公开(公告)号：CN104051348B

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201410082905.8

申请日：2014-03-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳泰光 ,  权倍成 ,  金龙泰 ,  郑喆浩 ,  崔容硕

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/336 ,  H01L27/11546 ,  H01L29/423 ,  H01L29/788

CPC classification number: H01L21/823462 ,  H01L21/823456 ,  H01L27/11546 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7881

Abstract: 本发明提供了半导体器件及其制造方法。在制造半导体器件的方法中，分离栅结构形成在衬底的单元区上，衬底包括单元区和逻辑区。逻辑区具有高压区域、超高压区域和低压区域，分离栅结构包括第一栅极绝缘层图案、浮置栅极、隧道绝缘层图案和控制栅极。间隔物层形成在分离栅结构和衬底上。间隔物层被蚀刻以在分离栅结构的侧壁上形成间隔物以及在衬底的超高压区域上形成第二栅极绝缘层图案。栅电极形成在衬底的高压区域、第二栅极绝缘层图案和衬底的低压区域的每个上。

公开(公告)号：CN107459516A

公开(公告)日：2017-12-12

申请号：CN201710412902.X

申请日：2017-06-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔容硕 ,  权五逵 ,  林允熙 ,  崔惠成 ,  韩文奎 ,  涩谷宽政 ,  陈勇完 ,  柴田胜则

IPC: C07D421/12 ,  C07D421/04 ,  C07D471/04 ,  C07D495/04 ,  C07D513/04 ,  C07D513/14 ,  C07D471/14 ,  C07D421/14 ,  C07F7/08 ,  C07F7/30 ,  C07D517/04 ,  H01L51/46 ,  H01L27/146 ,  H04N5/225

CPC classification number: H01L51/0053 ,  C07B59/002 ,  C07D421/04 ,  C07D421/14 ,  C07D471/04 ,  C07D471/14 ,  C07D495/04 ,  C07D495/14 ,  C07D513/04 ,  C07D517/04 ,  C07F7/0816 ,  C09B15/00 ,  C09B21/00 ,  C09B23/04 ,  C09B57/00 ,  H01L27/307 ,  H01L51/0062 ,  H01L51/0071 ,  H01L51/0072 ,  H01L51/0074 ,  H01L51/0094 ,  H01L51/4253 ,  C07D421/12 ,  C07D513/14 ,  C07F7/30 ,  H01L27/14643 ,  H01L51/0067 ,  H01L51/0068 ,  H01L51/0069 ,  H04N5/2253

Abstract: 公开了由化学式1表示的化合物以及包括其的光电器件、图像传感器、和电子设备。在化学式1中，各取代基与详述的说明书中定义的相同。[化学式1]

公开(公告)号：CN104051348A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201410082905.8

申请日：2014-03-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳泰光 ,  权倍成 ,  金龙泰 ,  郑喆浩 ,  崔容硕

IPC: H01L21/8247 ,  H01L21/28 ,  H01L27/115 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L21/823462 ,  H01L21/823456 ,  H01L27/11546 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7881

Abstract: 本发明提供了半导体器件及其制造方法。在制造半导体器件的方法中，分离栅结构形成在衬底的单元区上，衬底包括单元区和逻辑区。逻辑区具有高压区域、超高压区域和低压区域，分离栅结构包括第一栅极绝缘层图案、浮置栅极、隧道绝缘层图案和控制栅极。间隔物层形成在分离栅结构和衬底上。间隔物层被蚀刻以在分离栅结构的侧壁上形成间隔物以及在衬底的超高压区域上形成第二栅极绝缘层图案。栅电极形成在衬底的高压区域、第二栅极绝缘层图案和衬底的低压区域的每个上。

公开(公告)号：CN100474567C

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN200410081976.2

申请日：2004-12-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金载晟 ,  崔容硕 ,  尹胜范 ,  金龙泰 ,  朴永森

IPC: H01L21/8247 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/115 ,  H01L27/105 ,  H01L29/788

CPC classification number: H01L27/11521 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/115 ,  H01L29/42328

Abstract: 本发明公开一种包括形成在半导体基底上的通道介电层、浮动栅层、层间介电层和至少两个模层的闪存器件及其制造方法。通过顺序对所述层布图，形成彼此对准的第一模层布图和浮动栅层布图。有选择地横向蚀刻第一模层布图的侧面的露出部分，从而形成在其侧面内具有凹槽的第一模层第二布图。在半导体基底上形成邻近浮动栅层布图的栅介电层。在栅介电层上形成控制栅，该控制栅的宽度由所述第二模层布图中的凹槽预定。通过除去第一模层第二布图，在控制栅的侧壁上形成间隔件。使用所述间隔件作为蚀刻掩膜有选择地蚀刻层间介电层的露出部分和浮动栅层布图，从而形成浮动栅，其宽度由所述凹槽和间隔件的宽度决定。

公开(公告)号：CN1841783A

公开(公告)日：2006-10-04

申请号：CN200610009391.9

申请日：2006-03-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜盛泽 ,  尹胜范 ,  韩晶昱 ,  田喜锡 ,  崔容硕 ,  徐辅永 ,  权赫基

