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公开(公告)号：CN102478343A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201110380879.3
申请日：2011-11-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: F25D25/02
CPC classification number: F25D25/025
Abstract: 本发明提供一种冰箱及其容器组件。所述冰箱包括：容器，设置在主体的贮藏室中，使得该容器从贮藏室向前运动及向后运动到贮藏室内；盖，铰接式地设置在容器上；联动单元，当容器向前运动预定距离时，联动单元使容器的向前运动和向后运动与盖的铰接式旋转联动。
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公开(公告)号：CN1828900B
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200610004555.9
申请日：2006-01-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 半导体器件包括具有垂直栅电极的晶体管。在晶体管结构中，半导体图案具有面对横向方向的第一和第二侧面、以及面对纵向方向的第三和第四侧面。栅极图案设置与半导体图案的第一和第二侧面相邻。杂质图案直接接触半导体图案的第三或第四侧面。栅极绝缘图案夹置于栅极图案和半导体图案之间。
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公开(公告)号：CN100481351C
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200510065634.6
申请日：2005-02-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L21/8239 , H01L29/788 , H01L27/10
CPC classification number: H01L27/11521 , H01L27/115 , H01L29/42324 , H01L29/7885
Abstract: 提供了具有自对准的浮栅和控制栅结构的非易失分裂栅存储器单元和用于制造该存储器单元的示例性工艺，其对于分裂栅元件的相对长度和间隔提供了改善的尺寸控制。每个控制栅包括在相关浮栅的至少一部分的上方延伸的突出部分，该突出部分的尺寸由第一牺牲多晶硅间隙壁确定，当其被除去时，在中间绝缘结构中产生凹陷区域。然后形成控制栅以作为与中间绝缘结构相邻的多晶硅间隙壁，延伸到凹陷区域中的间隙壁部分决定了突出部分的尺寸和间隔以及将分裂栅电极的上部隔开的多晶硅间氧化物的厚度，由此提供改善的性能和可制造性。
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公开(公告)号：CN101278820A
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：CN200810082618.1
申请日：2008-02-27
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: A47L9/009 , A47L2201/04 , G05D1/0219 , G05D1/0238 , G05D1/0255 , G05D1/027 , G05D1/0272 , G05D2201/0203
Abstract: 本发明提供了一种沿墙机器人吸尘器和控制该沿墙机器人吸尘器的方法。该机器人吸尘器基于允许其沿着待清洁区域的轮廓行进的沿墙技术可以均匀地清洁待清洁区域。根据允许机器人吸尘器沿左墙行进的基于左侧的行进算法或者沿右墙行进的基于右侧的行进算法，所述方法选择机器人吸尘器处于开始位置的机器人吸尘器的左侧或者右侧的墙作为参照墙，并且控制机器人吸尘器使其按照之字形行进图案在待清洁区域上行进，所述之字形行进图案是：机器人吸尘器在沿着选择的第一参照墙行进的同时，沿着已选择的第一参照墙以特定间隔在与第一参照墙垂直的方向上运动第二预定距离。
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公开(公告)号：CN101095606A
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：CN200710104521.1
申请日：2007-05-25
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种机器人清洁器系统及其控制方法减小了制造成本，扩大的探测距离，并准确地控制机器人清洁器的移动和定位。该机器人清洁器系统包括机器人清洁器和站。该机器人清洁器和该站之一发射预定频率的信号，并且另一个接收该信号，以便：基于接收信号的接收侧所观察的多普勒频移，探测朝向用于发射信号的发射侧的方向。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103797594A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201180073508.9
申请日：2011-08-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L33/50
CPC classification number: G02B6/0073 , H01L33/486 , H01L33/505 , H01L2924/0002 , H01L2933/0041 , H01L2933/005 , H01L2933/0066 , H01L2924/00
Abstract: 根据本发明的一个方面提供了一种波长转换发光二极管（LED）芯片以及用于制造该波长转换LED芯片的方法，其中所述方法包括步骤：将多个LED芯片附接至临时支撑板的顶面上的芯片排列区域，使得形成了至少一个电极的表面朝向上部；在各个LED芯片的电极上形成导电凸块；在芯片排列区域上形成含荧光物质树脂封装部件以覆盖导电凸块；抛光含荧光物质树脂封装部件以暴露该含荧光物质树脂封装部件的顶面上的导电凸块；切割LED芯片之间的含荧光物质树脂封装部件，以形成波长转换LED芯片（在此，通过含荧光物质树脂封装部件获得的波长转换层形成在波长转换LED芯片的侧表面和顶面上）；以及从波长转换LED芯片去除临时支撑板。
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公开(公告)号：CN102136293A
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN201010624510.8
申请日：2010-12-31
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/0483 , G11C16/10
Abstract: 本发明公开一种非易失性半导体存储装置的编程方法，所述编程方法利用负偏置电压。所述方法包括：在编程模式中，在同一存储器块中导通连接到被选择的位线的串选择晶体管并截止连接到未被选择的字线的串选择晶体管。这可以通过将负偏置电压施加到体基底并施加电压电平高于连接到被选择的位线的串选择晶体管的阈值电压并低于连接到未被选择的位线的串选择晶体管的阈值电压的电压来实现。所述方法可以减小在被选择的单元串和未被选择的单元串之间的编程干扰。
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公开(公告)号：CN100576568C
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200610067866.X
申请日：2006-03-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/788 , H01L29/423 , H01L27/115 , H01L21/336 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L27/11521 , H01L21/28273 , H01L27/115 , H01L29/42328 , H01L29/7885
Abstract: 披露了非易失性存储器件以及制造非易失性存储器件的方法。更具体地说，提供了这样一种分裂栅极储存器件，其具有的架构提供了增强的浮置栅极耦合比，由此能够提高写入和擦除效率和性能。
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公开(公告)号：CN100495732C
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200410100545.6
申请日：2004-09-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/788 , H01L29/792 , H01L27/115 , H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L27/115 , H01L21/28282 , H01L27/11568 , H01L29/4232 , H01L29/792
Abstract: 本发明涉及局部长度氮化物SONOS器件及其制造方法，其中提供一个局部长度氮化物浮栅结构，用于减少或避免氮化物浮栅中的横向电子迁移。该结构包括一个导致器件具有较低的阈值电压的薄栅氧化物。另外，局部长度氮化物层是自对准的，这避免氮化物的对准偏差，因此导致器件间阈值电压变化的减小。
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公开(公告)号：CN102136293B
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201010624510.8
申请日：2010-12-31
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/0483 , G11C16/10
Abstract: 本发明公开一种非易失性半导体存储装置的编程方法，所述编程方法利用负偏置电压。所述方法包括：在编程模式中，在同一存储器块中导通连接到被选择的位线的串选择晶体管并截止连接到未被选择的字线的串选择晶体管。这可以通过将负偏置电压施加到体基底并施加电压电平高于连接到被选择的位线的串选择晶体管的阈值电压并低于连接到未被选择的位线的串选择晶体管的阈值电压的电压来实现。所述方法可以减小在被选择的单元串和未被选择的单元串之间的编程干扰。
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