公开(公告)号：CN111987064B

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202010311644.8

申请日：2020-04-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 瓦西里奥斯.康斯坦丁诺斯.杰鲁西斯 ,  瑞克.森古普塔 ,  洪俊九 ,  凯文.迈克尔.特雷纳

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/535 ,  H01L27/02

Abstract: 提供了一种抽头单元和半导体单元。所述抽头单元可以包括：掩埋电力轨层，包括VDD供电轨和VSS供电轨；多个过孔层和多个互连层，交替地布置在掩埋电力轨层上；VDD供电金属互连件和VSS供电金属互连件，位于所述多个互连层中的供电互连层中；VDD供电结构，将VDD供电轨电连接到VDD供电金属互连件；以及VSS供电结构，将VSS供电轨电连接到VSS供电金属互连件。抽头单元没有任何有源半导体器件。

公开(公告)号：CN111987064A

公开(公告)日：2020-11-24

申请号：CN202010311644.8

申请日：2020-04-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 瓦西里奥斯.康斯坦丁诺斯.杰鲁西斯 ,  瑞克.森古普塔 ,  洪俊九 ,  凯文.迈克尔.特雷纳

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/535 ,  H01L27/02

Abstract: 提供了一种抽头单元和半导体单元。所述抽头单元可以包括：掩埋电力轨层，包括VDD供电轨和VSS供电轨；多个过孔层和多个互连层，交替地布置在掩埋电力轨层上；VDD供电金属互连件和VSS供电金属互连件，位于所述多个互连层中的供电互连层中；VDD供电结构，将VDD供电轨电连接到VDD供电金属互连件；以及VSS供电结构，将VSS供电轨电连接到VSS供电金属互连件。抽头单元没有任何有源半导体器件。