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发明公开
半导体存储器装置审中-公开

公开(公告)号：CN120035135A

公开(公告)日：2025-05-23

申请号：CN202411256501.6

申请日：2024-09-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李到瑾 , 金亮阧 , 朴相郁 , 徐旻揆 , 李建烨 , 李志惠 , 洪定杓

IPC: H10B12/00 , H01L23/64

Abstract: 一种半导体存储器装置包括：导电图案，在基底上；下电极，连接到导电图案，并包括第一和第二部分；一个或多个电极侧壁支撑件，支撑下电极并接触下电极的侧壁；电极覆盖支撑件，设置在下电极上并接触下电极的顶面；电容器介电膜，在下电极、电极侧壁支撑件和电极覆盖支撑件上；以及上电极，在电容器介电膜上。下电极的第一部分随着其远离导电图案在第一方向上具有增大的宽度，并且下电极的第一部分的侧壁的斜率与下电极的第二部分的侧壁的斜率不同。

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