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公开(公告)号：CN109786201A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201811215149.6
申请日：2018-10-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32724 , H01J37/3211 , H01J37/32119 , H01J37/32449 , H01J2237/0266 , H01J2237/032 , H01J2237/327 , H01L21/6833 , H01L21/68735
Abstract: 提供了一种等离子体处理装置，用于在等离子体工艺期间控制腔室的边缘区域处的等离子体分布，从而对半导体基板可靠地执行等离子体工艺。该等离子体处理装置包括：腔室，包括限定反应空间的外壁和覆盖外壁的上部的窗口；线圈天线，设置在窗口之上并包括至少两个线圈；以及静电吸盘(ESC)，设置在腔室的下部中，其中电极位于ESC内，其中该电极包括第一电极和至少一个第二电极，该第一电极用于吸附，该至少一个第二电极提供在ESC的内部的边缘处从而相对于ESC的顶表面具有倾斜。
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公开(公告)号：CN109659228A
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201811126880.1
申请日：2018-09-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/308 , H01L21/3065
Abstract: 本申请提供了一种图案形成方法和一种衬底蚀刻方法。一种形成半导体器件图案的方法，包括：在衬底上形成包含第一碳化合物的光刻胶图案；改良所述光刻胶图案的顶表面，以在所述光刻胶图案上形成包含不同于所述第一碳化合物的第二碳化合物的上掩模层；以及使用所述上掩模层和所述光刻胶图案作为蚀刻掩模，蚀刻所述衬底的一部分。
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公开(公告)号：CN111128667B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN201910932187.1
申请日：2019-09-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开提供了用于向等离子体腔室提供气体的装置和等离子体处理装置。一种等离子体处理装置被提供有腔室，该腔室包括配置为执行晶片的处理工艺的空间。支撑构件设置在腔室内部并配置为支撑晶片。气体供应单元配置为在不同的方向上朝向支撑构件注入混合气体。混合气体的压力通过向反应气体添加惰性气体来控制。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109659228B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN201811126880.1
申请日：2018-09-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/308 , H01L21/3065
Abstract: 本申请提供了一种图案形成方法和一种衬底蚀刻方法。一种形成半导体器件图案的方法，包括：在衬底上形成包含第一碳化合物的光刻胶图案；改良所述光刻胶图案的顶表面，以在所述光刻胶图案上形成包含不同于所述第一碳化合物的第二碳化合物的上掩模层；以及使用所述上掩模层和所述光刻胶图案作为蚀刻掩模，蚀刻所述衬底的一部分。
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公开(公告)号：CN110752133B
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN201910639176.4
申请日：2019-07-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01J37/02 , H01J37/20 , H01J37/305 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供了基板支撑设备及具有基板支撑设备的等离子体处理设备。所述基板支撑设备包括：用于支撑基板的基板台，和沿着基板台的圆周的接地环组件。所述接地环组件包括：接地环体，所述接地环体具有沿着其圆周部分的多个凹陷；以及能移动以被容纳在所述多个凹陷中的相应的凹陷中的多个接地块，所述多个接地块包括用于电接地的导电材料。
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公开(公告)号：CN110752133A
公开(公告)日：2020-02-04
申请号：CN201910639176.4
申请日：2019-07-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01J37/02 , H01J37/20 , H01J37/305 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供了基板支撑设备及具有基板支撑设备的等离子体处理设备。所述基板支撑设备包括：用于支撑基板的基板台，和沿着基板台的圆周的接地环组件。所述接地环组件包括：接地环体，所述接地环体具有沿着其圆周部分的多个凹陷；以及能移动以被容纳在所述多个凹陷中的相应的凹陷中的多个接地块，所述多个接地块包括用于电接地的导电材料。
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公开(公告)号：CN110729224A
公开(公告)日：2020-01-24
申请号：CN201910138038.8
申请日：2019-02-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/677 , H01L21/67
Abstract: 本申请提供了装载锁模块和包括其的半导体制造设备。半导体制造设备包括：装载锁模块，其包括其中容纳衬底容器的装载锁室，其中装载锁模块被构造为在大气压强与真空之间切换装载锁室的内部压强；以及转移模块，其被构造为在容纳于装载锁室中的衬底容器与用于对衬底执行半导体制造处理的处理模块之间转移衬底，其中，装载锁模块包括：净化气体供应单元，其被构造为通过连接至衬底容器的气体供应线路将净化气体供应至衬底容器中；以及排放单元，其被构造为通过连接至衬底容器的排气线路排放衬底容器中的气体。
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公开(公告)号：CN111128667A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201910932187.1
申请日：2019-09-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开提供了用于向等离子体腔室提供气体的装置和等离子体处理装置。一种等离子体处理装置被提供有腔室，该腔室包括配置为执行晶片的处理工艺的空间。支撑构件设置在腔室内部并配置为支撑晶片。气体供应单元配置为在不同的方向上朝向支撑构件注入混合气体。混合气体的压力通过向反应气体添加惰性气体来控制。
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