽，在所述深沟槽中形成空腔；在所述深沟槽上形成浅沟槽。在所述深沟槽中形成所述空腔包括在平行于所述衬底的方向上从所述深沟槽内部侧壁的暴露部分处生长外延硅层，使得所述深沟槽的开口通过该外延硅层被部分地封闭，从而所述深沟槽具有宽度比所述深沟槽底部的宽度小的开口；以及在所述第二氮化物层图案上形成第三氧化物层图案，从而通过覆盖所述开口的顶部部分完成所述空腔。
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