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公开(公告)号：CN110908488B
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN201910840793.0
申请日：2019-09-05
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了电压下降监测电路及片上系统。在一个实施例中，电压下降监测电路包括环形振荡器电路块，其被配置为产生多个振荡信号，并且被配置为基于第一控制信号输出来自多个振荡信号之一的所选择的振荡信号。第一控制信号基于功能电路块的电源电压。电压下降监测电路还包括计数器和下降检测器，计数器被配置为基于所选择的振荡信号产生计数值，下降检测器被配置为基于计数值和至少一个阈值检测功能电路块的电源电压的下降。
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公开(公告)号：CN116896876A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310279606.2
申请日：2023-03-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 一种制造集成电路器件的方法包括：在基板上形成具有依次堆叠的模制层和支撑层的模制结构；形成在垂直方向上穿过模制结构的垂直孔以及在第一垂直高度区域中在水平方向上从垂直孔向外延伸的弯曲空间；将垂直孔和弯曲空间暴露于预处理气氛，以使支撑层具有第一表面状态并且模制层具有不同于第一表面状态的第二表面状态；利用第一表面状态和第二表面状态之间的差异，通过选择性沉积工艺形成填充弯曲空间的弯曲互补图案；以及在垂直孔中形成与模制层、支撑层和弯曲互补图案接触的下电极。
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公开(公告)号：CN109672441A
公开(公告)日：2019-04-23
申请号：CN201811153614.8
申请日：2018-09-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 具有工艺、电压和温度(PVT)变化的半导体系统中的时钟生成和控制。半导体器件可以包括至少第一环形振荡器和第二环形振荡器，每个分别设置在最靠近运算电路的第一逻辑电路和第二逻辑电路的位置处，且生成第一振荡信号和第二振荡信号。检测电路配置为对第一振荡信号和第二振荡信号执行预定逻辑运算以生成第一时钟信号。校准电路配置为从检测电路接收第一时钟信号并且对第一环形振荡器和第二环形振荡器中的每一个执行延迟控制以生成用于操作运算电路的第二时钟信号。
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公开(公告)号：CN105359573A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201480036663.7
申请日：2014-06-25
Abstract: 提供一种用于在无线通信系统中由移动性管理实体(MME)卸载数据业务的方法。该方法包括：确定要连接的分组数据网络(PDN)以用于提供由用户设备(UE)请求的服务，在从UE接收到请求在所述UE和所述PDN之间的连接的连接请求消息时，选择被布置为最接近无线接入网络(RAN)的网关，向所述UE发送许可对于在所述UE和所述PDN之间的连接的请求的许可消息，并且为与在所述UE和所述网关之间的由所述UE请求的服务相关的数据业务的发送和接收设置演进分组服务(EPS)承载。
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公开(公告)号：CN118742779A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202380022958.8
申请日：2023-04-19
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 所披露的发明涉及用于家用电器的外部材料以及包括该外部材料的冰箱。根据一个实施例的用于家用电器的外部材料可以包括：钢板，其具有350至410MPa的屈服强度；基础涂层，设置在钢板上的；以及透明涂层，设置在基础涂层上。此外，设置在外部材料的表面上的压花的深度可以是70μm至90μm。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116437659A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202211497622.0
申请日：2022-11-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 一种半导体存储器件，包括：衬底，包括存储单元区；多个电容器结构，布置在衬底的存储单元区中，并且包括多个下电极、电容器介电层和上电极；第一支撑图案，接触多个电容器结构的多个下电极的侧壁，以支撑多个下电极；以及第二支撑图案，位于比第一支撑图案的竖直高度高的竖直高度处，并且接触多个下电极的侧壁，以支撑多个下电极。多个下电极分别在多个下电极的上部中具有多个电极凹入部。
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公开(公告)号：CN116193850A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202211496038.3
申请日：2022-11-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，具有单元阵列区和外围区；下电极，设置在单元阵列区上；至少一个支撑层，与下电极接触；介电层，覆盖下电极和至少一个支撑层；上电极，覆盖介电层；层间绝缘层，覆盖上电极的上表面和侧表面；外围接触插塞，在衬底的外围区上穿过层间绝缘层；以及第一氧化物层，在上电极和外围接触插塞之间。上电极包括在横向方向上从单元阵列区向外围区突出的至少一个突出区。第一氧化物层设置在至少一个突出区和外围接触插塞之间。
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公开(公告)号：CN110908488A
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201910840793.0
申请日：2019-09-05
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了电压下降监测电路及片上系统。在一个实施例中，电压下降监测电路包括环形振荡器电路块，其被配置为产生多个振荡信号，并且被配置为基于第一控制信号输出来自多个振荡信号之一的所选择的振荡信号。第一控制信号基于功能电路块的电源电压。电压下降监测电路还包括计数器和下降检测器，计数器被配置为基于所选择的振荡信号产生计数值，下降检测器被配置为基于计数值和至少一个阈值检测功能电路块的电源电压的下降。
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公开(公告)号：CN101930140A
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN200910265776.5
申请日：2009-12-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/1362
CPC classification number: G02F1/133514 , G02F1/133516 , G02F1/13394 , G02F2001/133388
Abstract: 本发明的示例性实施例公开了一种液晶显示器(LCD)及其制造方法。LCD具有显示区域和外围区域。使用半色调掩模可以将外围区域的有机层图案化。因此，可以防止薄膜晶体管阵列面板以及对应衬底在外围区域中临时被粘合，以便可以均匀地保持填充在外围区域中的液晶分子的密度，从而可以改善液晶显示器的显示质量。
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公开(公告)号：CN109672441B
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN201811153614.8
申请日：2018-09-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 具有工艺、电压和温度(PVT)变化的半导体系统中的时钟生成和控制。半导体器件可以包括至少第一环形振荡器和第二环形振荡器，每个分别设置在最靠近运算电路的第一逻辑电路和第二逻辑电路的位置处，且生成第一振荡信号和第二振荡信号。检测电路配置为对第一振荡信号和第二振荡信号执行预定逻辑运算以生成第一时钟信号。校准电路配置为从检测电路接收第一时钟信号并且对第一环形振荡器和第二环形振荡器中的每一个执行延迟控制以生成用于操作运算电路的第二时钟信号。
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