公开(公告)号：CN108538828A

公开(公告)日：2018-09-14

申请号：CN201810171566.9

申请日：2018-03-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赖安·M·哈彻 ,  瑞克·森古普塔 ,  克里斯·鲍恩

IPC: H01L27/02 ,  H03K19/20 ,  H03K19/21

CPC classification number: H01L29/78391 ,  H01L27/1104 ,  H03K19/20 ,  H01L27/02 ,  H03K19/215

Abstract: 本发明提供了一种集成电路、包括逻辑门的电路和单极数字逻辑系统。具有第一极性的沟道的铁电场效应晶体管在电路中与具有相同极性的沟道的简单场效应晶体管组合以形成逻辑门和/或存储器单元。

公开(公告)号：CN111987064B8

公开(公告)日：2024-10-25

申请号：CN202010311644.8

申请日：2020-04-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 瓦西里奥斯·康斯坦丁诺斯·杰鲁西斯 ,  瑞克·森古普塔 ,  洪俊九 ,  凯文·迈克尔·特雷纳

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/535 ,  H01L27/02

Abstract: 提供了一种抽头单元和半导体单元。所述抽头单元可以包括：掩埋电力轨层，包括VDD供电轨和VSS供电轨；多个过孔层和多个互连层，交替地布置在掩埋电力轨层上；VDD供电金属互连件和VSS供电金属互连件，位于所述多个互连层中的供电互连层中；VDD供电结构，将VDD供电轨电连接到VDD供电金属互连件；以及VSS供电结构，将VSS供电轨电连接到VSS供电金属互连件。抽头单元没有任何有源半导体器件。

公开(公告)号：CN108538828B

公开(公告)日：2023-07-07

申请号：CN201810171566.9

申请日：2018-03-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赖安·M·哈彻 ,  瑞克·森古普塔 ,  克里斯·鲍恩

IPC: H01L27/02 ,  H03K19/20 ,  H03K19/21

Abstract: 本发明提供了一种集成电路、包括逻辑门的电路和单极数字逻辑系统。具有第一极性的沟道的铁电场效应晶体管在电路中与具有相同极性的沟道的简单场效应晶体管组合以形成逻辑门和/或存储器单元。