IPC: H01L29/788 ,  H01L29/40 ,  H01L27/115 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L29/7885 ,  G11C16/0425 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/42328

Abstract: 披露了非易失性存储器件以及制造非易失性存储器件的方法。更具体地说，提供了这样一种分裂栅极储存器件，其具有的架构提供增强的浮置栅极耦合比，由此能够提高写入和擦除效率和性能。

公开(公告)号：CN1576992A

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN200410038323.6

申请日：2004-05-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔容硕 ,  朴钟大

IPC: G02F1/1335 ,  G02F1/133

CPC classification number: G02F1/133308 ,  G02F1/133604 ,  G02F2001/133314 ,  G02F2001/133322 ,  G02F2201/46

Abstract: 本发明涉及一种接受单元，该接受单元可接受显示图像的显示面板以及为该显示面板提供光的灯。该接受单元包括接受件、结合件、以及覆盖件。该接受件包括底板和从该底板的边缘突出的第一侧壁。将结合件与接受件结合，而结合件包括第一孔。该覆盖件包括上板和从该上板的边缘突出的第二侧壁。该覆盖件包括具有与第一孔对应的第二孔的第一结合部。该接受单元在组装液晶显示组件的过程中可以提高生产率。此外，该结合件防止接受单元的畸变。

公开(公告)号：CN1479142A

公开(公告)日：2004-03-03

申请号：CN03152465.6

申请日：2003-06-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李正焕 ,  朴钟大 ,  李汰真 ,  崔容硕 ,  韩丙雄

IPC: G02F1/13357 ,  G02F1/1333 ,  H01L21/00

CPC classification number: G02F1/133608 ,  G02F1/133604 ,  G02F1/133605 ,  G02F2001/133317 ,  G02F2001/133334 ,  G02F2001/133612 ,  G02F2201/46

Abstract: 本发明公开了一种包括噪声屏蔽元件的LCD装置。该噪声屏蔽元件是包括透明薄膜的透明导电元件，在该透明薄膜上涂覆有透明导电层。该噪声屏蔽元件也可以是散布在光学片上的透明导电层。透明导电层包括ITO或IZO。将该噪声屏蔽元件设置在散射板之下或夹在光学片之间。也可将该噪声屏蔽元件设置在LCD面板之下。可以从LCD面板中屏蔽掉由提供给背光组件的灯的电源信号产生的噪声。而且，该噪声屏蔽元件和光学片通过各种接地元件连接到LCD装置的底壳上，由此连接到地电位，并且处于电稳定状态。因此，改善了LCD装置的显示质量。

公开(公告)号：CN111192962B

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN201911034343.9

申请日：2019-10-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许哲准 ,  朴敬培 ,  姜铉范 ,  朴性俊 ,  朴正一 ,  白铁 ,  申智琇 ,  尹晟荣 ,  李启滉 ,  李敦旭 ,  李恩庆 ,  陈勇完 ,  崔容硕 ,  崔泰溱

IPC: H10K30/60 ,  H10K39/32 ,  H10K85/60

Abstract: 本发明涉及光电转换器件及有机传感器和电子设备。光电转换器件包括彼此面对的第一电极和第二电极、在所述第一电极和所述第二电极之间且配置为吸收在光的波长谱的至少一部分中的光并将其转换为电信号的光电转换层、以及在所述第一电极和所述光电转换层之间且具有比光电转换层的电荷迁移率高的电荷迁移率的有机辅助层。有机传感器可包括所述光电转换器件。电子设备可包括所述有机传感器。

公开(公告)号：CN109694374B

公开(公告)日：2023-11-14

申请号：CN201811227739.0

申请日：2018-10-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申智琇 ,  崔容硕 ,  柴田胜则 ,  崔泰溱 ,  尹晟荣 ,  权五逵 ,  金相模 ,  涩谷宽政 ,  李启滉 ,  陈勇完 ,  崔惠成 ,  白铁 ,  洪慧林

IPC: C07D421/04 ,  C07D421/14 ,  C07D471/04 ,  C07D471/14 ,  C07F7/08 ,  C07F7/30 ,  H10K85/40 ,  H10K85/60 ,  H10K39/32

Abstract: 公开化合物以及包括其的光电器件、图像传感器、和电子设备。所述化合物由化学式1表示。在化学式1中，各基团与在具体实施方式部分中定义的相同。[化学式1]#imgabs0#

公开(公告)号：CN116564989A

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN202310060133.7

申请日：2023-01-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔容硕 ,  李守烈 ,  李庭旭 ,  崔荣进

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/00 ,  H01L33/06

Abstract: 提供半导体发光装置和制造该半导体发光装置的方法。半导体发光装置包括：第一导电类型半导体层，其在其上部中具有彼此间隔开的多个杆；多个有源层，其分别形成在多个杆的上表面上；多个第二导电类型半导体层，其分别形成在多个有源层的上表面上；绝缘间隔件，其共形地形成在多个杆之间，围绕多个有源层中的每一个的所有侧壁，并且覆盖多个第二导电类型半导体层中的每一个的侧壁的一部分；第一电极层，其与第一导电类型半导体层的下部接触；以及第二电极层，其填充绝缘间隔件的内部空间并且与多个第二导电类型半导体层接触。