-
公开(公告)号：CN109801879B
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN201811284243.7
申请日：2018-10-30
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 洪俊九 , 徐康一 , 博尔纳·奥布拉多维奇
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 描述一种半导体装置以及提供半导体装置的方法。所述方法提供多个鳍。多个鳍中的每一个的第一部分由掩模覆盖。多个鳍中的每一个的第二部分通过掩模暴露。该方法还在高于一百摄氏度且不超过六百摄氏度的退火温度下在体积增大环境(例如氢中)执行退火。鳍中的每一个的第二部分在退火期间暴露使得鳍中的每一个的第二部分经历体积膨胀。
-
公开(公告)号：CN111106110B
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN201911020854.5
申请日：2019-10-25
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 雷维基·森古普塔 , 洪俊九 , 麦克·罗德尔 , 瓦西里欧斯康斯坦提诺斯·吉劳西
IPC: H01L27/088 , H01L23/528 , H01L21/768
Abstract: 本公开提供一种半导体装置及其制造方法。根据本公开的一些示例性实施例，一种半导体装置包括：基底；位于所述基底上的第一半导体层，所述第一半导体层是第一类型的半导体装置；以及位于所述基底及所述第一半导体层上的第二半导体层，所述第二半导体层是所述第一类型的半导体装置，其中当在垂直于所述基底的平面的方向上观察时，所述第一半导体层的第一部分与所述第二半导体层重叠，并且当在垂直于所述基底的所述平面的所述方向上观察时，所述第一半导体层的第二部分从所述第二半导体层横向偏移。本公开的半导体装置可具有高密度的电子组件。
-
公开(公告)号：CN111987064B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202010311644.8
申请日：2020-04-20
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 瓦西里奥斯.康斯坦丁诺斯.杰鲁西斯 , 瑞克.森古普塔 , 洪俊九 , 凯文.迈克尔.特雷纳
IPC: H01L23/48 , H01L23/535 , H01L27/02
Abstract: 提供了一种抽头单元和半导体单元。所述抽头单元可以包括：掩埋电力轨层，包括VDD供电轨和VSS供电轨；多个过孔层和多个互连层，交替地布置在掩埋电力轨层上；VDD供电金属互连件和VSS供电金属互连件，位于所述多个互连层中的供电互连层中；VDD供电结构，将VDD供电轨电连接到VDD供电金属互连件；以及VSS供电结构，将VSS供电轨电连接到VSS供电金属互连件。抽头单元没有任何有源半导体器件。
-
公开(公告)号：CN112117233B
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202010294764.1
申请日：2020-04-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L23/522 , H01L23/528 , H01L23/532
Abstract: 提供了具有掩埋电源轨的集成电路和制造集成电路的方法。所述方法包括：在第一半导体基底的上表面上形成第一介电层；在第一介电层的上表面中形成多个电源轨沟槽；在多个电源轨沟槽中形成掩埋电源轨；在第一介电层的上表面和掩埋电源轨的上表面上形成第二介电层；在供体晶圆上形成第三介电层；将第三介电层结合到第二介电层；以及在供体晶圆上或在供体晶圆中形成多个有源半导体器件、过孔和金属互连件。掩埋电源轨被第一介电层和第二介电层包封，并且掩埋电源轨在多个有源半导体器件下方。
-
公开(公告)号：CN106684000B
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN201610978958.7
申请日：2016-11-01
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 洪俊九 , 博尔纳·J·奥布拉多维奇 , 马克·S·罗德尔
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/10 , H01L29/06
Abstract: 公开了一种制造自对准垂直纳米片场效应晶体管的方法和一种微电子结构。使用反应离子蚀刻在包括多个层的层状结构中对垂直沟槽进行蚀刻，并使用外延工艺用垂直的半导体纳米片填充垂直沟槽。蚀刻掉来自多个层之中的牺牲层并使用涂覆有高介电常数介电材料的导电(例如，金属)栅极层来代替牺牲层。来自所述多个层之中的两个其它层(一个层在栅极层的上方并且一个层在栅极层的下方)被掺杂，并作为用于在垂直半导体纳米片中形成两个PN结的扩散工艺的掺杂剂。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107818946A
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：CN201710816705.4
