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公开(公告)号：CN1828868A
公开(公告)日：2006-09-06
申请号：CN200610007030.0
申请日：2006-02-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/82 , H01L21/768 , H01L27/146 , H01L23/522
CPC classification number: H01L27/14636 , H01L27/14627 , H01L27/14632 , H01L27/14687
Abstract: 本发明涉及具有改善的灵敏度的图像传感器及其制造方法。该图像传感器包括：衬底，其具有有源像素区域，外围电路区域围绕所述有源像素区域；多个光转换元件，其设置在所述有源像素区域中，每个光转换元件配置为通过透镜和形成在多个层间电介质层之间的开口接收光，所述多个层间电介质层在所述衬底上形成于彼此之上；以及多个互连，其电连接到设置在所述有源像素区域内的所述光转换元件，其中所述透镜与所述光转换元件之间的距离短于所述衬底与所述外围电路区域中的顶层间电介质之间的距离。
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公开(公告)号：CN1747178A
公开(公告)日：2006-03-15
申请号：CN200510103838.4
申请日：2005-09-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L21/82
CPC classification number: H01L27/14627 , H01L27/14685
Abstract: 公开了一种互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器及其制造方法。所述CMOS图像传感器包括具有光电二极管区和晶体管区的半导体衬底。在位于所述光电二极管区上的微透镜和形成于半导体衬底上的光电二极管之间形成一光路。所述光路包括在位于光电二极管区上的金属间绝缘层和形成于内部透镜上的透明光学区域之间形成的内部透镜。所述透明光学区域通常具有与所述内部透镜不同的折射率。
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公开(公告)号：CN100505306C
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200410055021.X
申请日：2004-04-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78
CPC classification number: H01L29/78 , H01L23/4824 , H01L27/0203 , H01L27/088 , H01L29/0653 , H01L29/0692 , H01L29/1033 , H01L29/41758 , H01L29/4238 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种具有网型栅极电极的MOS晶体管，其包括在衬底表面上设置的网型栅极电极。该网型栅极电极包括多个彼此平行延伸的第一延长布线，以及多个彼此平行延伸的第二延长布线。第一延长布线与第二延长布线交叉以限定衬底表面上的栅极交叉区阵列，并进一步限定衬底的源极/漏极区阵列。为减少栅极电容，可在网型栅极电极下的衬底中设置至少一个氧化区。例如，氧化区阵列可分别设置在栅极交叉区阵列下。
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公开(公告)号：CN1913103A
公开(公告)日：2007-02-14
申请号：CN200610128572.3
申请日：2006-08-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/768 , H01L21/82 , H01L21/8242 , H01L27/00 , H01L27/108 , H01L23/522
CPC classification number: H01L28/40 , H01L23/5223 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开一种形成MIM电容器的电介质层的方法，其包括在MIM电容器的电介质层上形成钝化层，以防止电介质层直接接触叠加的光敏抗蚀剂图案。还公开了有关的电容器结构。
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公开(公告)号：CN1708099A
公开(公告)日：2005-12-14
申请号：CN200510076161.X
申请日：2005-06-08
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李德珉
IPC: H04N3/15 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14643 , H01L27/14609 , H01L27/14641 , H04N5/374
Abstract: 提供一种有源像素传感器(APS)单元，其使用电荷放大部件来放大由光接收部件生成的电荷，此后处理相应于电荷的放大形式的输出电流或电压。光接收部件接收光信号，并相应于所接收的光信号，生成空穴或电子，电荷放大部件接收并放大所述电子或空穴。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100552964C
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200510109624.8
申请日：2005-09-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L21/822
CPC classification number: H01L27/14687 , H01L27/14609 , H01L27/14689
Abstract: 提供了一种可靠的图像传感器及形成其的方法。所述图像传感器包括光电探测器件。至少一个晶体管电连接到该光电器件用于输出存储在该光电探测器件中的电荷。直接连接到该光电探测器件的晶体管包括栅极电极图案和设置在该栅极电极图案上的离子注入阻隔图案。由于该离子注入阻隔图案位于光电探测器件附近的晶体管的栅极电极图案的上部，在该光电探测器件附近的晶体管的栅极电极图案的域值电压可调整到期望值。
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公开(公告)号：CN100452292C
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200610128572.3
申请日：2006-08-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/768 , H01L21/82 , H01L21/8242 , H01L27/00 , H01L27/108 , H01L23/522
CPC classification number: H01L28/40 , H01L23/5223 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开一种形成MIM电容器的电介质层的方法，其包括在MIM电容器的电介质层上形成钝化层，以防止电介质层直接接触叠加的光敏抗蚀剂图案。还公开了有关的电容器结构。
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公开(公告)号：CN1571164A
公开(公告)日：2005-01-26
申请号：CN200410055021.X
申请日：2004-04-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78
CPC classification number: H01L29/78 , H01L23/4824 , H01L27/0203 , H01L27/088 , H01L29/0653 , H01L29/0692 , H01L29/1033 , H01L29/41758 , H01L29/4238 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种具有网型栅极电极的MOS晶体管，其包括在衬底表面上设置的网型栅极电极。该网型栅极电极包括多个彼此平行延伸的第一延长布线，以及多个彼此平行延伸的第二延长布线。第一延长布线与第二延长布线交叉以限定衬底表面上的栅极交叉区阵列，并进一步限定衬底的源极/漏极区阵列。为减少栅极电容，可在网型栅极电极下的衬底中设置至少一个氧化区。例如，氧化区阵列可分别设置在栅极交叉区阵列下。
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公开(公告)号：CN101304238A
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200810096749.5
申请日：2008-05-09
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李德珉
IPC: H03F1/30 , G09G3/36 , H03K17/687
CPC classification number: H03F1/32 , G05F3/205 , H03F3/393 , H03F2200/27 , H03K5/1515
Abstract: 偏置开关电路的实施例，可包括：响应于第一开关信号将偏置电压传输到第一输出节点的第一转换开关；响应于第二开关信号将第一供电电压传输到第一输出节点的第二转换开关；响应于第二开关信号将偏置电压传输到第二输出节点的第三转换开关；响应于第一开关信号将第一供电电压传输到第二输出节点的第四转换开关。该电路可进一步包括：响应于第三开关信号将第二供电电压传输到第一输出节点的第一晶体管；以及响应于第四开关信号将第二供电电压传输到第二输出节点的第二晶体管。
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公开(公告)号：CN1767201A
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：CN200510109624.8
申请日：2005-09-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L21/822
CPC classification number: H01L27/14687 , H01L27/14609 , H01L27/14689
Abstract: 提供了一种可靠的图像传感器及形成其的方法。所述图像传感器包括光电探测器件。至少一个晶体管电连接到该光电器件用于输出存储在该光电探测器件中的电荷。直接连接到该光电探测器件的晶体管包括栅极电极图案和设置在该栅极电极图案上的离子注入阻隔图案。由于该离子注入阻隔图案位于光电探测器件附近的晶体管的栅极电极图案的上部，在该光电探测器件附近的晶体管的栅极电极图案的域值电压可调整到期望值。
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