公开(公告)号：CN113206188A

公开(公告)日：2021-08-03

申请号：CN202011284446.3

申请日：2020-11-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金容才 ,  郑求训 ,  高宽协 ,  权倍成 ,  南坰兑

IPC: H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  H01L27/22

Abstract: 一种磁性存储器装置，包括：下接触插塞，其位于衬底上；以及数据存储结构，其位于下接触插塞上。数据存储结构包括顺序地堆叠在下接触插塞上的底部电极、磁性隧道结图案和顶部电极。下接触插塞和数据存储结构在与衬底的顶表面垂直的第一方向上分别具有第一厚度和第二厚度。下接触插塞的第一厚度为数据存储结构的第二厚度的大约2.0倍至3.6倍。

公开(公告)号：CN104051348B

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201410082905.8

申请日：2014-03-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳泰光 ,  权倍成 ,  金龙泰 ,  郑喆浩 ,  崔容硕

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/336 ,  H01L27/11546 ,  H01L29/423 ,  H01L29/788

CPC classification number: H01L21/823462 ,  H01L21/823456 ,  H01L27/11546 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7881

Abstract: 本发明提供了半导体器件及其制造方法。在制造半导体器件的方法中，分离栅结构形成在衬底的单元区上，衬底包括单元区和逻辑区。逻辑区具有高压区域、超高压区域和低压区域，分离栅结构包括第一栅极绝缘层图案、浮置栅极、隧道绝缘层图案和控制栅极。间隔物层形成在分离栅结构和衬底上。间隔物层被蚀刻以在分离栅结构的侧壁上形成间隔物以及在衬底的超高压区域上形成第二栅极绝缘层图案。栅电极形成在衬底的高压区域、第二栅极绝缘层图案和衬底的低压区域的每个上。

公开(公告)号：CN104051348A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201410082905.8

申请日：2014-03-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳泰光 ,  权倍成 ,  金龙泰 ,  郑喆浩 ,  崔容硕

IPC: H01L21/8247 ,  H01L21/28 ,  H01L27/115 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L21/823462 ,  H01L21/823456 ,  H01L27/11546 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7881

Abstract: 本发明提供了半导体器件及其制造方法。在制造半导体器件的方法中，分离栅结构形成在衬底的单元区上，衬底包括单元区和逻辑区。逻辑区具有高压区域、超高压区域和低压区域，分离栅结构包括第一栅极绝缘层图案、浮置栅极、隧道绝缘层图案和控制栅极。间隔物层形成在分离栅结构和衬底上。间隔物层被蚀刻以在分离栅结构的侧壁上形成间隔物以及在衬底的超高压区域上形成第二栅极绝缘层图案。栅电极形成在衬底的高压区域、第二栅极绝缘层图案和衬底的低压区域的每个上。

公开(公告)号：CN112186100A

公开(公告)日：2021-01-05

申请号：CN202010344734.7

申请日：2020-04-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权倍成

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  G11C11/16

Abstract: 提供一种磁阻随机存取存储(MRAM)装置及其制造方法，所述装置包括：衬底；存储单元，所述存储单元包括顺序堆叠在所述衬底上的下电极、磁隧道结(MTJ)结构和上电极；钝化图案，所述钝化图案位于所述存储单元的侧壁上；通路，所述通路位于所述存储单元上并与所述上电极接触；和布线，所述布线位于所述通路上并与所述通路接触，其中，所述上电极的中央部分在基本垂直于所述衬底的上表面的垂直方向上从所述上电极的其余部分突出。

公开(公告)号：CN112071876A

公开(公告)日：2020-12-11

申请号：CN202010391513.5

申请日：2020-05-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权倍成 ,  金容才 ,  南坰兑 ,  郑求训

IPC: H01L27/22 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

Abstract: 一种磁存储器件包括：在基板上的下接触插塞；在下接触插塞上的磁隧道结图案；底电极，在下接触插塞和磁隧道结图案之间并与磁隧道结图案的底表面接触；以及顶电极，在磁隧道结图案的顶表面上。底电极、磁隧道结图案和顶电极中的每个在垂直于基板的顶表面的第一方向上具有厚度。底电极的第一厚度是磁隧道结图案的第二厚度的约0.6至1.1倍。