申请日：2017-09-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
CPC classification number: H01L29/045 , H01L21/82345 , H01L21/823468 , H01L21/823842 , H01L21/823864 , H01L27/088 , H01L27/092 , H01L29/4991 , H01L29/6653 , H01L29/78 , H01L27/0922 , H01L21/823871
Abstract: 提供了一种互补金属氧化物半导体(CMOS)电路及其制造方法。所述CMOS电路包括基底和位于基底上的多个场效应晶体管。每个场效应晶体管包括：多个接触件；源极，连接到所述多个接触件中的一个接触件；漏极，连接到所述多个接触件中的另一接触件；栅极；间隔件，位于栅极与接触件之间。所述多个场效应晶体管中的一个的间隔件具有比所述多个场效应晶体管中的另一个的间隔件的气隙大的气隙。
-
公开(公告)号：CN111987064B8
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202010311644.8
申请日：2020-04-20
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 瓦西里奥斯·康斯坦丁诺斯·杰鲁西斯 , 瑞克·森古普塔 , 洪俊九 , 凯文·迈克尔·特雷纳
IPC: H01L23/48 , H01L23/535 , H01L27/02
Abstract: 提供了一种抽头单元和半导体单元。所述抽头单元可以包括：掩埋电力轨层，包括VDD供电轨和VSS供电轨；多个过孔层和多个互连层，交替地布置在掩埋电力轨层上；VDD供电金属互连件和VSS供电金属互连件，位于所述多个互连层中的供电互连层中；VDD供电结构，将VDD供电轨电连接到VDD供电金属互连件；以及VSS供电结构，将VSS供电轨电连接到VSS供电金属互连件。抽头单元没有任何有源半导体器件。
-
公开(公告)号：CN112117233A
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN202010294764.1
申请日：2020-04-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L23/522 , H01L23/528 , H01L23/532
Abstract: 提供了具有掩埋电源轨的集成电路和制造集成电路的方法。所述方法包括：在第一半导体基底的上表面上形成第一介电层；在第一介电层的上表面中形成多个电源轨沟槽；在多个电源轨沟槽中形成掩埋电源轨；在第一介电层的上表面和掩埋电源轨的上表面上形成第二介电层；在供体晶圆上形成第三介电层；将第三介电层结合到第二介电层；以及在供体晶圆上或在供体晶圆中形成多个有源半导体器件、过孔和金属互连件。掩埋电源轨被第一介电层和第二介电层包封，并且掩埋电源轨在多个有源半导体器件下方。
-
公开(公告)号：CN109800604A
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201811252577.6
申请日：2018-10-25
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 哈索诺·席姆卡 , 迦尼士·海兹 , 洪俊九 , 麦克·史帝芬·罗德尔 , 雷维基·森古普塔
Abstract: 本公开阐述一种硬件嵌入式安全系统，其包括连接组件、电路元件及绝缘体。连接组件包括可变导电性层，可变导电性层对于第一化学计量而言是导电的且对于第二化学计量而言是绝缘的。可变导电性层对于连接组件的连接到电路元件的第一部分的第一部分而言是导电的。可变导电性层对于连接组件的连接到电路元件的第二部分的第二部分而言是绝缘的。因此，电路元件的第一部分是有效的且电路元件的第二部分是无效的。绝缘体相邻于连接组件中的每一者的至少一部分。第一化学计量可无法通过对部分的绝缘体及可变导电性层进行光学成像及电子成像来与第二化学计量区分开。本公开的硬件嵌入式安全系统的性能可得到改善。
-
公开(公告)号：CN109800604B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN201811252577.6
申请日：2018-10-25
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 哈索诺·席姆卡 , 迦尼士·海兹 , 洪俊九 , 麦克·史帝芬·罗德尔 , 雷维基·森古普塔
Abstract: 本公开阐述一种硬件嵌入式安全系统，其包括连接组件、电路元件及绝缘体。连接组件包括可变导电性层，可变导电性层对于第一化学计量而言是导电的且对于第二化学计量而言是绝缘的。可变导电性层对于连接组件的连接到电路元件的第一部分的第一部分而言是导电的。可变导电性层对于连接组件的连接到电路元件的第二部分的第二部分而言是绝缘的。因此，电路元件的第一部分是有效的且电路元件的第二部分是无效的。绝缘体相邻于连接组件中的每一者的至少一部分。第一化学计量可无法通过对部分的绝缘体及可变导电性层进行光学成像及电子成像来与第二化学计量区分开。本公开的硬件嵌入式安全系统的性能可得到改善。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
15
records
(took 0.02 seconds)
